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用户论文：衬底温度对反应磁控溅射制备AIN压电薄膜的影响
本原纳米仪器公司更新于：2006-08-09

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全文请访问： 采用反应磁控溅射法在Si（111）衬底上沉积了AlN 薄膜XRD 分析表明，在5 种温度下，AlN 均以（100）面取向，衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善，在600以上时AlN 中AlN0 键断裂，仅出现（100）衍射峰AFM 分析显示，在600时平均晶粒尺寸90 nm，Z 轴Z高突起仅为23 nm 全文请访问：扫描探针显微镜(SPM/AFM/STM)

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