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型号 KT-0904T-RL 加热制冷 KT-0904T 不带加热制冷 KT-0904T-R 加热 类型 加热型 400℃ 加热制冷型室温到-190℃-350℃ 低温型：室温到-190℃ 腔体材质 304 不锈钢 腔体内尺寸 φ90x40mm 腔体上视窗尺寸 Φ42mm（选配凹视窗Φ22mm） 腔体抽气口 KF16 腔体进气口 公制 3mm 6mm 气管接头 英制 1/8mm 1/4mm 气管接头可选 腔体出气口 公制 3mm 6mm 气管接头 英制 1/8mm 1/4mm 气管接头可选 腔体正压 ≤0.05MPa 腔体真空度 机械泵≤5Pa （5 分钟） 分子泵≤5E-3Pa（30 分钟） 样品台 样品台材质 304 不锈钢 样品台尺寸 26X26mm 样品台-视窗 距离 30mm（可选凹视窗间距 15mm） 样品台测温传感器 A 级 PT100 铂电阻 样品台温度 室温到 350℃（可选高低温样品台 高温 350℃低温-190℃） 样品台测温误差 ±0.2℃ 样品台变温速率 高温 10℃/min 低温 5℃/min 温控仪

湖北半导体探针台捐赠，疫情当下，ZG经济发展将受到短暂的影响。仪准科技心系国家，将爱传递，特向受影响Z大的湖北省援助价值百万的探针台。  

援助方案分两部分，总价值超过100万人民币。

1、免费捐赠探针台产品（5台）

  A、 ADVANCED PW-400-PCKG   3套         

每套配置如下：

  B、ADVANCED MPW-600-PCKG   2套        

每套配置如下：

2、特价支持探针台产品（9台）。    

服务保障：所有探针台产品都免费安装，保固一年；

发货时间：所有探针台产品5月初统一安排出货事宜；

项目对接人：赵工13488683602；微信a3608433128

申请对象要求：        

  湖北省境内从事半导体芯片研究、生产的企业和高校（申请单位和安装地需同地）。

由于数量有限，申请对象的优先顺序：

（1）芯片产业：

diyi优先级：芯片设计公司；

第二优先级：芯片生产制造公司（封装和晶圆代工）；

第三优先级：系统厂商；

（2）科研教育：

diyi优先级：大中专院校

第二优先级：本科院校

第三优先级：ZD院校

申请时间：即日起至2020年4月28日

Z终结果公示时间：2020年4月30日（按照优先原则和申请时间来确定免费赠与名单并公示）

激光探针台使用及测试内容？

探针台大家不陌生了，是我们半导体实验室电性能测试的常用设备，也是各大实验室的熟客。优点太多了，成本低，用途广，操作方便，对环境要求也不高，即使没有超净间，普通的坏境也可以配置，测试结果稳定，客观。深受工程师们的青睐。

探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。手动探针台的主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，探针台可吸附多种规格芯片，并提供多个可调测试针以及探针座，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。适用于对芯片进行科研分析，抽查测试等用途。

最近北软实验室探针台再升级，趁机为大家总结一下探针台的用途，若您还有新发现，欢迎留言交流。

激光探针台服务内容：

1、激光打标；

2、表层修复线路（利用激光将两层金属线熔融连接）；

3、驱除短路点；

4、激光断线；

5、干扰芯片测试；

除了以上几项之外激光探针台兼备常规探针台功能：

1.微小连接点信号引出  

2.失效分析失效确认

3.FIB电路修改后电学特性确认

4.晶圆可靠性验证

一：手动探针台用途：

手动探针台应用领域：

Failure analysis  集成电路失效分析                   

Wafer level  reliability晶元可靠性认证

Device characterization 元器件特性量测               

Process modeling塑性过程测试(材料特性分析)

IC Process  monitoring  制成监控                     

Package part probing  IC封装阶段打线品质测试

Flat panel probing 液晶面板的特性测试                

PC board probing  PC主板的电性测试

ESD&TDR testing    ESD和TDR测试                      

Microwave  probing  微波量测(高频)

