Park Systems 专用分析软件助力3D NAND 良率控制
近期东京电子近日宣布旗下等离子体蚀刻系统的开发和制造基地已开发出一种已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术，可用于制造 400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片。东京电子新的蚀刻技术较国内目前长江存储可做到232层堆叠，开发团队的新工艺S次将电介质蚀刻应用带入低温范围，从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。
本图片来自东京电子
在本篇原文名为“Tokyo Electron Develops Memory Channel Hole Etching for 400+ Layer 3D NAND Flash” (于2023年6月发表在 TechPowerUp 平台)称，东京电子的新型蚀刻机可以在极低的温度下进行超快蚀，并发布了该蚀刻机可以在33分钟内蚀刻10微米的革命性创新技术。
本图片来自东京电子
Park NX-Wafer广泛应用于先进刻蚀设备开发及相关工艺的验证。本设备主要特点如下：
1. 低噪声原子力轮廓仪，用于更精准的CMP轮廓测量
2. 亚埃级表面粗糙度测量具有高精度和出众的探针使用寿命
3. 用于缺陷成像和分析的全自动AFM解决方案
4. 全自动系统，包括自动探针更换、机器人晶片搬运
5. 能够扫描300 mm晶圆
6. 拥有低噪声位置传感器的30μm高性能Z扫描器，优异的高深宽比沟槽结构测试能力
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