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对Fab工厂而言，控制晶圆、电子化学品、电子特气和靶材等原材料中的无机元素杂质含量至关重要，即便是超痕量的杂质都有可能造成器件缺陷。

然而半导体杂质含量通常在ppt级，ICP-MS分析时用到的氩气及样品基体都很容易产生多原子离子干扰，标准模式、碰撞模式下很难在高本底干扰的情况下分析痕量的目标元素。

珀金埃尔默NexION系列半导体专用ICP-MS，凭借其独特的以动态反应池技术为基础的UCT（通用池）技术，既能实现标准模式、碰撞模式，也可以通过反应模式消除干扰，从根本上成功解决了多原子干扰的技术难题。

晶圆中的金属杂质分析(UCT-ICP-MS)

晶圆等半导体材料中的主要成分是硅。高硅基体的样品在传统的冷等离子体条件下分析，其中的耐高温元素硅极易形成氧化物。这些氧化物沉积在锥口表面后，会造成明显的信号漂移。NexION系列半导体专用ICP-MS在高硅基体的样品分析中采用强劲的高温等离子体，大大降低了信号漂移。通过通入纯氨气作为反应气，在DRC 模式下，有效消除了40Ar+ 对40Ca+、40Ar19F+ 对59Co+、40Ar16O+ 对56Fe+ 等的干扰。通过调节动态带通调谐参数消除不希望生成的反应副产物，克服了过去冷等离子体的局限，有效去除多原子离子的干扰。在实际检测中实现了10 ng/L 等级的精确定量，同时表现出良好的长期稳定性。

基质耐受性：Si 基质浓度为100ppm 到5000ppm 样品100ppt 加标回收

稳定性：连续进样分析多元素加标浓度为100ppt 的硅样品溶液（硅浓度为2000ppm）

《NexION 300S ICP-MS 测定硅晶片中的杂质》

NexION ICP-MS 测定半导体级盐酸中的金属杂质

在半导体设备的生产过程中，许多流程中都要用到各种酸类试剂。其中Z重要的是盐酸（HCl），其主要用途是与过氧化氢和水配制成混合物用来清洁硅晶片的表面。由于半导体设备尺寸不断缩小，其生产中使用的试剂纯度变得越来越重要。

ICP-MS具备精确测定纳克/升（ng/L，ppt）甚至更低浓度元素含量的能力，是Z适合测量痕量及超痕量金属的技术。然而，常规的测定条件下，氩、氧、氢离子会与酸基体相结合，对待测元素产生多原子离子干扰。如，对V+(51) 进行检测时去除 ClO+ 的干扰。虽然在常规条件下氨气与ClO+ 的反应很迅速，但如果需要使反应完全、干扰被去除干净，则需要在通用池内使用 纯氨气。NexION系列半导体专用ICP-MS的通用池为四级杆，具备精 准可控的质量筛选功能，可以调节RPq 参数以控制化学反应，防止形成新的干扰，有效应对使用高活性反应气体的应用。

20% HCl 中各元素的检出限、背景等效浓度、10 ng/L 的加标回收率

20% HCl 中典型元素ppt 水平标准曲线

20% HCl 中加标50 ng/L 待测元素，连续分析10 小时的稳定性

《利用NexION 2000 ICP-MS 对半导体级盐酸中的杂质分析》

电子特气直接进样分析技术(GDI-ICP-MS)

半导体所使用的特殊气体分析传统方法有两种：一种是使用酸溶液或纯水对气体进行鼓泡法吸收，然后导入ICP-MS进行分析；另一种是使用滤膜对气体中颗粒物进行收集，然后对滤膜消解后上机。然而无论是鼓泡法吸收还是滤膜过滤收集、消解，都存在样品制备过程容易被污染、鼓泡时间难以确定、不同元素在酸中溶解度不一样等各种问题，分析结果的可靠性和重现性都难以保证。

