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- 何爱云000 2013-11-17 00:00:00
- 用O2等离子体对聚苯乙烯(PS)进行预处理,再用Ar等离子体引发N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)在其表面接枝聚合.通过接触角(CA)及表面自由能(SE)分析,探讨了O2等离子体预处理条件对PS表面自由能的影响,确定了预处理的Z佳条件.通过衰减全反射红外光谱(ATR—FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和动态接触角(DCA)分析,比较了O2等离子体预处理前后和接枝聚合前后PS的表面组成及表面性能,实验结果表明,利用等离子体技术能成功地将NVP接枝聚合于PS表面,接枝聚合后的PS表面由于极性高分子链和粗糙度的增加,亲水性增强,水滴易在其表面铺展.由于接枝聚合后PS表面的高分子链在水中发生重构,使后退角降低幅度较大,接触角滞后现象明显.
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[1]N. Todoroki, et al., Pt−Ni Nanoparticle-Stacking Thin Film: Highly Active Electrocatalysts for Oxygen Reduction Reaction. ACS Catal., 2015, 5, 2209-2212.详情请点击: 双电弧等离子体源共沉积制备新型GX铂镍催化剂■ 电弧等离子体源与分子束外延技术的集成在先进电子与光电子器件领域, C族-Ⅳ族半导体材料是颇受关注的一种重要材料。特别地,碳含量在4%~11%的Ge1-xCx外延层被认为具有直接带隙结构、且能够补偿由硅衬底晶格失配引起的固有应变。然而,目前尚未获知稳定的GeC相晶体材料,而且体材Ge中极低的C原子溶解度(平衡态下为108 atoms/cm3)也阻碍了获取结晶良好且含碳量高的GeC外延层。目前已有部分利用MBE或CVD生长GeC外延层的报道,相关研究人员目前的研究ZD之一是提升外延层Ge1-xCx中替位C含量x的数值。近期,有研究人员利用超高真空考夫曼型宽离子束源,在200 ℃~500 ℃的生长温度下,在Ge(001)衬底上获得了x≤2%的Ge1-xCx外延层。在M. Okinaka等人[1]的工作中,为了进一步增强非平衡生长,首次采用了电弧等离子体枪作为新型C源,在Si(001)衬底上利用MBE制备了GeC外延层。结果表明,对于在硅表面利用MBE生长GeC外延层来说,电弧等离子体枪的使用以及非平衡生长的增强,对于外延层中C的掺入以及YZ外延层中C团簇的形成具有重要作用。以电弧等离子体作为碳源在Si(001)衬底表面生长的碳膜的AFM图像,薄膜表面非常平整,粗糙度为纳米级参考文献:
[1] M. Okinaka, et al., MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source. J. Cryst. Growth, 2003, 249, 78-86.[2] G. Yu, et al., Ion velocities in vacuum arc plasmas. J. Appl. Phys., 2000, 88, 5618.详情请点击: 电弧等离子体沉积技术的特殊应用案例——电弧等离子体源与分子束外延技术的集成更多应用案例,请您致电010-85120280 或 写信至 info@qd-china.com获取。
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