化学气相沉积过程和应用
化学气相沉积为一种化工技术，在衬底表面上含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质进行化学反应使得薄膜生成为该技术的主要方法。近几十年化学气相淀积这种对无机材料进行制备的新技术发展了起来。化学气相淀积法已经在各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料的淀积，新晶体的研制以及物质的提纯方便得到了非常广泛地应用。这些材料既能够是碳化物、氮化物、硫化物、氧化物也能够为III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，并且能够利用气相掺杂的淀积过程来对它们的物理功能进行精确地控制。化学气相淀积已经变成无机合成化学的一个新领域。
化学气相沉积过程
化学气相沉积过程包括向基体表面扩散反应气体、在基体表面吸附反应气体以及化学反应在基体表面上发生使得固态沉积物形成与在基体表面脱离产生的气相副产物。热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等为zui为常见的化学气相沉积反应。一般对TiC或TiN进行沉积，是将TiCl4，H2，CH4等气体通入850-1100摄氏度，发生化学反应，使覆层在基体表面形成。
化学气相沉积应用
多晶/非晶材料膜通过化学气相沉积技术生产
在半导体工业中，化学气相沉积法的应用非常的广泛。例如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代，新型非晶态材料在微型电子学元器件中得到越来越多的使用。磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等均属于此种材料。除此以外，通过化学气相沉积法来对如氧化铜-五氧化二磷、氧化铜-五氧化二钒-五氧化二磷以及五氧化二钒-五氧化二磷等一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料也能够进行生产。
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