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- 【导读】 第三代半导体材料主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物。与硅(Si)材料相比,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等...
第三代半导体材料主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)
等宽禁带化合物。与硅(Si)材料相比,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体材料具
有宽禁带、高击穿电压、高载流子迁移率、高导热率、高电子饱和速率等优点,在光电子器件、
电力电子器件、固态光源等领域有着广泛的应用。目前,GaN和SiC材料研究较为广泛,发展Z
为迅速。
GaN材料禁带宽度达到了3.4eV,因其优异的性能成为高温、高频、大功率微波器件的首
选材料之一。20世纪90年代以后,GaN半导体材料以年均30%的增长率快速发展,成为了激
光器(LDs)及大功率LED的关键性材料,因为GaN禁带宽度覆盖了更广阔的光谱范围,使得
GaN在高亮度LED、激光器产品领域有了商业应用。并且,GaN功率元件进入市场不久,有着
与SiC相似的性能优势,以高功率GaN为例,具有更大的成本控制潜力和更大的输出功率,成
为下一代功率元件的候选材料之一。
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SiC具有高热导率,并且具有与GaN晶格失配小的优势,非常适合用作新一代LED衬底材料、
大功率电力电子材料等。以SiC为代表的第三代半导体材料首先在LED半导体照明领域取得突
破,实现规模化应用。目前,SiC器件生产成本持续降低,应用已得到普及,但是,因其使用中
存在低电压部分,使得部分领域中仍旧以硅器件为主。可以肯定的是SiC功率器件市场将会持续
走高。未来发展趋势
随着第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破,极具竞争力的第三代半导体光电
器件、电力电子器件和射频功率器件产品进入市场,将兴起一场以半导体超越照明技术、宽禁
带节能电子技术、宽带移动通讯硬件技术、先进雷达技术等为主要内容的半导体科技革命,引
发一场新的信息和能源技术革命,从而推动第三代半导体产业爆发性成长。我国目前正处于快
速夯实第三代半导体材料科技基础的重要阶段,加快第三代半导体材料、器件与应用技术开发
及其产业化仍然是未来5-10年我国发展第三代半导体材料产业的首要任务。未来发展趋势主要
包括基础研究及前沿技术方面、重大共性关键技术方面和典型应用示范方面。
在典型应用示范方面,实现SiC电力电子材料、器件与模块及在电力传动和电力系统的应
用示范;半导体照明技术持续向更高光效、更低成本、更高可靠性、更高光品质的方向发展,
并逐步开始跨领域的交叉融合,形成更高技术含量与产品附加值,如与生物作用机理及面向健
康YL和农业的系统集成技术与应用示范。
在基础研究及前沿技术方面,研究大失配、强极化第三代半导体材料外延生长动力学以及
第三代半导体新结构材料和新功能器件。
在重大共性关键技术方面,研究面向新一代通用电源的GaN基电力电子技术,面向下一代
移动通信的GaN基射频器件及系统应用技术,超高能效半导体光源核心材料、器件及全技术链
绿色制造技术,第三代半导体固态紫外光源与紫外探测材料与器件技术,以及用于第三代半导
体的衬底及同质外延、核心配套材料与关键装备。深圳市泰立仪器仪表有限公司成立于2005年11月,是专业从事测试仪器仪表设备的代理、销售和服务工作。并与国外仪表生产厂商有着广泛的技术与销售合作的良好基础。作为德国FOERSTER霍释特、美国Dakota达高特、英国SONATEST声纳、英国ETHERNDE易德、美国GE通用、日本SHIMPO新宝、日本KANOMAX加野麦克斯、台湾Motive一诺等公司的ZG销售代理。主要销售的仪器有:超声波测厚仪、超声波探伤仪、汽车点焊探伤仪、超声波硬度计、电导率仪、磁导率仪、涡流探伤仪、涂层测厚仪、风速计、粒子计数器、推拉力计、扭力计等测试仪器。
- 2004-07-14 10:19:50
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