Solar太阳能领域检测分析                              

LED、OLED、LCD领域检测分析

二：手动探针台的使用方式：

1.将样品载入真空卡盘，开启真空阀门控制开关，使样品安全且牢固地吸附在卡盘上。

2.使用卡盘X轴/Y轴控制旋钮移动卡盘平台，在显微镜低倍物镜聚焦下看清楚样品。

3.使用卡盘X轴/Y轴控制旋钮移动卡盘平台将样品待测试点移动至显微镜下。

4.显微镜切换为高倍率物镜，在大倍率下找到待测点，再微调显微镜聚焦和样品x-y，将影像调节清晰,带测点在显微镜视场ZX。

5.待测点位置确认好后,再调节探针座的位置,将探针装上后可眼观先将探针移到接近待测点的位置旁边,再使用探针座X-Y-Z三个微调旋钮,慢慢的将探针移至被测点,此时动作要小心且缓慢，以防动作过大误伤芯片，当探针针尖悬空于被测点上空时，可先用Y轴旋钮将探针退后少许，再使用Z轴旋钮进行下针，ZH则使用X轴旋钮左右滑动，观察是否有少许划痕，证明是否已经接触。

6.确保针尖和被测点接触良好后，则可以通过连接的测试设备开始测试。常见故障的排除当您使用本仪器时，可能会碰到一些问题，下表列举了常见的故障及解决方法。手动探针台技术参数。

塞贝克系数（Seebeck Coefficient）也称为热电偶效应或Seebeck效应，是指两种不同导体（或半导体）材料在一定温差下产生热电动势的现象。塞贝克系数是研究热电材料（将热能转化为电能的材料）非常重要的一个参数，它用来衡量材料在一定温差下产生的热电压。

塞贝克系数的测量方法有很多种，其中一种常用的方法是恒流法。首先准备一个热电偶，它由两种不同材料的导线组成。然后将热电偶的其中一个节点保持在恒定的高温T1，而另一个节点保持在低温T2（不同于T1），使热电偶产生热电动势（热电压）。通过测量恒流状态下的电压值V以及温差ΔT，可以计算出塞贝克系数：

S = V / ΔT。

另外，还有一些其他的测量方法如闭环法、开路法等，各种方法都有其优缺点，具体选择哪种方法取决于实际的测试环境和需求。

解释塞贝克系数测量原理。

塞贝克系数（也称为Seebeck系数）是一个描述一个材料热电效应特性的参数，具体地说，它表示了一个材料中的电流与横向温差将产生的电压之间的关系。测量塞贝克系数的原理主要基于Seebeck效应。Seebeck效应是指在一种导体材料中，当两个不同导体之间有一个温差时，将产生一个电压。

测量塞贝克系数的实验装置通常包括以下部分：

1. 绝热材料底座：确保测试样品的温度稳定。

2. 样品夹持器：保持测试样品的固定。

3. 加热器：用于在样品的一端创建温差，从而在样品中产生Seebeck电压。

4. 冷却器：在样品的另一端保持较低的温度。

5. 热电偶：用于测量样品两端的温差。

6. 电压测量仪器：用于测量生成的Seebeck电压。

   在测量过程中，首先将测试样品固定在夹持器中，然后通过在样品的一端加热和在另一端冷却来创建稳定的温差。Seebeck电压将在样品两端形成，然后可以使用电压测量仪器将其测量出来。计算塞贝克系数所需的公式是：

Seebeck系数 = (产生的电压) / (热电偶测量的温差)

通过测量此特定温差下生成的Seebeck电压，我们可以计算出材料的塞贝克系数。

手动探针台用途：

探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。手动探针台的主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，探针台可吸附多种规格芯片，并提供多个可调测试针以及探针座，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。适用于对芯片进行科研分析，抽查测试等用途。

手动探针台应用领域：

Failure analysis  集成电路失效分析                   

Wafer level  reliability晶元可靠性认证

Device characterization 元器件特性量测               

Process modeling塑性过程测试(材料特性分析)

IC Process  monitoring  制成监控                     

Package part probing  IC封装阶段打线品质测试

Flat panel probing 液晶面板的特性测试                

PC board probing  PC主板的电性测试

ESD&TDR testing    ESD和TDR测试                      

Microwave  probing  微波量测(高频)

