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功率半导体器件CV测试系统
- 品牌:普赛斯仪表
- 型号: 普赛斯仪表
- 产地:湖北 武汉
- 供应商报价:¥1000
- 武汉普赛斯仪表有限公司 更新时间:2024-09-14 08:47:12
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销售范围售全国
入驻年限第5年
营业执照已审核
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产品特点
- 普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
详细介绍
功率半导体器件CV测试系统概述
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数,尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线(简称C-V特性),C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。
系统方案
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
进行 C-V 测量时,通常在电容两端施加直流偏压,同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描,扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流,从而计算出不同电压下的电容值。
系统优势
频率范围宽:频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调;
高精度、大动态范围:提供0V~3500V偏压范围,精度0.1%;
内置CV测试:内置自动化CV测试软件,包含C-V(电容- 电压),C-T(电容- 时间),C-F(电容 - 频率)等多项测试测试功能;
兼容IV测试:同时支持击穿特性以及漏电流特性测试;
实时曲线绘制:软件界面直观展示项目测试数据及曲线,便于监控;
扩展性强:系统采用模块化设计,可根据需求灵活搭配;
功率半导体器件CV测试系统基本参数
LCR
测试频率
10Hz-1MHz
频率输出精确度
±0.01%
基本准确度
±0.05%
AC测试信号准位
10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度)
DC测试信号准位
10mV至2V (1m Vrms 解析度)
輸出阻抗
100Ω
量测范围
|Z|, R, X
0.001mΩ–99.999MΩ
|Y|, G, B
0.1nS–99.999S
Cs、Cp
0.01pF – 9.9999F
Ls Lp
0.1nH–9.999kH
D
0.00001-9.9999
Q
0.1-9999.9
DCR
0.001mΩ–9.999MΩ
Δ%
-9999%-999%
θ
-180° -+180°
SMU
VGS范围
0 - ±30V(选配)
IGSS/IGES
≥10pA(选配)
VDS范围
0 - ±300V
0 - ±1200V
0 - ±2200V
0 - ±3500V
IDSS/ICES
≥10pA
≥1nA
源测精度
0.03%
0.1%
功能
测试方式
点测、图形扫描
测试参数
DIODE:CJ、IR、VR
MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS
IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES
接口
RS232、LAN
编程协议
SCPI、LabView
软件界面及功能
CV测试界面
CV曲线图
典型配置
源表
VGS/VGE
选配,S100/P100
VDS/VCE
标配S300,可选P300/E100/E200/E300
LCR表
标配10Hz~1MHz频率,可选5MHz/10MHz
矩阵开关
上位机软件
其他
三同轴电缆、LAN线