仪器网（yiqi.com）欢迎您！

 《半导体测试制程介绍》

 　　测试制程乃是于IC构装后测试构装完成的产品之电性功能以保证出厂IC 功能上的完整性，并对已测试的产品依其电性功能作分类（即分Bin），作为 IC不同等级产品的评价依据；Z后并对产品作外观检验（Inspect）作业。

 　　电性功能测试乃针对产品之各种电性参数进行测试以确定产品能正常运作，用于测试之机台将根据产品不同之测试项目而加载不同之测试程序；而 外观检验之项目繁多，且视不同之构装型态而有所不同，包含了引脚之各项性质、印字（mark）之清晰度及胶体（mold）是否损伤等项目。而随表面黏着技术的发展，为确保构装成品与基版间的准确定位及完整密合，构装成品接脚之诸项性质之检验由是重要。以下将对测试流程做一介绍

上图为半导体产品测试之流程图，其流程包括下面几道作业：

 1.上线备料  

　　上线备料的用意是将预备要上线测试的待测品，从上游厂商送来的 包箱内拆封，并一颗颗的放在一个标准容器（几十颗放一盘，每一盘可以放的数量及其容器规格，依待测品的外形而有不同）内，以利在上测 试机台（Tester）时，待测品在分类机（Handler）内可以将待测品定位，而使其内的自动化机械机构可以自动的上下料。

 2.测试机台测试（FT1、FT2、FT3）  

　　待测品在入库后，经过入库检验及上线备料后，再来就是上测试机 台去测试；如前述，测试机台依测试产品的电性功能种类可以分为逻辑 IC测试机、内存IC测试机及混合式IC（即同时包含逻辑线路及模拟线 路）测试机三种，测试机的主要功能在于发出待测品所需的电性讯号并接受待测品因此讯号后所响应的电性讯号并作出产品电性测试结果的判 断，当然这些在测试机台内的控制细节，均是由针对此一待测品所写之测试程序（Test Program）来控制。

  　即使是同一类的测试机，因每种待测 品其产品的电性特性及测试机台测试能力限制而有所不同。一般来说，待测品在一 家测试厂中，会有许多适合此种产品电性特性的测试机台可供其选择；除了测试机 台外，待测品要完成电性测试还需要一些测试配件：

 1）分类机（Handler）

　　承载待测品进行测试的自动化机械结构，其内有机械机构将 待测品一颗颗从标准容器内自动的送到测试机台的测试头（Test Head）上接受测试，测试的结果会从测试机台内传到分类机内， 分类机会依其每颗待测品的电性测试结果来作分类（此即产品分 Bin）的过程；此外分类机内有升温装置，以提供待测品在测试 时所需测试温度的测试环境，而分类机的降温则一般是靠氮气，以达到快速降温的目的。不同的Handler、测试机台及待测品的搭配下，其测试效果 会有所同，因此对测试产品而言，对可适用的Handler与Tester就会有喜好的选择现象存在。测试机台一般会有很多个测试头（Test Head），个数视测试机台的机型规格而定，而每个测试头同时可以上一部分类机或针测机， 因此一部测试机台可以同时的与多台的分类机及针测机相连，而依连接的方式又可分为平行 处理，及乒乓处理，前者指的是在同一测试机台上多台分类机以相同的测试程试测试同一批 待测品，而后者是在同一测试机台上多台分类机以不同的测试程序同时进行不同批待测品的 测试。

 2）测试程序（Test Program）

　　每批待测产品都有在每个不同的测试阶段（FT1、FT2、FT3） ，如果要上测试机台测试，都需要不同的测试程序，不同品牌的测试机台，其测试程序的语法并不相同，因此即使此测试机台有 能力测试某待测品，但却缺少测试程序，还是没有用；一般而言，因为测试程序的内容与待测品的电性特性+息息相关，所以大多 是客户提供的。

