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- 型号: PE-ALD
- 产地:欧洲
- 供应商:深圳市蓝星宇电子科技有限公司
Sentech PE-ALD 等离子体增强原子层沉积 详细介绍 @font-face{font-family:"Times New Roman";}@font-face{font-family:"宋体";}p.MsoNormal{mso-style-name:正文;mso-style-parent:"";margin:0pt;margin-bottom:.0001pt;mso-pagination:;text-align:justify;text-justify:inter-ideograph;font-family
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- 原子层沉积系统共12个
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统
- 型号: ALD OpAL
OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子层沉积(ALD)设备,带有等离子选项适用于小尺寸至200mm的晶圆片蒸汽吸取或鼓泡四种液体或固体前驱体实时检测选项,包括与ALD控制软件相联的光谱椭偏仪ALD产品家族涵盖的系列设备可以满足学术界、企业研发和小规模生产的多种需求实时监测选项,包括与ALD控制软件相联的光谱椭偏仪OpAL系统可通过清晰而易行的途径升级为等离子体,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD牛津仪器有大量的工艺储备,并且还在不断开发新的工艺。我们为所有的ALD设备提供终身免费的、延续不断的工艺支持,我们还将为您提供关于开发新材料的建议,同时继续与您共享包括新工艺配方在内的
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英国Oxford 开放式样品载入原子层沉积系统
- 型号: OpAL
- 产地:欧洲
英国Oxford OpAL ® 开放式样品载入ALD设备 紧凑型开放式样品载入原子层沉积(ALD)系统 OpAL提供了专业的热ALD设备,可以简单明了的升级使用等离子体,使得在同一紧凑设备中集成了等离子体和热ALD。
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ALD R-200 原子层沉积系统(ALD R-200 Advanced)
- 型号: ALD R-200
价格区间 100万-200万 产地类别 进口
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SAL1000G 原子层沉积系统
- 型号: SAL1000G
- 多样性 -· 真空可移动的手套箱可以处理易氧化的样品。· 前驱体标配两组阀门和气瓶。· 可选择将前驱体加热至200摄氏度。· 可选择基片自动旋转支架。· 可选择粉体沉积配件。· 可选择经济实惠的废气处理设备。- 表现 -· 保证基片表面上的每个均匀原子层针孔自由层沉积。· 通过阶梯覆盖沉积在不均匀或3D形状的表面。· 与CVD和PVD相比,可以获得更好的沉积,特别是对于具有更高纵横比和多孔沉积材料。- 操作界面友好 -· 触摸屏使用户可以轻松设置配方或沉积过程,并检查每个驱动系统的运动。· 可进行自动沉积,并在沉积完成后自动完成N2排放。· 手套箱的真空排气和惰性气体的引入也可自动完成。- 安全性 -· 这是具有各种互锁功能的高级设备。 - 具有轻柔关闭功能的顶部舱口使用户可以轻松地装载和卸载基片。 性能真空度到达压力≤5Pa成膜性能膜厚分布≤± 3% (φ 100mm)设备构成设备型
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ALD-05 美国SVT公司ALD原子层沉积系统
- 品牌:SVT Associates
- 型号: ALD-05
美国SVT公司ALD产品自1990年来薄膜淀积设备*制造商。拥有独立的室内实验室用于材料研究和工艺开发。提供广泛的服务,包括淀积设备、淀积部件、集成传感器以及工艺控制设备制造和工艺技术的高度结合,为客户提供可靠的技术服务实验室7台应用淀积设备生长出*的材料多条设备生产线几乎覆盖了整个薄膜淀积设备市场在薄膜淀积领域拥有超过120台设备的*供应商。NorthStar ALD系统介绍:NorthStar ALD产品提供各种淀积方法,包括热淀积以及能量增强淀积。每台设备可以提供多达8个先驱源管路以及一个热壁淀积腔,使其应用范围极为广泛。设备的快速舱口盖或装载室(可选件)使样品操作快捷方便。NorthStar ALD系统不但能跟其他设备连接起来,还能连接多种测量仪器。原位测量工具以及RoboALD软件自动化系统提高了工艺的再现性。可以直接升级至超高真空提供工艺演示以及工艺培训服务...
