产品参数：

薄膜生长方法：MOCVDdeposition

基底参数：N型掺S,InP:S[100]±0.5°,Nc=~5E18/cc

薄膜InP：1um厚；N型掺Si；Nc=~5E15/cc

薄膜In0.53Ga0.47As：3.0±0.5μm厚；N型不掺杂,Nc=1E15-1E16/cc

薄膜InP(top)：1umthickInPfilm,N型掺Si,Nc=1E15-1E16/cc

常规尺寸：

dia3”x650±25um

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装