 3）测试机台接口

　　这是一个要将待测品 接脚上的讯号连接上测试 机台的测试头上的讯号传送接点的一个转换接口， 此转换接口，依待测品的 电性特性及外形接脚数的不同而有很多种类，如：Hi-Fix（内存类产品）、Fixture Board（逻辑类产品）、Load Board（逻辑类产 品）、Adopt Board + DUT Board（逻辑类产品）、Socket（接脚器 ，依待测品其接脚的分布位置及脚数而有所不同）。

 　　每批待测品在测试机台的测试次数并不相同，这完全要看客户的要求，一般而言逻辑性的产品，只需上测试机台一次（即FT2）而不用FT1 、FT3，如果为内存IC则会经过二至三次的测试，而每次的测试环境温度要求会有些不同，测试环境的温度选择，有三种选择，即高温、常温 及低温，温度的度数有时客户也会要求，升温比降温耗时许多，而即于那一道要用什么温度，这也视不同客户的不同待测品而有所不同。

 　　每次测试完，都会有测试结果报告，若测试结果不佳，则可能会产生Hold住本批待测品的现象产生。

3.预烧炉（Burn-In Oven）（测试内存IC才有此程序）  

　　在测试内存性产品时，在FT1之后，待测品都会上预烧炉里去 Burn In，其目的在于提供待测品一个高温、高电压、高电流的环境，使生命周期较短的待测品在Burn In的过程中提早的显现出来，在Burn In后 必需在96个小时内待测品Burn In物理特性未消退之前完成后续测试机台 测试的流程，否则就要将待测品种回预烧炉去重新Burn In。在此会用到 的配件包括Burn-In Board及Burn In Socket..等。

4.电性抽测  

　　在每一道机台测试后，都会有一个电性抽测的动作（俗称QC或Q货） ，此作业的目的在将此完成测试机台测试的待测品抽出一定数量，重回测试机台在测试程序、测试机台、测试温度都不变下，看其测试结果是 否与之前上测试机台的测试结果相一致，若不一致，则有可能是测试机台故障、测试程序有问题、测试配件损坏、测试过程有瑕疵..等原因， 原因小者，则需回测试机台重测，原因大者，将能将此批待测品Hold住，等待工程师、生管人员与客户协调后再作决策。

5.卷标扫描（Mark Scan）  

　　利用机械视觉设备对待测品的产品上的产品Mark作检测，内容包括 Mark的位置歪斜度及内容的清晰度..等。

6.人工检脚或机器检脚  

　　检验待测品IC的接脚的对称性、平整性及共面度等，这部份作业有 时会利用雷射扫描的方式来进行，也会有些利用人力来作检验。

7.检脚抽检与弯脚修整  

　　对于弯脚品，会进行弯脚品的修复作业，然后再利用人工进行检脚 的抽验。

8.加温烘烤（Baking）  

　　在所有测试及检验流程之后，产品必需进烘烤炉中进行烘烤，将待测品上水气烘干，使产品在送至客户手中之前不会因水气的腐蚀而影响待测品的质量。

9.包装（Packing）

　　将待测品依其客户的指示，将原来在标准容器内的待测品的分类包 装成客户所指定的包装容器内，并作必要的包装容器上之商标粘贴等。

10.出货的运送作业

　　由于Z终测试是半导体IC制程的Z后一站，所以许多客户就把测试 厂当作他们的成品仓库，以避免自身工厂的成品存放的管理，另一方面也减少不必要的成品搬运成本，因此针对客户的要求，测试厂也提供所 谓的「Door to Door」的服务，即帮助客户将测试完成品送至客户指定的地方（包括客户的产品买家），有些客户指的地点在海外者，便需要考虑船期的安排，如果在国内者，则要考虑货运的安排事宜。  

   半导体组件制造过程可概分为晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab）、晶圆针测制程（Wafer Probe）、封装（Packaging）、测试制程（Initial Test and Final Test）等几个步骤。一般称晶圆处理制程与晶圆针测制程为前段（Front End）制程，而构装、测试制程为后段（Back End）制程

