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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 75

品牌：美国KRI
型号： KDC 75
产地：美国
供应商报价：面议

伯东企业（上海）有限公司更新时间：2024-07-16 17:28:07

企业性质授权代理商

入驻年限第10年

营业执照已审核

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详细介绍

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

KRI 考夫曼离子源 KDC 75
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数

型号	KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	2
- 阳极电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅极	专用, 自对准
-栅极直径	7.5 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1212 或 KSC 1202
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安装	移动或快速法兰
- 高度	7.9'
- 直径	5.5'
- 离子束	聚焦平行散设
-加工材料	金属电介质半导体
-工艺气体	惰性活性混合
-安装距离	6-24”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

产品优势

上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内.
考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜.
标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.

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