Solar太阳能领域检测分析                              

LED、OLED、LCD领域检测分析

探针台应用

2020年比较艰难的开始了，好事多磨，相信经历过新型冠状病毒的洗礼后，我国的经济会有爆发式的增长。开年伊始就收到很多朋友对手动探针台使用问题的咨询，在此收集整理供手动探针台相关信息供大家参考。因经验有限，有说的不合适的地方，望大家指正。
一：手动探针台用途：
探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。
手动探针台的主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，探针台可吸附多种规格芯片，并提供多个可调测试针以及探针座，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。适用于对芯片进行科研分析，抽查测试等用途。
手动探针台应用领域：
Failure analysis  集成电路失效分析                   
Wafer leve reliability晶元可靠性认证
Device characterization 元器件特性量测               
Process modeling塑性过程测试(材料特性分析)
IC Process  monitoring  制成监控                     
Package part probing  IC封装阶段打线品质测试
Flat paneprobing 液晶面板的特性测试                
PC board probing  PC主板的电性测试
ESD&TDR testing    ESD和TDR测试                      
Microwave  probing  微波量测(高频)
Solar太阳能领域检测分析                              
LED、OLED、LCD领域检测分析

二：手动探针台的使用方式：
1.将样品载入真空卡盘，开启真空阀门控制开关，使样品安全且牢固地吸附在卡盘上。
2.使用卡盘X轴/Y轴控制旋钮移动卡盘平台，在显微镜低倍物镜聚焦下看清楚样品。
3.使用卡盘X轴/Y轴控制旋钮移动卡盘平台将样品待测试点移动至显微镜下。
4.显微镜切换为高倍率物镜，在大倍率下找到待测点，再微调显微镜聚焦和样品x-y，将影像调节清晰,带测点在显微镜视场ZX。
5.待测点位置确认好后,再调节探针座的位置,将探针装上后可眼观先将探针移到接近待测点的位置旁边,再使用探针座X-Y-Z三个微调旋钮,慢慢的将探针移至被测点,此时动作要小心且缓慢，以防动作过大误伤芯片，当探针针尖悬空于被测点上空时，可先用Y轴旋钮将探针退后少许，再使用Z轴旋钮进行下针，Z后则使用X轴旋钮左右滑动，观察是否有少许划痕，证明是否已经接触。
6.确保针尖和被测点接触良好后，则可以通过连接的测试设备开始测试。常见故障的排除
当您使用本仪器时，可能会碰到一些问题，下表列举了常见的故障及解决方法。
手动探针台技术参数。

三：手动探针台规格描述 
（以实验室常见的仪准ADVANCED八寸，六寸探针台为例） 

仪准科技致力于失效分析设备研发及测试服务：优势设备有手动探针台probe，激光开封机laser decap，IV自动曲线量测仪，微光显微镜EMMI,红外显微镜 

探针台载物台平整度：5μm
探针台右侧标配显微镜升降机构，可抬高显微镜，便于更换镜头和换待测物
探针台左侧标配升降器,可快速升降台面8mm，并具备锁定功能
探针台右下方标配精调旋转轮，可微调控制台面升降范围25mm（客户有特殊需求，可以增大范围），精度1μm
6英寸或者8英寸载物盘可选，卡盘平整度：5μm，采用真空吸附方式，ZX孔径250μm-1mm定制
卡盘可0-360度旋转，旋转角度可微调，微调精度为0.1度，标配角度锁定旋钮
大螺母可控制载物盘X-Y方向的移动，移动范围为150mm or 200mm，移动精度为1μm
载物台具备快速导入导出功能，便于上下料
载物台up/down功能（选项）
可搭配金相高倍显微镜和体式显微镜，显微镜X-Y-Z移动范围2.5英寸，移动精度1um
可搭配4~8颗探针座，进行DC或者高频测试
可选附件
射频测试探头及电缆                                   

有源探头

低电流/电容测试

高压模块

激光修复

高清数字相机

探针卡/封装/PCB板夹具

Hot Chuck

防震桌

屏蔽箱

兼容测试仪器

各种型号示波器                                     
各种品牌型号的源表
安捷伦B1500、安捷伦4155、安捷伦4156                              
Keithley 4200
各品牌的网络分析仪                               

机台总述
重量：50kg（含显微镜）
尺寸：720mm宽*680mm长*80mm高（含显微镜）
动力需求：电源220V/1；4~6KG压缩空气

叉指微电极因其微小的电极间距结构，可用于各种小型化传感器。对于传统分析检测，包括色谱法、光谱法、质谱等方法，大多都需要昂贵的仪器和多种操作步骤，使得许多实际问题仍面临困难。开发高灵敏度、低成本、小型化的传感器尤为重要。本文综述了叉指微电极的研究进展，介绍了基于叉指微电极的传感器在各领域的广泛应用。