随着半导体制造工艺节点的不断缩小，集成度不断提升，对于 28nm 及其以下先进制程中的工艺技术要求也越来越高，尤其针对半导体晶圆表面洁净度的控制，这是因为晶圆表面的洁净度会影响后续半导体工艺及产品合格率。早期文献报道，半导体制程产额损失中有高达 50% 是源于晶圆表面污染。晶圆制造过程包括氧化扩散（Thermal Process）、薄膜沉积（Dielectric Deposition）、光刻（Photo-lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、抛光（CMP）、及金属化（Metalization）等工艺，其中薄膜沉积、光刻和刻蚀是前道晶圆制造的三大核心工艺，制造过程反复循环，包括上千道加工工序，期间涉及的原材料、工作环境和工艺操作都可能造成硅片表面的沾污。其中原材料是一个重要的污染源：例如光刻过程需要的光刻胶、掩膜版；硅片清洗过程需要的各种湿化学品；化学机械平坦化过程需要的抛光液和抛光垫等都可能造成晶圆表明污染。

图 1. IC 制造典型步骤示意图

制程有“杂质”，性能有“杂音”

晶圆表面最常见的污染包括金属离子、有机物及颗粒物三类。其中有机物杂质在半导体制程中以多种形式存在，主要有：

• 切、磨、抛的机器设备涂有的各种油脂，如润滑油、防锈油等；

• 胶片固定用的粘合剂，如松香、石蜡等；

• 光刻胶及其湿电子化学品中的杂质；

• 手部表面油脂等。

有机污染物主要以范德瓦尔斯吸引力粘附在晶圆表面，形成有机物薄膜，导致晶圆表面产生非预期的疏水性质，阻止盐酸、硫酸、过氧化氢和王水等清洗液达晶圆表面，从而影响离子型及其金属型杂质的清洗效果。同时也会增加晶圆表面粗糙度、产生雾化（haze）表面、破坏外延层的生长。

实践证明，即使是在 10 级甚至更高洁净度的洁净室内，有机物的浓度总达到率也比颗粒高几个数量级，因此通过分析杂质来源对于优化制程工序、问题溯源和先进材料质量控制来说显得尤为重要。

Agilent 软硬件结合，

准确快速定位 “杂音” 来源

有鉴于此，Agilent 针对半导体先进制程中：1）光刻过程中有机物污染；2）原材料的质控分析；3）工艺中污染物溯源等问题提供有效解决方案，将有机物分析应用于高端半导体产业链，贯穿原材料到制程的每个环节，加速高端配方型材料研发进程，助力制程工艺中质量控制和工艺提升，解决产业难题。有机物分析涉及半导体产业链领域如图 2 所示。

图 2. 半导体制造过程中有机物分析

该解决方案的核心即是基于将 Agilent QTOF MS 系统提供的高质量精度数据与系列 MassHunter 数据分析软件（ Qualitative Analysis 定性软件、ProFinder 软件、Mass Profiler Professional (MPP)）结合起来提供的更完善的化学品未知杂质分析和结构确认流程（图 3 所示）。

图 3. 半导体制程中有机杂质分析及其溯源

半导体制程中的有机杂质理化性质差异较大，可分为高沸点和低沸点化合物，分别采用气相色谱-质谱和液相色谱-质谱进行分析（图 4 所示）。其中 Agilent LC-QTOF MS 系统采集的质谱数据具有质量精度高、同位素分布准确、分辨率高、宽动态范围和重现性高等特点，在高沸点有机物分析中发挥重要作用。

图 4.  Agilent 半导体制程中分析产品线

数据挖掘与统计分析由 MassHunter Profinder 和 Mass Profiler Professional (MPP)软件执行完成。在ProFinder软件中可实现对批量样品进行非靶向的分子特征离子峰提取与整合（MFE），继而通过 MPP 软件内置的 PCA 分析、火山图分析、S-Plot 分析和建模分析等多种统计学分析工具，寻找 “缺陷样品” 和 “合格样品”之间的差异性及导致差异的因素（如图 5 所示）。

