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IGBT击穿电压测试高压源
- 品牌：普赛斯仪表
- 型号： E200
- 产地：湖北 武汉
- 供应商报价：￥1000
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武汉普赛斯仪表有限公司
更新时间：2024-09-14 08:47:12 -
销售范围售全国
入驻年限第5年
营业执照已审核
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产品特点
- IGBT击穿电压测试高压源10ms级的上升沿和下降沿；单台Z大3500V的输出；同步电流测量；
详细介绍
IGBT击穿电压测试高压源简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
技术指标
电压性能参数：
电压
源
测量
量程
分辨率
准确度±(% rdg.+volts)
分辨率
准确度±(% rdg.+volts)
100V
10mV
0.1%±40mV
10mV
0.1%±40mV
600V
60mV
0.1%±100mV
60mV
0.1%±100mV
1200V
120mV
0.1%±300mV
120mV
0.1%±300mV
1500V
150mV
0.1%±400mV
150mV
0.1%±400mV
2200V
220mV
0.1%±700mV
200mV
0.1%±700mV
3500V
350mV
0.1%±900mV
350mV
0.1%±900mV
电流性能参数：
电流
源
测量
量程
分辨率
准确度±(% rdg.+volts)
分辨率
准确度±(% rdg.+volts)
1uA
100pA
0.1%±1nA
100pA
0.1%±1nA
10uA
1nA
0.1%±5nA
1nA
0.1%±5nA
100uA
10nA
0.1%±50nA
10nA
0.1%±50nA
1mA
100nA
0.1%±300nA
100nA
0.1%±300nA
10mA
1uA
0.1%±5uA
1uA
0.1%±5uA
100mA
10uA
0.1%±10uA
10uA
0.1%±10uA
Z大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间：< 5ms；
输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴），支持四线测量；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停；
触发：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸2U机箱；
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
IGBT击穿电压测试高压源订货信息
型号
E100
E200
E300
源精度
0.1%
0.1%
0.1%
测量精度
0.1%
0.1%
0.1%
Z大功率
120W
220W
350W
最小电压量程
100V
100V
100V
Z大电压量程
1200V
2200V
3500V
最小电流量程
1uA
1uA
1uA
Z大电流量程
100mA
100mA
100mA
沪公网安备 31011502008050号