GDI-ICP-MS系统可以将气体直接导入到等离子中进行激发，避免了额外的前处理步骤，具有方便、GX、不容易受污染等特点，从根本上解决传统方法的一系列问题。

GDI-ICPMS气体直接进样技术

GDI-ICPMS 直接定量分析气体中金属杂质

GDI-ICP-MS法绘制的校准曲线（标准气体产生方式：在氩气中雾化标准溶液，这些标气对所有待测元素的线性都在0.9999以上）

《使用气体扩散和置换反应直接分析气体中金属杂质》

半导体有机试剂中纳米颗粒的分析（Single particle-ICP-MS）

单颗粒ICP-MS（SP-ICP-MS）技术已成为纳米颗粒分析的一种常规手段，采用不同的进样系统，能在100~1000 颗粒数每毫升的极低浓度下对纳米颗粒进行检测、计数和表征。除了颗粒信息，单颗粒ICP-MS 还可以在未经前级分离的情况下检测溶解态元素浓度，可检测到ppb级含量的纳米颗粒，实现TEM、DLS等纳米粒径表征技术无法完成的痕量检测。

用ICP-MS分析铁离子(56Fe+)时会受到氩气产生的40Ar16O+的严重干扰。利用纯氨气作反应气的动态反应池技术是消除40Ar16O+对铁离子Z 高丰度同位素56Fe+干扰Z有效的途径，而只有对56Fe+的分析才能获得含铁纳米颗粒分析Z 低的检出限。

90% 环己烷/10% 丙二醇甲醚混合液测定图谱，有含铁纳米颗粒检出

TMAH 中含铁纳米颗粒结果图谱：(a)粒径分布；(b)单个含铁纳米颗粒实时信号

TMAH 中含铁纳米颗粒粒径和浓度

由Fe(OH)2 到总铁的质量换算

《利用单颗粒ICP-MS在反应模式下测定半导体有机溶剂中的含铁纳米颗粒 》

SP-ICP-MS技术测定化学-机械整平(CMP)中使用的元素氧化物纳米颗粒悬浮物的特性

氧化铝和氧化铈纳米颗粒常用于纳米电子学和半导体制造行业中化学-机械 (CMP)半导体表面的平整。CMP悬浮物纳米粒子的尺寸分布特征以及大颗粒的辨别，是光刻过程质量控制的重要方面，会影响到硅晶片的质量。既可以测量可溶分析物浓度、又能测定单个纳米粒子的单颗粒模式ICP-MS（SP-ICP-MS）是分析金属纳米粒子的Z有前途的技术。

SP-ICP-MS技术具有高灵敏度、易操作、分析速度快的特点，纳米粒子引入等离子体中被完全电离，随后离子被质谱仪检测，信号强度与颗粒尺寸有关。因此SP-ICP-MS可为用户提供颗粒浓度（颗/mL），尺寸大小和尺寸分布。为确保一次只检测一个单颗粒，必须稀释样品以实现分辨的目的。这就要求质谱仪必须能够有很快的测量速度，以确保能够检测到在50nm纳米颗粒的瞬时信号（该信号变化的平均时间为300~500μs）。珀金埃尔默NexION系列半导体专用ICP-MS单颗粒操作模式能够采集连续数据，无需设置定位时间，每秒钟获取高达100 000个数据点。结合纳米颗粒分析软件模块，可以实现单颗粒纳米颗粒的准确分析。

采集数据比瞬时信号更快的纳米信号积分图

悬浮物1~4归一化颗粒尺寸分布频次图

《使用单颗粒电感耦合等离子体质谱法（SP-ICP-MS）分析CeO2 化学机械抛光化浆料》

On-line ICP-OES 在线监控磷酸中的硅含量

在Z 新的立式3D NAND 闪存的生产工艺中，需要使用磷酸进行湿法刻蚀。在生产过程中，必须监控这种特殊的、高选择性氮化的磷酸中硅的含量，以控制工艺质量。当磷酸中硅含量发生改变时，必须排空并更换磷酸。在线ICP-OES技术响应迅速，可实现7天*24小时不间断检测，是Z适合磷酸中硅含量监控的方法。而Avio500 紧凑的体积非常适合空间有限的Fab 厂；垂直炬管配合独特的切割尾焰技术，不需要任何维护也能获得Z佳的数据稳定性。