图 5. 半导体原材料中差异成分确认

Agilent PCDL 数据库、MSC 软件可协助研究者完成差异有机物的结构推导与确认分析。结构预测分析则由与安捷伦全面合作的 Sirius 软件完成，无需数据转换即可在 Sirius 中进行目标物的结构预测等分析（图 6 所示）。

图 6. 安捷伦未知物分析流程

LCMSMS 分析贯穿于半导体制程

光刻工艺是半导体制程中最为关键一道工艺，经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。贯穿于全过程的原材料除了精细的化学品“光刻胶” 外，还涉及相配套湿电子化学品（清洗试剂、显影液、剥离液等），任何一种化学品或者一道工序都有可能导致晶圆表面沾污。目前该方案已成功应用于半导体先进制程中光刻过程工艺中的原材料（如湿电子化学品、光刻胶、过滤器材、环境和回收试剂等）的质控应用中（图 7）。通过对原材料 “缺陷产品” 和 “合格产品” 的差异分析，寻找杂质及其来源，对于改善工艺、改进原材料配方以及原材料质控起着至关重要的作用。

图 7. 光刻工艺中有机物分析项目

结 语

未来安捷伦科技将提供更加完善的半导体材料分析解决方案，助力于加速半导体先进制程中高端半导体材料的国产化替代，以满足其下游半导体先进制程的需求。

《晶圆针测制程介绍》

　　晶圆针测（Chip Probing；CP）之目的在于针对芯片作电性功能上的 测试（Test），使 IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片，以避免对不良品增加制造成本。

 　　半导体制程中，针测制程只要换上不同的测试配件，便可与测试制程共享相同的测试机台（Tester）。所以一般测试厂为提高测试机台的使用率，除了 提供Z终测试的服务亦接受芯片测试的订单。以下将此针测制程作一描述。

上图为晶圆针测之流程图，其流程包括下面几道作业：  

（1）晶圆针测并作产品分类（Sorting）  

晶圆针测的主要目的是测试晶圆中每一颗晶粒的电气特性，线路的 连接，检查其是否为不良品，若为不良品，则点上一点红墨水，作为识别之用。除此之外，另一个目的是测试产品的良率，依良率的高低来判断晶圆制造的过程是否有误。良品率高时表示晶圆制造过程一切正常， 若良品率过低，表示在晶圆制造的过程中，有某些步骤出现问题，必须尽快通知工程师检查。

（2）雷射修补（Laser Repairing）

雷射修补的目的是修补那些尚可被修复的不良品（有设计备份电路 在其中者），提高产品的良品率。当晶圆针测完成后，拥有备份电路的产品会与其在晶圆针测时所产生的测试结果数据一同送往雷射修补机中 ，这些数据包括不良品的位置，线路的配置等。雷射修补机的控制计算机可依这些数据，尝试将晶圆中的不良品修复。

（3）加温烘烤（Baking）

加温烘烤是针测流程中的Z后一项作业，加温烘烤的目的有二：

（一）将点在晶粒上的红墨水烤干。  

（二）清理晶圆表面。经过加温烘烤的产品，只要有需求便可以出货。

* 主要功能：线性扫描或对数扫描、电压电流脉冲循环、数据采集和数据存储。

* 程控对象：吉时利 keithley2600 系列源表。

* 程控接口：源表脉冲扫描循环测试软件提供 USB、RS232、TCP/LAN/ 以太网、GPIB 的连接方式。

* 仪器兼容性：系统兼容泰克 / 吉时利（Tektronix/Keithley）源表 2600 全系列。

1、软件概述

为了保证硬件系统的稳定，需要对系统中的电气元器件的性能有一定了解至关重要。因此了解电气元器件的伏安特性曲线显得十分重要，源表脉冲扫描循环测试软件应运而生。软件可以控制源表指定通道进行线性扫描或对数扫描，可以选择脉冲源为电压脉冲或电流脉冲来对电气元器件的伏安特性曲线更加精准的测试，并绘制相应的伏安特性曲线图，软件也可以将扫描数据进行保存。

