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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 400
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH 400
- 产地:美国
- 供应商报价: 面议
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伯东企业(上海)有限公司
更新时间:2024-07-17 15:03:36
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企业性质授权代理商
入驻年限第10年
营业执照已审核
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因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 400 特性
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最/大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
• 等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号
eH 400 / eH 400 LEHO
供电
DC magnetic confinement
- 电压
40-300 V VDC
- 离子源直径
~ 4 cm
- 阳极结构
模块化
电源控制
eHx-3005
配置
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- 阴极中和器
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度
> 45° (hwhm)
- 阳极
标准或 Grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移动或快接法兰
- 高度
3.0'
- 直径
3.7'
- 加工材料
金属
电介质
半导体- 工艺气体
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离
6-30”
- 自动控制
控制4种气体
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洁 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专/利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
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- 产品优势
- 上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5安培
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 400 特性:
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, Z大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制
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