在线监控系统可实现：

自动配制校准曲线

7天*24小时全自动运行

质控功能（超出线性范围则重新校准）

可同时监控5个模块（多达20个采样点）

允许ICP-OES在线或离线分析间切换

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关于珀金埃尔默：

珀金埃尔默致力于为创建更健康的世界而持续创新。我们为诊断、生命科学、食品及应用市场推出独特的解决方案，助力科学家、研究人员和临床医生解决Z棘手的科学和YL难题。凭借深厚的市场了解和技术专长，我们助力客户更早地获得更准确的洞见。在，我们拥有12500名专业技术人员，服务于150多个国家，时刻专注于帮助客户打造更健康的家庭，改善人类生活质量。2018年，珀金埃尔默年营收达到约28亿美元，为标准普尔500指数中的一员，纽交所上市代号1-877-PKI-NYSE。

了解更多有关珀金埃尔默的信息，请访问www.perkinelmer.com.cn。

功率半导体行业

十三年以上知名半导体企业工作经验，曾任职于Infineon（英飞凌）、Nexperia(安世)，对功率半导体行业有着深刻的洞察力。纪要内容功率半导体的分类，第三代半导体材料特性，市场的信息，国际的一些主流的玩家，国内上升趋势非常好的一些公司。

目前的功率半导体器件主要由欧洲、美国、日本三个国家和地区提供，他们凭借先进的技术和生产制造工艺，以及lingxian的品质管理体系，大约占据了70％的市场份额。

而在需求端，约有39％的功率半导体器件产能被ZG大陆所消耗，是Z大的需求大国，但其自给率却仅有10％，严重依赖进口。

功率半导体可以分为三大类，一类是功率集成电路，也就是IC类的功率器件；第二类是功率模组，第三大类是功率分立器件。功率分立器件二极管、三极管，MOSFET,IGBT等。 

功率半导体应用场景有工业应用市场，汽车应用市场，消费类电子应用和无线通讯应用。其中工业应用市场占比Z大。

三代半导体材料将长期共存。diyi代半导体：以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表；第二代半导体：以砷化镓（GaAs）和磷化铟（lnP）等化合物半导体为代表；第三代半导体：以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体为代表。第三代半导体材料具有高光效、高功率、高电压、高频率的特性。

在中小功率领域（电压 900V 以下），功率 MOSFET及超节MOSFET 应用Z为广泛。在中大功率领域（电压 1200V-6500V），IGBT 是主流产品，这也是汽车所适用的主流功率器件。在超大功率领域（电压 3.3kV 以上、容量 1-45MW），晶闸管和集成门极换流晶闸管 （IGCT）市场广阔。

近几年功率半导体市场规模一直稳定在 150-200 亿美元的水平，占到 半导体市场规模 5%左右的比例。绝大多数市场被国外厂商垄断，包括英飞凌， TI， NXP，日本瑞萨等，ZG产品还有很大的替代空间，前十名厂商占 有 57%的市场份额。相对于集成电路行业， 分立器件市场集中度更低， 商业 生态壁垒不高。

功率半导体市场中，占比Z大的企业是 infineon，19%；按照产品种类来划分， Z重要的产品是 mosfet 和 IGBT。其他产品，BJT，晶闸管以及二极管等市场 非常分散且价值量较低。根据 IHS 资料，2016 年 MOSFET 占晶体管总市场的 55％，其次是 IGBT 和 BJT 的 30％和 15％的份额。

从Z主要的 IGBT 和 MOSFET 市场来看，Infineon 均为市占率位居diyi的位置。其他公司，包括三菱电机，富士电机，Renesas 和 ST 也占据了较高的市场份额。不同于二极管市场和晶体管市场的高度分散化， IGBT 和 MOSFET 市场由于其技术门槛更高，具备更高的市场集中度。