2、软件特点

◆源表脉冲扫描循环测试软件提供 USB、RS232、TCP/LAN/ 以太网、GPIB 的连接方式；

◆软件可实时显示源表测试到的数据，可实时显示当前扫描进度，可实时绘制伏安特性曲线；

◆测试数据可选择 CSV 格式格式导出。

3、软件应用

吉时利 keithley 源表测试软件可应用于：半导体电子元器件生产测试、LED 发光二极管测试、忆阻器测试、激光二极管生产测试、激光雷达 VCSEL 测试等；

4、兼容的部分仪器型号

吉时利 keithley2600 系列源表脉冲扫描循环测试软件兼容吉时利 Keithley2600A/B 全系列数字源表。

5、软件功能介绍

5.1、仪器连接

仪器连接界面可以进行吉时利源表的连接。可选 USB、RS232、TCP/LAN/ 以太网、GPIB 的连接方式；

5.2、参数配置

需要配置源表的测量通道、脉冲类型（电压脉冲或电流脉冲）、扫描类型（线性扫描或对数扫描）、脉冲基线、起始值、终止值、通道限值、脉冲宽度、脉冲间隔、扫描点数以及循环参数（循环次数和循环间隔）的配置。

5.3、运行测试

点击开始扫描进入测试界面，如图所示。可实时显示当前扫描进度、可实时绘制伏安特性曲线。

5.4、导出报告文件和趋势图

在导出界面可以导出文件和趋势图，可将扫描数据以 csv 格式进行保存。

看完纳米软件对于吉时利 keithley2600 脉冲信号测试软件，忆阻器测试 | 半导体测试的介绍，是不是想马上去体验看看呢？索取产品资料，申请免费试用联系，搜索【纳米软件】

9812DX作为单一完整的低频噪声测试系统，支持多种半导体器件类型在各种工作条件下（如200V高压、10pA极低电流等）的高精度噪声测试。通过低频噪声测试，可以帮助芯片制造厂检测和排除工艺制造缺陷，确保芯片质量符合预期，提高芯片稳定性。

• 晶圆级噪声测试精度和高测试带宽，最低测试噪声的电流精度低至10-27A2/Hz。

• 典型噪声测试速度提高至一个偏置条件仅需20s、最高测试电压提高到200V。

• 通过并行测试架构解决方案以及协同FS-Pro半导体参数测试系统等方式大幅度提高测试效率和吞吐量。

• 用于28/14/10/7/5/3nm等各工艺节点的先进工艺研发和高端集成电路设计。

• 内置功能强大的NoiseProPlus软件，支持1/f噪声、RTN噪声测试和数据分析。

产品亮点：

行业黄金标准：半导体行业低频噪声测试“黄金标准”系统

广泛采用：已被众多行业领先半导体公司所采用的标准测试系统

并行测试：经头部客户验证的高精度、高测试吞吐率并行测试能力

宽量程：晶圆级高精度和测试带宽宽电压、宽电流、宽阻抗测量范围

系统架构：系统体系架构经行业认可并不断完善兼具高精度和可靠性

覆盖广泛：同时覆盖从10Ω到10MΩ的高阻抗器件和低阻抗器件测试能力

技术参数：

宽量程： 最大器件端电压和电流 : 200V, 200mA

高精度： 最高 DC 电流精度 : 10pA、 系统噪声电流精度 : <10-27A2 /Hz

测试速度：典型 1/f 噪声测试速度可达 10 秒 /bias

抗阻范围：阻抗匹配范围 : 10Ω-10 MΩ Gate/Base

电阻多达 16 个选择

Drain/Collector 电阻多达 15 个选择

系统参数： 电压放大器：0.03-10MHz, 0.65nV/Hz(@5kHz)

