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薄膜热导率测试系统（TCT-RT）

品牌：武汉嘉仪通
型号： TCT-RT
产地：湖北武汉
供应商报价：面议

武汉嘉仪通科技有限公司更新时间：2019-07-10 15:47:44

销售范围售全国

入驻年限第6年

营业执照已审核

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薄膜热导率测试系统（TCT-RT）核心参数

温度范围	RT	样品尺寸	长 x 宽：(5-10)x(5-10)，单位mm,薄膜厚度≥100nm
测量范围	0.1-10W/(m·K)(可扩展至2000W/(m·K))	准确度	±5%(在Si上测量)，±10%（其他）

产品特点

薄膜热导率测试系统采用3ω测试方法，有效克服了样品表面热辐射现象，能够良好测试微/纳米薄膜材料的热导率。可广泛应用于辅助各种功能薄膜材料的研究与开发，涵盖范围包括集成电路散热材料、航空航天材料、热电材料与器件、信息存储与光电器件等。目前，已赢得了包括ZG科学院上海微系统与信息技术研究所、嘉兴学院以及第三方检测机构等单位一致认可。

详细介绍

薄膜热导率测试系统产品特点

不直接测量温度变化，而是通过测量材料在导热过程中温度的变化转换为的电信号的变化来实现微/纳米薄膜材料的热导率，微伏级电压值，保证测量结果的高精确度。

采用交流电加热方式，同时选择并优化设计加热电极的形状与尺寸，可保证加热均匀性及测试应用的广泛性、准确性与稳定性。

待测薄膜样品金属尺寸极小，能有效减小黑体辐射引起的测量误差。

友好的软件界面。

薄膜热导率测试系统测试实例


常温下不同电流时，SiO2薄膜热导率测试结果	相同温度下，不同厚度GeTe/Bi2Te3 超晶格热导率测试结果

薄膜热导率测试系统技术参数

型号	TCT-RT
温度范围	RT
测试对象	半导体薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜等
热导率测量范围	0.1-10W/(m·K)(可扩展至2000W/(m·K))
测试精度（热导率）	±5%(在Si上测量)，±10%（其他）
适合氛围	真空
样品尺寸	长 x 宽：(5-10)x(5-10)，单位mm,薄膜厚度≥100nm
其他注意事项	测量导电薄膜时，需要沉积绝缘层（推荐：Sio2），薄膜表面要非常光滑，确保绝缘层不漏电；衬底热导率要远大于薄膜热导率，推荐使用Si、AIN等高热导衬底。
主机尺寸	710 x 600 x 490，单位mm
重量	80kg

薄膜热导率测试系统技术原理

薄膜热导率测试系统原理示意图

　　本产品技术方案核心为3ω测试法，其主要原理为在待测薄膜材料表面淀积一层金属电阻条，往金属条两端施加频率为ω的电流，那么在焦耳热的作用下该金属条将产生频率为2ω的温升，由于金属条一般表现出正电阻温度系数，这将导致其电阻值也产生频率为2ω的波动，这个频率为2ω的电阻与频率为ω的电流耦合将产生一个在频率为3ω的小电压信号V3ω。该小信号电压的幅值与待测材料的热导率有关，因而检测该电压信号后通过相关计算，就可求出待测材料的热导率Ks。