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美国EOS InSb探测器

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技术参数:

型号Part No.

Active Dia. [ mm ]

Operating Wavelength [ microns ]

Responsivity [ A/W, min ]

Shunt Resistance [ ohms ]

Shunt Capacitance [ pF ]

Detectivity [ cm-Hz1/2/W ]


  Package

IS-0025

0.25

1.0 – 5.5

2.0 @ 5.0μm

> 10M

40

1.0 x 1011

LN Dewar

IS-010

1.0

1.0 – 5.5

2.0 @ 5.0μm

> 1M

400

1.0 x 1011

LN Dewar

IS-020

2.0

1.0 – 5.5

2.0 @ 5.0μm

> 200k

1200

1.0 x 1011

LN Dewar

IS-030

3.0

1.0 – 5.5

2.0 @ 5.0μm

> 150k

1800

1.0 x 1011

LN Dewar

IS-040

4.0

1.0 – 5.5

2.0 @ 5.0μm

> 100k

3000

0.8 x 1011

LN Dewar

IS-050

5.0

1.0 – 5.5

2.0 @ 5.0μm

> 50k

7000

0.8 x 1011

LN Dewar

IS-070

7.0

1.0 – 5.5

1.8 @ 5.0μm

> 10k

15000

0.5x 1011

LN Dewar

IS-100

10.0

1.0 – 5.5

1.8 @ 5.0μm

> 2k

30000

0.5 x 1011

LN Dewar



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