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InGaAs线阵图像传感器 G14006-512DE
- 品牌:日本滨松
- 型号: G14006-512DE
- 产地:亚洲 日本
- 供应商报价:面议
- 滨松光子学商贸(中国)有限公司 更新时间:2024-09-05 09:04:54
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营业执照已审核
- 同类产品InGaAs图像传感器(42件)
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产品特点
单视频线(512像素)近红外图像传感器(1.12至1.9μm)
G14006-512DE InGaAs线性图像传感器专为异物检测设备而设计。 线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片组成,其包含电荷放大器阵列,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器。 InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片通过铟凸块导电连接。 电荷放大器阵列由连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素的CMOS晶体管组成。 在电荷积分模式下读出来自每个像素的信号,以在近红外光谱范围内实现高灵敏度和稳定操作。 CMOS芯片上的信号处理电路提供两级转换效率(CE)以供选择,根据应用要求可通过调整外部电压进行选择。
产品特性
● 单视频线(512像素)
● 高速数据速率:zuida5 MHz
● 两个转换效率级别可供选择
● 像素大小:25×25μm
● 内置温度传感器
● 像素之间线性度的变化很微小
● 室温操作
详细介绍
- 详细参数
图像尺寸 12.8 x 0.025 mm 像素尺寸 25 x 25 μm 像素间距 25 μm 总像素个数 512 pixels 封装 Ceramic 帧频 (最大值) 8150 lines/s 制冷方式 Non-cooled 光谱响应范围 1120 to 1900 nm 暗电流(典型) ±10 pA 测试条件 Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted
光谱响应外形尺寸(单位:mm)相关下载Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]
InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]
Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]
Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]
Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]
技术资料
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