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化学机械抛光(CMP)广泛应用于半导体工业中，用于沉积绝缘体和金属层后的晶圆表面的平面化。在抛光过程中，晶圆片被压在抛光表面，称为抛光垫。晶圆片和衬垫相互独立旋转(见图1)。CMP 浆液被分配到衬垫上并在其上形成一层薄薄的膜。施加在浆料颗粒上的压力和相对速度所产生的机械效应和水和化学试剂所产生的化学效应的结合，导致硅片表面的物质被去除。