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ALD 原子层沉积系统
- 型号: ALD
- 产地:国外
产品可以广泛应用于: 半导体领域:晶体管栅极电介质层(高k材料),光电元件的涂层,晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层(阻止掺杂剂的迁移),有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件,集成电路中的互连种子层,DRAM和MRAM中的电介质层,集成电路中嵌入电容器的电介质层,电磁记录头的涂层,集成电路中金属-绝缘层-金属(MIM)电容器涂层。 纳米技术领域:中空纳米管,隧道势垒层,光电电池性能的提高,纳米孔道尺寸的控制,高高宽比纳米图形,微机电系统(MEMS)的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层,纳米晶体,ZnSe涂层,纳米结构,中空纳米碗,存储硅量子点涂层,纳米颗粒的涂层,纳米孔内部的涂层,纳米线的涂层。
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原子层沉积系统(Atomic Layer Deposition Sys...
- 产地:芬兰
产品特性1. 系统含有两个腔体: 真空腔和沉积反应腔。有效地防止温度和真空度的泄漏,保持稳定的沉积反应条件,成膜均一细致无漏点。这是其他只有单一腔体设备所不能达到的。沉积腔与真空腔分开,沉积腔嵌入真空腔,形成一种保护套设备,可有效地防止沉积反应过程中沉积腔内的温度和化学气体泄漏,从而保证沉积腔内的体系稳定,不会有二次的化学反应。保证成膜效果和不损伤设备。真空腔一般会用密封胶圈密封,沉积腔处于高温、真空腔处于室温,所以密封胶圈在室温下寿命长、密封效果好,真空腔的真空度不会泄漏,从而保证成膜质量。如果沉积腔与真空腔共用一个腔体,密封胶圈在高温下使用,寿命短,时间一长密封效果不好,真空度会泄漏,从而成膜质量下降。 2. 前躯体化学品在反应腔中流动方向类似花伞喷射,垂直沉积于基体上,快速稳定,有别于横流式沉积系统。独特的顶端流动(showerhead)沉积模式比传统的横向流动沉积模式在成膜效果(尤
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GEMStar-4/6/8 XT 三维原子层沉积系统ALD
- 型号: GEMStar-4/6/8 XT
- 产地:美国
v\:* {behavior:url(#default#VML);}o\:* {behavior:url(#default#VML);}w\:* {behavior:url(#default#VML);}.shape {behavior:url(#default#VML);}LarryNormalLarry23972015-07-31T06:39:00Z2015-07-31T06:39:00Z15673233267379315.00台式三维产品ALD 原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的“纳米”技术,以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于A...
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原子层沉积系统(ALD R-200 Advanced)
- 品牌:PICOSUN
- 型号: PICOSUN™ ALD R-200 Advanced
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PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现的均匀性,包括Z具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度Z小的薄膜层。在Z基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。 技术指标: 衬底尺寸和类型
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粉末与颗粒镀膜原子层沉积系统
- 品牌:美国/Nanosolutions
- 型号: FP ALD
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粉末与颗粒产品 ALD 美国ALD NANOSOLUTIONS公司技术,专注于粉末颗粒表面镀膜。 专用于在粉末、颗粒表面沉积ALD薄膜,可用于科研,生产。单批次体积从45ml~150L,满足科研到生产的需要。可沉积氧化物,氮化物,金属等类型薄膜。可用于锂离子电池、催化剂等需要粉末镀膜的行业。 专业的粉末镀膜产品,为科研与生产提供专业的解决方案。 设备沉积方法有:流化床法、滚动法、振动法。 粉末产品型号: FX系列:75 or 150 mL,适用于R&D FP系列: 500 mL / 2 L / 5 L / 10 L,适用于R&D,生产 RX系列:10 or 40 mL, 适用于R&D RP系列: ~40L, 适用于生产 CVR系列:1...