ZG国内的IGBT市场约占总需求的50%。但目前国内市场份额主要被国际巨头垄断，国产化率只有11%。嘉兴斯达为国内IGBT龙头企业，其产品也有汽车级。目前大陆以扬杰科技、华微电子、士兰微、捷捷微为代表的功率半导体龙头企业市场占有率非常低，进口替代的空间巨大。国内具备一定市场地位的专业车用半导体厂商，比亚迪，江苏宏微相对突出。问答环节问题1：如何看待大陆公司通过收购安世来进军功率半导体领域？未来是否能够追赶上英飞凌等龙头企业？

答：大陆公司来收购一些国外已经成熟的企业，有很多是一些优质资产。个人的角度来看是偏正面的，确实是可以帮助我们的大陆公司加快对这个领域的进军。

安世半导体未来是否能够追赶上英飞凌？首先不是同一个规模的公司。其次安世半导体在他能够涉及的领域，有一些产品是属于diyi梯队的。

问题2：目前的大陆的公立半导体厂商众多，什么样的企业更容易胜出？

答：技术是否lingxian，性价比是否足够高，然后服务、供货稳定性，产品多样性，未来产品及市场布局，等等。这些特质的话会决定企业的竞争力，所以这是一个需要综合多方面去考虑问题。

问题3：评判功率器械的技术指标有哪些？

答：简单来讲主要的几个方向：电压等级，工作频率，工作的功率等。

半导体业务中的典型供应链， 显示了需要材料表征、材料选择、质量控制、工艺优化和失效分析的不同工艺步骤

热分析在半导体封装行业中有不同的应用。使用的封装材料通常是环氧基化合物（环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等）。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。固化和流变特性对于确保所生产组件工艺和质量保持一致具有重要意义。

通常，工程师将面临以下问题：

特定化合物的工艺窗口是什么？

如何控制这个过程？

优化的固化条件是什么？

如何缩短循环时间？

珀金埃尔默热分析仪的广泛应用可以提供工程师正在寻找的答案。

差示扫描量热法(DSC)

此项技术Z适合分析环氧树脂的热性能，如图1所示。测量提供了关于玻璃化转变温度(Tg)、固化反应的起始温度、固化热量和工艺Z终温度的信息。

图 1. DSC曲线显示环氧化合物的固化特征

DSC可用于显示玻璃化转变温度，因为它在给定温度下随固化时间（图2）的变化而变化。

图 2. DSC 曲线显示玻璃化转变温度

随着固化时间的延长而逐渐增加

玻璃化转变温度(Tg)是衡量环氧化合物交联密度的良好指标。事实上，过程工程师可以通过绘制玻璃化转变温度与不同固化温度下固化时间的关系图来确定Z适合特定环氧化合物的工艺窗口（图3）。

图 3. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系

如果工艺工程师没有测试这些数据，则生产过程通常会导致产品质量低下，如图4所示。

图 4. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系

在本例中，制造银芯片粘接环氧树脂使用的固化条件处于玻璃化转变温度与时间的关系曲线的上升部分（初始固化过程）。在上述条件下，只要固化时间或固化温度略有改变，就有可能导致结果发生巨大变化。

结果就是组件在引脚框架和半导体芯片之间容易发生分层故障。通过使用功率补偿DSC（例如珀金埃尔默的双炉DSC），生成上述玻璃化转变温度与温度 / 时间关系曲线，可确定Z佳工艺条件。使用此法，即使是高度填充银芯片粘接环氧树脂的玻璃化转变也可以被检测出。这些数据为优化制造工艺提供了极有帮助的信息。

使用DSC技术，可以将固化温度和时间转换至160° C和2.5小时，以此达到优化该环氧树脂固化条件的目的。这一变化使过程稳定并获得一致的玻璃化转变温度值。在珀金埃尔默，DSC不仅被用于优化工艺，而且还通过监测固化产物的玻璃化转变温度值，发挥质量控制工具的作用。