电流放大器：0.03-1MHz, 0.7pA/ Hz(@5kHz)

宽带电流放大器：0.03-10MHz, 5pA/ √Hz (@5KHz)

高精度电流放大器：0.03-20KHz, 60fA/ √Hz (@5KHz)

可编程偏置滤波器 、ESD 保护

内置 16 位 DSA

支持多台并行测试

产品应用：

先进工艺质量/工艺评估和品质监控

低频噪声特性测试和噪声数据分析

半导体器件SPICE模型库开发

高端集成电路设计和验证

以上内容由西安安泰测试分享，如在选型/使用过程中有任何问题咨询安泰测试，安泰测试国内测量仪器综合服务商。https://www.agitek.cn/cp/1167.html

交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度，晶圆工艺的界面陷阱密度，掺杂浓度，掺杂分布以及载流子寿命等，通常使用交流C-V测试方式来评估新工艺，材料， 器件以及电路的质量和可靠性等。比如在MOS结构中， C-V测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底 掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电 荷面密度Qfc等参数。

C-V测试要求测试设备满足宽频率范围的需求，同时连线简单，系统易于搭建，并具备系统补偿功能，以补偿系统寄生电容引入的误差。

进行C-V测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般这类测量中使用的交流信号频率在10KHz到10MHz之间。所加载的 直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。

在CV特性测试方案中，同时集成了美国吉时利公司源表（SMU）和合作伙伴针对CV测试设计的专用精 密LCR分析仪。源表SMU可以输出正负电压，电压 输出分辨率高达500nV。同时配备的多款LCR表和 CT8001 直流偏置夹具，可以覆盖 100Hz~ 1MHz 频 率和正负200V电压范围内的测试范围。

方案特点：

★包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F （电容-频率）等多项测试测试功能，C-V测试可同时支持测试四条不同频率下的曲线

★测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和 曲线，节省时间

★提供外置直流偏压盒，偏压支持到正负200V， 频率范围 100Hz - 1MHz。

★支持使用吉时利24XX/26XX系列源表提供偏压

测试功能：

电压-电容扫描测试

频率-电容扫描测试

电容-时间扫描测试

MOS器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算

原始数据图形化显示和保存

MOS电容的 C-V 特性测试方案

系统结构：

系统主要由源表、LCR 表、探针台和上位机软件组成。 LCR 表支持的测量频率范围在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过偏置夹具盒 CT8001加载在待测件上。

LCR 表测试交流阻抗的方式是在 HCUR 端输出交流电 流，在 LCUR 端测试电流，同时在 HPOT 和 LPOT 端 测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量，可 以精确地得到两者之间的幅度和相位信息，继而可以推算出交流阻抗参数。

典型方案配置：

系统参数：

下表中参数以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表组成的 C-V测试系统为例：

安泰测试已为西安多所院校、企业和研究所提供吉时利源表现场演示，并获得客户的高度认可，安泰测试将和泰克吉时利厂家一起，为客户提供更优质的服务和全面的测试方案，为客户解忧。

运输包装用拉伸缠绕膜测试项目介绍及仪器介绍

缠绕膜又名拉伸膜,是一类新兴的工业用包装膜制品。它的特点是质轻软薄,具有很好的抗拉性能、延伸性能和自粘性能。其在运输包装的应用是一种提高包装效率，节约成本的包装方式。为了保证包装缠绕膜的生产质量，厂家都是需要按照一定的标准进行生产的。

