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伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2
发布:伯东企业(上海)有限公司浏览次数:261伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜
为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究.
其系统工作示意图如下:
该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成.
其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.
用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下:
伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:
射频离子源型号
RFICP 380
Discharge 阳极
射频 RFICP
离子束流
>1500 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
30 cm Φ
离子束
聚焦
流量
15-50 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
39 cm
直径
59 cm
中和器
LFN 2000
理由:
聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:
离子源型号
霍尔离子源
eH3000
eH3000LO
eH3000MOCathode/Neutralizer
HC
电压
50-250V
50-300V
50-250V电流
20A
10A
15A散射角度
>45
可充其他
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
气体流量
5-100sccm
高度
6.0“
直径
9.7“
水冷
可选
其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 采用伯东分子泵组 Hicube 80 Pro, 其技术参数如下:
进气法兰
氮气抽速
N2,l/s极限真空 hpa
前级泵
型号
前级泵抽速
m³/h前级真空
安全阀DN 40 ISO-KF
35
< 1X10-7
Pascal 2021
18
AVC 025 MA
运行结果:
伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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