DSC 8000 差示扫描量热仪

DSC 还可以用于确定焊料合金的熔点。用DSC分析含有3%（重量比）铜(Cu)、银(Ag)或铋(Bi)的锡合金。图5中显示的结果表明，不同成分的合金具有非常不同的熔点。含银合金在相同浓度（3%（重量比））下熔点Z低。

图 5. DSC：不同焊接合金在不同湿度环境下的熔点分析

热重分析(TGA)

珀金埃尔默热分析仪有助于设计工程师加深对材料选择的理解。例如，珀金埃尔默TGA 8000®（图6）可以检测出非常小的重量变化，并可用于测量重要的材料参数，如脱气性能和热稳定性。这将间接影响组件的可焊性。图7显示了在230°C 和260° C下具有不同脱气性能的两种环氧树脂封装材料。重量损失（脱气）程度越高，表明与引脚框架接触的环氧树脂密封剂的环氧—引脚框架分离概率越高。

图 6. 珀金埃尔默TGA 8000

图 7. TGA结果显示两种材料具有不同的脱气性能

热机械分析(TMA)

当材料经受温度变化时，TMA可精确测量材料的尺寸变化。对于固化环氧树脂体系，TMA可以输出热膨胀系数(CTE)和玻璃化转变温度。环氧树脂的热膨胀系数是非常重要的参数，因为细金线嵌入环氧化合物中，并且当电子元件经受反复的温度循环时，高热膨胀系数可能导致电线过早断裂。不同热膨胀系数之间的拐点可以定义为玻璃化转变温度（图8）。TMA还可以用于确定塑料部件的软化点和焊料的熔点。

图 8. 显 TMA 4000 测试的典型的 TMA 图

动态力学分析(DMA)

选择材料时，内部封装应力也是关键信息。将DMA与 TMA技术结合，可以获得关于散装材料内应力的定量信息。DMA测量材料的粘弹性，并提供不同温度下材料的模量，具体如图9所示。当材料经历热转变时，模量发生变化，使分析人员能够轻松指出热转变，如玻璃化转变温度、结晶或熔化。

图 9. DMA 8000 测试的典型的 DMA 图

热分析仪用于ASTM® 和IPC材料标准试验、质量控制和材料开发。图10显示了一个涉及热分析仪的IPC试验。珀金埃尔默DMA目前已在半导体行业得到广泛应用。

图 10. DMA：显示透明模塑化合物的内应力

热分析仪是半导体封装行业的重要工具。它们不仅在设计和开发阶段发挥了重要作用，而且还可用于进行故障分析和质量控制。许多标准方法都对热分析的使用进行了描述（图11）。使用珀金埃尔默热分析仪，用户可以优化加工条件并选择合适的材料以满足性能要求，从而确保半导体企业能够生产出高品质的产品。考虑到此类分析可以节省大量成本，热分析仪无疑是一项“必备”试验设备！

图 11. 用于标准方法的热分析仪

什么是半导体？

半导体( semiconductor)，指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。

半导体按照制造技术可以分为：集成电路器件、分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类。

什么是芯片？

芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（integrated circuit, IC）。是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。

制造工艺流程

注：CMP即化学机械抛光

*图片来源自网络

光刻和刻蚀

光刻是将图形转移到覆盖在半导体硅片表面的光刻胶上的过程。这些图形必须再转移到光刻胶下面组成器件的各薄层上，这一工艺过程我们称之为刻蚀，即选择性地刻蚀掉该薄层上未被掩蔽的部分。

刻蚀的方法

刻蚀有两种基本方法：湿法化学刻蚀和干法刻蚀。

湿法化学刻蚀的机理主要包括三个阶段：反应物通过扩散到反应物表面，化学反应在表面上进行，然后通过扩散将反应生成物从表面移除。湿法化学刻蚀较为适用于多晶硅、氧化物、氮化物、金属和Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面刻蚀。