本文依据中华人民共和国包装行业标准《BB/T 0024-2018 运输包装用拉伸缠绕膜》介绍关于拉伸缠绕膜性能的测试方法。

1、厚度

按照GB/T 6672的规定进行。沿长度方向裁取100mm的整幅试样，放置30min后测20个点，读数精确至0.001mm，取算数平均值。

2、拉断力和断裂伸长率

按照GB/T 1040.3规定采用Ⅱ型试样，宽度15mm。试验样品应在解卷1m后开始裁取，沿样品长度或宽度方向大约等间隔均匀裁取。试验时，西奥机电拉力试验机TST-01夹具距离50mm，标距50mm，试验速度250mm/min±25mm/min。纵、横向各一组，每组试样不少于5个，取算数平均值，精确到0.1N。

3、黏性

依据《BB/T 0024-2018 运输包装用拉伸缠绕膜》附录A。试验样品解卷1m后开始取样，试样分别以500mm×125mm（纵×横）、180mm×25mm（纵×横）两种为一组。将试样依据标准中规定的方式装夹成功后，以125mm/min±12.5mm/min的速度拉动夹具，直至两试样分离，记录分离过程中的Z大力值，读数精确至0.1N。

4、抗穿刺

依据《BB/T 0024-2018 运输包装用拉伸缠绕膜》附录C。将试样固定在标准规定的实验装置夹具中。启动仪器将刺针以250mm/min±12.5mm/min的速度进行实验，实验将在穿刺针完全穿过薄膜时停止。若薄膜在其他位置破裂时，则改试样作废。记录试样的破裂力（N）和破裂时的延伸量（mm）。

实验装置如下图

以上就是关于运输包装用拉伸缠绕膜相关测试项目的介绍，希望对您有所帮助。

济南西奥机电有限公司专业致力于实验室检测仪器研发、制造与销售。西奥不断研发与提升制造工艺与设计理念。产品凭借优良表现赢得了客户的广泛信赖并广泛服务于包装，食品，医药，塑料，纸制品，日化，质检机构，大专院校等领域。

   济南西奥机电有限公司始终以客户为ZX，坚持为客户提供性价比及稳定性的产品与服务，立志于为广大用户提供质量管控与研究设备。

（来源：苏州纽迈分析仪器股份有限公司）

半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的 双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。 直流I-V测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲线，来决定器 件的基本参数。微电子器件种类繁多，引脚数量和待 测参数各不相同，除此以外，新材料和新器件对测试 设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低 电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。

分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验，帮助工 程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工 艺流程结束后评估器件的优劣。

随着器件几何尺寸的减小，半导体器件特性测试对测 试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺 寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微 镜性能都提出了更高的要求。

半导体分立器件I-V特性测试方案，泰克公司与合作 伙伴使用泰克吉时利公司开发的高精度源测量单元 （SMU）为核心测试设备，配备使用简便灵活，功能 丰富的CycleStar测试软件，及稳定的探针台，为客户提供了可靠易用的解决方案，极大的提高了用户 的工作效率。

吉时利方案特点：

丰富的内置元器件库，可以根据测试要求选择所需要的待测件类型；

测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和曲线，节省了大量的时间；

稳定的探针台，针座分辨率可高达0.7um，显微镜放大倍数高达x195倍；

可支持同时操作两台吉时利源表，可以完成三端口器件测试。

测试功能：

二极管特性的测量与分析

极型晶体管BJT特性的测量与分析

MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析

MOS 器件的参数提取

系统结构：

系统主要由一台或两台源精密源测量单元（SMU）、 夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET 器件为例，共需要以下设备：

1、两台吉时利 2450 精密源测量单元

2、四根三同轴电缆

3、夹具或带有三同轴接口的探针台

4、三同轴T型头

5、上位机软件与源测量单元（SMU）的连接方式如下图所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一个接口进行连接。

系统连接示意图：

典型方案配置：

西安某高校现场演示图

安泰测试已为西安多所院校、企业和研究所提供吉时利源表现场演示，并获得客户的高度认可，安泰测试将和泰克吉时利厂家一起，为客户提供更优质的服务和全面的测试方案，为客户解忧。