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上海长方光学仪器有限公司

高纯水检测方法

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【导读】    高纯水检测方法:1 主题内容与通用范围 本文给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。 本标准适用于去离子处理后的高纯水。 2 引用标

 
 
 高纯水检测方法:1 主题内容与通用范围
 本文给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。 
本标准适用于去离子处理后的高纯水。 
2 引用标准 
GB 11446电子级水及其检测方法。 
3 术语 
3.1 电导率Electrical conductivity
 在规定温度下,1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导 率通常以μS/cm为单位。 
纯水的理论电导率为0.05482 μs/cm (25℃时)。
 3.2 电阻率
Resistivity 电导率之倒数。
 纯水的理论电阻率为18.248 MΩ.cm (25℃时)。温度升高时电阻率下降。
3.3总溶解性固体
Total dissolved solids(TDS) 
水中溶解物质的总含量,包括钙镁离子、胶体、悬浮颗粒物、蛋白质、 病毒、细菌、微生物及尸体。TDS通常以mg/L或ppm为单位。
 3.4总硬度(DH值) 
水总硬度是指水中Ca2+、Mg2+的总量。硬度一般以德国标示法为准,计为DH。即以每升水含氧化钙10mg为 1DH。小于8DH为软水、大于17DH为硬水。 1德国硬度=国际通用硬度× 0.056,或1°DH约相当于CaCO3硬度 17.8ppm。 
3.5 颗粒性物质Granular substance 
除气体以外,以非液态形式分散在水中,并形成非均匀相混合物的物质。
 3.6 总有机碳 (TOC: Total organic carbon) 
水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被一般的强氧化剂氧化 的有机物和需用特殊化学处理的有机物。
3.7 总固体 Total solid
 水样蒸发、烘干后残留的固体总量。
 3.8 全硅 Total silicon 
水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅 之差即称为胶体硅。 
3.9 高纯水High-pure water, Ultra-pure water 
电阻率在5MΩ·cm以上,以各种形式存在的物质含量有一定规定限制的 很纯净的水
 3.10 原水Raw water 
进入纯化处理工序之前的水。常用的原水如自来水、
地表水和地下水等。
3.11 终端 Terminal 
高纯水生产流程中经过各道纯化工艺后,水的出口使用地点。可分别称 为制水终端和用水终端。
3.12 微量Micro-amount 
试样量在1mg左右。
 3.13 痕量Trace amount 
试样量在1μg左右。
 3.14 百万分之一(ppm) part per million 
重量比的单位,相当于每百万单位重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中,一般也认为相当于每升中水样含杂质的毫克数(mg/L)。
3.15 十亿分之一(ppb) part per billion 
重量比的单位,相当于每十亿单位重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分折中,一般认为相当于每升水样中含杂质的微克数(μg/L)。 
4 高纯水的级别 
4.1 高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水,分别用符号EH和PH标志。
4.2 电子级高纯水 
4.2.1 在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点: 
a.具有精细图形结构;
b.对器件表面有特殊要求;
c.工艺对水质有特定的严格要求。 
4.2.2 电子级高纯水分为两个级别:特级和1级。它们的标志分别是:特级电子级高纯水:EH—T **电子级高纯水:EH—1 
4.3 普通高纯水 
4.3.1 普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。 
4.3.2 普通高纯水分为三个级别:Ⅰ级、Ⅱ级和Ⅲ级。它们的标志分别 是:I级普通高纯水:PH— Ⅰ x级普通高纯水:PH—Ⅱ m级普通高纯水:PH—Ⅲ 4.4 电阻率低于5MΩ·cm的水不能称为高纯水 
5 技术要求 
5.1电子级高纯水 
5.1.1 电子级高纯水应考核四项指标:
a. 水中自由离子浓度(主要影响电阻率);
b.水中悬浮微粒的数量和大小;
c. 水中有机物总量;
d. 水中细菌微生物状况。 
5.1.2 电子级高纯水的各项技术指标由下表
5.2 普通高纯水
 5.2.1 普通高纯水主要考核其电阻率。
5.2.2普通高纯水的技术指标由下表 6 测试方法和检验规则 
 
 高纯水检测方法:
6.1 电阻率测试方法 
6.1.1 用电导率测试仪测量高纯水电阻率时:
a.电导池常数选为0.1—0.01cm-1; 
b.被测高纯水应处于密封流动状态,避免任何气体混入,流速不低 于0.3m/s。 
6.1.2 在t℃时测得的电阻率值ρt,用下式换算成25℃的电阻率ρ25:ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482} 
式中:ρ25——25℃时的电阻率MΩ.cm 
ρt——t℃时的电阻率MΩ.cm  
Gt——t℃时理论纯水的电导率μS/cm,其值见附录A; 
αt——t℃时修正系数,其值见附录A;
0.05482——t℃时理论纯水的电导率μS/cm。 
6.2 其他技术指标测量方法 
执行GB11446.5 ~ 11446.11中有关规定。
6.3 检验规则 
6.3.1 各个级别高纯水的电阻率为经常必测项目。 
6.3.2 对电子级高纯水,用水单位还应根据生产要求制定对微粒数、痕 量金属、细菌、有机物、总碳、氧及二氧化硅等各项技术指标的检验规则。 
6.3.3 制水工艺条件改变时,应及时对表1或表2中各项技术指标进行 全面检验。 
6.3.4
所有测量均应在制水终端和用水点两处测量。制水终端水的质量 称为制水水质;用水点水的质量称为用水水质。对普通高纯水,用水水质和制水水质应在同**别上。对电子级高纯,主要检验用水水质,但应给出制水水质作参考。制水水质还用于检验制水设备和技术。 
6.4 检验标志 
在高纯水制水终端和用水点按要求进行检验后,若水质合格,应附标有 下列内容的检验合格证:
 a.高纯水的级别标志;
b.要求检测的技术指标及测量结果;
c. 制水单位;
d.连续供水开始日期(普通高纯水可无此项);
e.检验员签章及检验日期。 
7 取样、存贮和运输 
7.1高纯水的取样 
7.1.1 盛水容器必须使用塑料或硬质玻璃容器。用于测定硅或分析痕量 成分时,必须使用聚乙烯等塑料容器。 
7.1.2 取样前,盛水容器应预先用洗涤剂清洗干净,再用盐酸(1+1) 或10%硝酸溶液浸泡48小时(分析阴离子用的容器除外),然后用高纯水冲洗干净,再用高纯水浸泡不少于6小时。临取样时,用待测高纯水冲洗容器不少于10次,方可取样。 
7.1.3 采集水样时,应先把管道中的积水放尽,并冲放5—10min,在流 动状态取样,以保证水样有充分的代表性。 
7.1.4 取样的体积约为容器体积的60 — 80%,不能太满。取样后应迅 速把容器盖严。 
7.1.5 细菌分析采样容器必须经过高温消毒处理。
7.2 高纯水的贮存与运输 
7.2.1 分析高纯水中的阴、阳离子时,采集的水样可存放72小时。细菌 检验时,水样存放时间不得大于4小时。 
          高纯水


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2007-06-18 12:47:36
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