hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻
在高压、大功率器件及集成电路中, 铝布线要求能够承受高压、大电流, 在恶劣的环境下具备良好的可靠性, 因此需要一定厚度的铝.
沈阳某研究所采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
真空腔 | 1 set, 主体不锈钢,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
离子源 | ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
离子束入射角 | 0 Degree～± 90 Degree |
极限真空 | ≦1x10-4 Pa |
刻蚀性能 | 一致性: ≤±5% across 4” |
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
离子源型号 | 离子源 KDC 75 |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >250 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 7.5 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 20.1 cm |
直径 | 14 cm |
中和器 | 灯丝 |
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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