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半导体分立器件静态测试系统
- 品牌:普赛斯仪表
- 型号: PMST-3500V
- 产地:湖北 武汉
- 供应商报价:¥1000
- 武汉普赛斯仪表有限公司 更新时间:2024-09-30 08:59:07
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销售范围售全国
入驻年限第5年
营业执照已审核
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产品特点
- 普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可晶准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流晶准测量等特点
详细介绍
普赛斯半导体分立器件静态测试系统特点和优势:
单台Z大3500V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大6000A;
15us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;系统指标
项目
参数
集电极-发射极
Z大电压.
3500V
Z大电流
6000A
精度
0.10%
大电压上升沿
典型值5ms
大电流上升沿
典型值15us
大电流脉宽
50us~500us
漏电流测试量程
1nA~100mA
栅极-发射极
Z大电压
300V
Z大电流
1A(直流)/10A(脉冲)
精度
0.05%
Z小电压分辨率
30uV
Z小电流分辨率
10pA
电容测试
典型精度
0.5%
频率范围
10Hz~1MHz
电容值范围
0.01pF~9.9999F
温控
范围
25℃~150℃
精度
±1℃
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可晶准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流晶准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。