这款GaN MMIC 放大器采用全球领xian的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术，提供更高击穿电压和更高的功率密度,是全球领xian的宽带功率放大器。

GaN MMIC 放大器采用比GaAs赝配高电子迁移率晶体管更小栅宽的器件, 却具有与GaAs大栅宽器件同样的输出功率。