 小型真空探针台郑科探 KT-Z4019MRL4T是一款性高价比配置的真空高低温探针台。

高温400℃ 低-196℃ 测试噪声小于5E-13A 可扩展上下双透视窗口用于光电测试 可扩展凹视镜。公司致力于各类探针台，（包括手动与自动探针台、双面探针台、真空探针台、）、显微镜成像、光电一体化的技术研发，拥有国内专业的技术研发团队，在探针台电学量测方面拥有近十年的经验团队。

微电容单通道叉指电极探针台

微电容单通道叉指电极探针台KT-Z4019MRL4T

半导体业务中的典型供应链， 显示了需要材料表征、材料选择、质量控制、工艺优化和失效分析的不同工艺步骤

热分析在半导体封装行业中有不同的应用。使用的封装材料通常是环氧基化合物（环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等）。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。固化和流变特性对于确保所生产组件工艺和质量保持一致具有重要意义。

通常，工程师将面临以下问题：

特定化合物的工艺窗口是什么？

如何控制这个过程？

优化的固化条件是什么？

如何缩短循环时间？

珀金埃尔默热分析仪的广泛应用可以提供工程师正在寻找的答案。

差示扫描量热法(DSC)

此项技术Z适合分析环氧树脂的热性能，如图1所示。测量提供了关于玻璃化转变温度(Tg)、固化反应的起始温度、固化热量和工艺Z终温度的信息。

图 1. DSC曲线显示环氧化合物的固化特征

DSC可用于显示玻璃化转变温度，因为它在给定温度下随固化时间（图2）的变化而变化。

图 2. DSC 曲线显示玻璃化转变温度

随着固化时间的延长而逐渐增加

玻璃化转变温度(Tg)是衡量环氧化合物交联密度的良好指标。事实上，过程工程师可以通过绘制玻璃化转变温度与不同固化温度下固化时间的关系图来确定Z适合特定环氧化合物的工艺窗口（图3）。

图 3. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系

如果工艺工程师没有测试这些数据，则生产过程通常会导致产品质量低下，如图4所示。

图 4. 玻璃化转变温度与不同固化温度下的固化时间的关系

在本例中，制造银芯片粘接环氧树脂使用的固化条件处于玻璃化转变温度与时间的关系曲线的上升部分（初始固化过程）。在上述条件下，只要固化时间或固化温度略有改变，就有可能导致结果发生巨大变化。

结果就是组件在引脚框架和半导体芯片之间容易发生分层故障。通过使用功率补偿DSC（例如珀金埃尔默的双炉DSC），生成上述玻璃化转变温度与温度 / 时间关系曲线，可确定Z佳工艺条件。使用此法，即使是高度填充银芯片粘接环氧树脂的玻璃化转变也可以被检测出。这些数据为优化制造工艺提供了极有帮助的信息。

使用DSC技术，可以将固化温度和时间转换至160° C和2.5小时，以此达到优化该环氧树脂固化条件的目的。这一变化使过程稳定并获得一致的玻璃化转变温度值。在珀金埃尔默，DSC不仅被用于优化工艺，而且还通过监测固化产物的玻璃化转变温度值，发挥质量控制工具的作用。

DSC 8000 差示扫描量热仪

DSC 还可以用于确定焊料合金的熔点。用DSC分析含有3%（重量比）铜(Cu)、银(Ag)或铋(Bi)的锡合金。图5中显示的结果表明，不同成分的合金具有非常不同的熔点。含银合金在相同浓度（3%（重量比））下熔点Z低。

图 5. DSC：不同焊接合金在不同湿度环境下的熔点分析

热重分析(TGA)

珀金埃尔默热分析仪有助于设计工程师加深对材料选择的理解。例如，珀金埃尔默TGA 8000®（图6）可以检测出非常小的重量变化，并可用于测量重要的材料参数，如脱气性能和热稳定性。这将间接影响组件的可焊性。图7显示了在230°C 和260° C下具有不同脱气性能的两种环氧树脂封装材料。重量损失（脱气）程度越高，表明与引脚框架接触的环氧树脂密封剂的环氧—引脚框架分离概率越高。

图 6. 珀金埃尔默TGA 8000

图 7. TGA结果显示两种材料具有不同的脱气性能

热机械分析(TMA)

