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等离子体怎么去污?

jackson_wang66 2017-03-14 07:48:49 622  浏览
  • 等离子体怎么去除污垢。

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全部评论(1条)

  • 我有权11啊 2017-03-15 00:00:00
    等离子体化学反应过程中,等离子体传递化学能量的反应过程中能量的传递大致如下: (1)电场+电子→高能电子 (2)高能电子+分子(或原子)→(受激原子、受激基团、游离基团)活性基团 (3)活性基团+分子(原子)→生成物+热 (4)活性基团+活性基团→生成物+热 从以上过程可以看出,电子首先从电场获得能量,通过激发或电离将能量转移到分子或原子中去,获得能量的分子或原子被激发,同时有部分分子被电离,从而成为活性基团。 之后这些活性基团与分子或原子、活性基团与活性基团之间相互碰撞后生成稳定产物和热。 另外,高能电子也能被卤素和氧气等电子亲和力较强的物质俘获,成为负离子。 这类负离子具有很好的化学活性,在化学反应中起着重要的作用 参考资料:www.uniplasma.com

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电弧等离子体沉积系统

■  双电弧等离子体源共沉积制备新型GX铂镍催化剂

    N. Todoroki[1]等人以高活性氧还原反应(oxygen reduction reaction,ORR)为目标,设计了一种新型基于铂-镍合金纳米颗粒堆叠薄膜(nanoparticle-stacking thin film,NPSTF)结构的电催化剂。合成所得铂-镍NPSTF的质量活性比商用碳负载的铂催化剂要高十倍。铂-镍NPSTF显著的ORR活性增强被归因于:
1)由底层镍原子诱导的表面铂富集层的电子性质修饰;
2)由铂-镍纳米颗粒堆叠而实现的活性表面区域的增加。
    本实验利用日本Advance Riko公司的APD电弧等离子体沉积系统完成。
(a)由APD共沉积获得的Pt2Ni8薄膜截面的HAADF-STEM图像;(b)脱合金后得到的Pt2Ni8薄膜截面图像;(c)脱合金后获得的Pt2Ni8纳米结构示意图 
 

参考文献:

[1]N. Todoroki, et al., Pt−Ni Nanoparticle-Stacking Thin Film: Highly Active Electrocatalysts for Oxygen Reduction Reaction. ACS Catal., 2015, 5, 2209-2212.
 
详情请点击: 双电弧等离子体源共沉积制备新型GX铂镍催化剂 
 
 
■  电弧等离子体源与分子束外延技术的集成
 
    在先进电子与光电子器件领域, C族-Ⅳ族半导体材料是颇受关注的一种重要材料。特别地,碳含量在4%~11%的Ge1-xCx外延层被认为具有直接带隙结构、且能够补偿由硅衬底晶格失配引起的固有应变。然而,目前尚未获知稳定的GeC相晶体材料,而且体材Ge中极低的C原子溶解度(平衡态下为108 atoms/cm3)也阻碍了获取结晶良好且含碳量高的GeC外延层。目前已有部分利用MBE或CVD生长GeC外延层的报道,相关研究人员目前的研究ZD之一是提升外延层Ge1-xCx中替位C含量x的数值。近期,有研究人员利用超高真空考夫曼型宽离子束源,在200 ℃~500 ℃的生长温度下,在Ge(001)衬底上获得了x≤2%的Ge1-xCx外延层。
    在M. Okinaka等人[1]的工作中,为了进一步增强非平衡生长,首次采用了电弧等离子体枪作为新型C源,在Si(001)衬底上利用MBE制备了GeC外延层。结果表明,对于在硅表面利用MBE生长GeC外延层来说,电弧等离子体枪的使用以及非平衡生长的增强,对于外延层中C的掺入以及YZ外延层中C团簇的形成具有重要作用。
以电弧等离子体作为碳源在Si(001)衬底表面生长的碳膜的AFM图像,薄膜表面非常平整,粗糙度为纳米级
 

参考文献:
[1] M. Okinaka, et al., MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source. J. Cryst. Growth, 2003, 249, 78-86.

[2] G. Yu, et al., Ion velocities in vacuum arc plasmas. J. Appl. Phys., 2000, 88, 5618.
 
详情请点击: 电弧等离子体沉积技术的特殊应用案例——电弧等离子体源与分子束外延技术的集成
 
 
更多应用案例,请您致电010-85120280 或 写信至 info@qd-china.com获取。


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名师讲堂-高温等离子体和低温等离子体诊断有区别吗

问题一:高温等离子体和低温等离子体诊断有区别吗
答:光谱仪器都是通用的,可以根据实际的测量目标或者对象选择合适的类型,确定合适的焦距,谱分辨率,线色散率以及配套的探测器等。例如,如果测量跟谱线宽度(多普勒展宽,斯塔克展宽等)有关的物理量,需要谱仪的仪器展宽要小于所需测量的宽度,这时候需要选择高分辨率光谱仪;如果需要测量宽谱杂质谱线及识别,则通常选择低分辨率光谱仪。

问题二:这些仪器多少钱
答:商业产品请咨询代理公司或者仪器生产商。定制化产品,可以联系李老师讨论

问题三:能诊断大气压下的气体放电形成的低温等离子体吗

答:光谱仪器都具有普适性。需要提出来想要测量的量,再做判断。


问题四:李老师,通过光谱仪计算等离子体参数时,通常考虑哪些效应呢?

答:以计算与多普勒展宽的物理量为例,在高温等离子体中,需要考虑自然展宽,塞曼效应等的影响,同时也需要扣除仪器本身的展宽导致的谱线展宽;与多普勒频移有关的量,则需要重点关注基准波长的定位,外界环境改变对测量的影响等。

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