近红外光谱技术

因其特有的优势在半导体行业有着广泛的应用

√非侵入式的方法

√防止的微小的污染

√准确性高，重现性好

√无需稀释样品

√可以定量分析

√既能做化学分析又能做物理指标

√含有特制光纤探头的在线近红外光谱仪可以集成到整个系统中

应用案例

使用近红外光谱仪测定混酸刻蚀液

分别选用1mm和4mm光程的比色皿测得谱图如下，通过观察光谱可以发现从1900nm开始4mm光程的比色皿光谱噪声开始增加，因此我们选用1mm光程比色皿进行测定。

通过Vision软件建模，并测定的混酸刻蚀液各组分含量与实验室常规方法分析的数值如下表所示，可以看到近红外的预测结果与实验室方法基本一致，误差很小。

应用案例

使用在线近红外光谱仪测定清洗液

如下图为使用瑞士万通在线近红外光谱仪连续监控客户的SC1清洗液状态。我们可以看到随着清洗液的消耗，NH₄OH的含量逐渐降低，客户可以根据监控的情况操作清洗流程。

应用案例

使用在线近红外光谱仪动态监测IPA异丙醇

IPA异丙醇作为清洗去除剂，在清洗的过程中会有杂质混入该溶剂。它的近红外光谱如下图，在1900nm~2000nm波长范围内，明显可见杂质EKC-265对谱图的影响。

我们利用该波段建立EKC-265的近红外模型，可以看到模型的R²达9.9989，SEC为0.0629。利用该模型我们就可以即可监控异丙醇中的杂质含量的变化。

瑞士万通DS2500 近红外光谱液体分析仪及配件

XDS在线近红外光谱分析仪

—无损光谱技术

—波长范围800nm~2200nm，可实现广泛的应用

—可实时进行定性分析、多组分定量分析与趋势分析

—仪器符合NEMA4X防护等级

—无需化学试剂，绿色环保节约成本

—特氟龙材质流通池

面对电子半导体行业研发、品质的各种观察、分析、测量要求。

比如打线结合，BGA高度，镀层的表面通常很难直观地观察及测量，但是基恩士VHX-7000N系列高清数码显微镜能够提供精 准的数据支持和高清结构观察。

金线高度检测

BGA高度检测

同时也能直接观察和测量镀层表面面积占比，为改善镀层工艺提供更精 准的数据参考。

连接器镀层检测

在“监控半导体芯片生产中离子污染的神器——ICS 6000离子色谱”一文中我们主要介绍了半导体行业中关于芯片生产需要严格关注空气与纯水的质量。然而除了环境空气与超纯水，还有一部分是需要关注的就是化学试剂。

在电子产品的生产过程中需要用到的试剂是电子级试剂，要求电性杂质含量极低，才可以控制产品ZZ的质量。而有些半导体材料中甚至会人为加入一些特定的成分，从而其电导性能才具有可控性，因此试剂中杂质离子的含量，就变得尤为重要。

那么涉及到半导体的试剂有哪些呢？

他们的作用分别是什么呢？

我们大致可以将其分为三类：酸（如氢氟酸、硝酸、硫酸等）、碱（氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵等）、溶剂（异丙醇、丙酮等），本篇主要给大家介绍酸。

半导体中常用的酸

国际半导体设备与材料产业协会（SEMI）对这有各种明确的标准规定（见下表，单位为ppm，以zui高级别算）。

那么对于这些高纯度的试剂中的杂质离子，我们怎么样去测试呢？测试过程中会遇到什么样的问题呢？今天我们首先针对不同种类的酸，且看赛默飞离子色谱为大家提出的一个个的解决方案！

高纯试剂——氢氟酸、磷酸中的杂质

利用这两种酸均为弱酸的特点，因此可采用同一方法——柱切换进行分析，相关标准分别为：

SEMI C28 氢氟酸中的阴离子、GBT 31369-2015；

SEMI C36 浓磷酸中的阴离子、GBT 28159-2011。

谱睿柱切换系统流路图

氢氟酸（HF）、磷酸（H₃PO₄）、乙酸（CH₃COOH）均为弱酸，利用排斥柱Donnan原理，弱酸及有机酸在排斥柱上有保留而无机阴离子没有保留的特点，我们采取柱切换的方式可以将以弱酸为基体的主成分切换掉，同时无机阴离子进入到浓缩柱中进行富集。再经过高容量色谱柱进行分离，可以准确测定氢氟酸与浓磷酸中无机阴离子含量，避免了高浓度基质的干扰，且检出限可达10ppb。