当材料经受温度变化时，TMA可精确测量材料的尺寸变化。对于固化环氧树脂体系，TMA可以输出热膨胀系数(CTE)和玻璃化转变温度。环氧树脂的热膨胀系数是非常重要的参数，因为细金线嵌入环氧化合物中，并且当电子元件经受反复的温度循环时，高热膨胀系数可能导致电线过早断裂。不同热膨胀系数之间的拐点可以定义为玻璃化转变温度（图8）。TMA还可以用于确定塑料部件的软化点和焊料的熔点。

图 8. 显 TMA 4000 测试的典型的 TMA 图

动态力学分析(DMA)

选择材料时，内部封装应力也是关键信息。将DMA与 TMA技术结合，可以获得关于散装材料内应力的定量信息。DMA测量材料的粘弹性，并提供不同温度下材料的模量，具体如图9所示。当材料经历热转变时，模量发生变化，使分析人员能够轻松指出热转变，如玻璃化转变温度、结晶或熔化。

图 9. DMA 8000 测试的典型的 DMA 图

热分析仪用于ASTM® 和IPC材料标准试验、质量控制和材料开发。图10显示了一个涉及热分析仪的IPC试验。珀金埃尔默DMA目前已在半导体行业得到广泛应用。

图 10. DMA：显示透明模塑化合物的内应力

热分析仪是半导体封装行业的重要工具。它们不仅在设计和开发阶段发挥了重要作用，而且还可用于进行故障分析和质量控制。许多标准方法都对热分析的使用进行了描述（图11）。使用珀金埃尔默热分析仪，用户可以优化加工条件并选择合适的材料以满足性能要求，从而确保半导体企业能够生产出高品质的产品。考虑到此类分析可以节省大量成本，热分析仪无疑是一项“必备”试验设备！

图 11. 用于标准方法的热分析仪

CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。

现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了；减少成本。

CP对整片Wafer的每个Die来测试

而FT则对封装好的Chip来测试。

CP  Pass 才会去封装。然后FT，确保封装后也Pass。

WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定；

CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（if need），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高；

FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CP passed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；

Pass FP还不够，还需要做process qual 和product qual

CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。

CP是对wafer进行测试，检查fab厂制造的工艺水平

FT是对package进行测试，检查封装厂制造的工艺水平

对于测试项来说，有些测试项在CP时会进行测试，在FT时就不用再次进行测试了，节省了FT测试时间；但是有些测试项必须在FT时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）

一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了）。

在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis，写程序很麻烦。

CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，另一个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。Z简单的一个例子，碰到大电流测试项CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提GX率），所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。

应该说WAT的测试项和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）测的！

而CP的项目是从属于FT的（也就是说CP测的只会比FT少），项目完全一样的；不同的是卡的SPEC而已；因为封装都会导致参数漂移，所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保Z终成品FT良率。还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die，在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款，这是解决相似电路节省光刻版的较佳方案；所以除非你公司的wafer封装成device是唯（）一的，且WAT良率在99%左右，才会盲封的。

据我所知盲封的DH很少很少，风险实在太大，不容易受控。

WAT：wafer level 的管芯或结构测试

CP：wafer level 的电路测试含功能

FT：device level 的电路测试含功能

CP=chip probing

FT=Final Test

CP 一般是在测试晶圆，封装之前看，封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球，probing后就没有FT

FT是在封装之后，也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。

CP用prober，probe card。FT是handler，socket

CP比较常见的是room temperature=25度，FT可能一般就是75或90度

CP没有QA buy-off（质量认证、验收），FT有

CP两方面

1. 监控工艺，所以呢，觉得probe实际属于FAB范畴

2. 控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修复，Z有利于控制成本

FT:

终测通常是测试项Z多的测试了，有些客户还要求3温测试，成本也Z大。

至于测试项呢，

1. 如果测试时间很长，CP和FT又都可以测，像trim项，加在probe能显著降低时间成本，当然也要看客户要求。

2. 关于大电流测试呢，FT多些，但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet，一个PAD上十多个needle。

3. 有些PAD会封装到device内部，在FT是看不到的，所以有些测试项只能在CP直接测，像功率管的GATE端漏电流测试Igss

CP测试主要是挑坏die，修补die，然后保证die在基本的spec内，function well。

FT测试主要是package完成后，保证die在严格的spec内能够function。

CP的难点在于，如何在Z短的时间内挑出坏die，修补die。

FT的难点在于，如何在Z短的时间内，保证出厂的Unit能够完成全部的Function。