氢氟酸中常见阴离子谱图

浓磷酸的离子排斥色谱图

（1. 强酸离子；2. 磷酸根）

浓磷酸中常见阴离子谱图

高纯试剂——浓硝酸中阴离子

弱酸的方案我们得到了解决，那么无机强酸中的阴离子怎么去解决呢？这又面临着新的挑战，硝酸是无机强酸，柱切换的方式已然不可用，那么这次挑战得到解决有赖于我们赛默飞特有的高容量色谱柱，高容量色谱柱可以保证即使在出现高基体的情况下，也不会导致色谱柱饱和且不会影响痕量离子的分离度，稀释50倍后，浓度差可达十万倍，进样分析谱图如下，检出限可达1ppm。

75%硝酸稀释50倍进样

高纯试剂——浓硫酸中杂质阴离子

恭喜飞飞又完成了一项挑战，解决了浓硝酸中痕量阴离子的问题，可是挑战还有哦，浓硫酸的问题又该如何解决呢？浓硫酸是二元强酸，且保留很强，那么赛默飞有那么多款色谱柱，总有一款适合你（浓硫酸），选择合适的高容量色谱柱，使得硫酸根离子既不会饱和色谱柱，也可以与待测离子有较好的分离度，也可以做到直接稀释进样哦。

硫酸稀释后测试后谱图

硫酸稀释后加标谱图（分别加标20、30、50ppb）

高纯试剂——盐酸中杂质阴离子

强酸体系中，还有一员大将——浓盐酸，高容量色谱柱依然是解决该方案的首要因素，可以很好分离高基体中的痕量物质，浓盐酸稀释200倍后可直接进样进行分析，谱图如下：

0.5% HCl及其加标谱图（50ppb）

这么多年以来，赛默飞离子色谱与半导体行业一起成长，为各大半导体企业及其供应链上下游行业提供稳定的技术支持与可靠的数据保证。下面附上可实现上述功能的离子色谱全明星阵容。

Thermo Scientific™ Dionex™ 

ICS-6000 离子色谱仪

Thermo Scientific™ Dionex™ 

Integrion 离子色谱仪

Thermo Scientific™ Dionex™ 

Aquion™ RFIC™离子色谱仪

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芯片，在我们的生活中无处不在，它存在于手机、电脑以及其他数字电器中成为我们现代社会的重要构成之一。

从晶圆到芯片，要经历清洗、氧化、光刻、显影、 刻蚀、扩散、离子注入、CVD、CMP、金属化等多道基本工序，重复多次才能完成。加工过程中晶圆的杂质含量、电子化学品和电子特种气体的纯度、超净间空气中的污染、材料热性能、胶水及基板的固化程度等就将直接影响到成品良率。

芯片加工工艺流程

珀金埃尔默Z新推出的《半导体行业检测方案》，为您提供从上游试剂、原材料到工艺过程、封测的各个环节的检测方案，助您严格把控生产的每一步、产出更高品质的产品。

无机元素与纳米颗粒分析技术

晶圆表面金属杂质自动分析(VPD-ICP-MS)

晶圆中的金属杂质分析(UCT-ICP-MS)

半导体级高纯酸杂质检测

电子特气直接进样分析技术(GDI-ICP-MS)

半导体有机试剂中纳米颗粒分析(Single particle-ICP-MS)

On-line ICP-OES 在线监控磷酸中的硅含量

洁净室有机污染物分析技术

在线与离线的GC-MS监控洁净室有机污染物的分析技术

半导体材料组分检测技术

红外光谱仪测试电路板胶水固化率

红外显微镜测试电路板污染物

热机械分析仪测试热膨胀系数

差示扫描量热法测量基板固化程度

热重分析仪测试基板成分浓度

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