卓立汉光可提供多种不同种类芯片的高性能制冷型CCD 和InGaAs PDA，适用于广阔的光谱测量应用领域，给用户提供*为多样的产品选择性。

卓立汉光提供多种低噪声、高增益的放大器配合单通道探测器使用，主要用途是将光电探测器（例如：硅、锗、铟镓砷等固 体探测器，真空光电二极管，光电倍增管等）的输出信号经过转换、放大处理后输入至其他测试或测...

液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22μm

锑化铟(InSb)—液氮制冷型红外探测器，使用范围：1-5.5μm

常温及TE制冷型近红外探测器，使用范围：1-3.8μm

常温近红外探测器，使用范围：0.8-3.2μm

常温及TE制冷型近红外探测器，使用范围：0.8-2.6μm

TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计，其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。

使用范围：200-1100nm，两种型号的探测器室的外观相同，其中：DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器，DSi300型内装进口蓝光增强型硅光电探测器。

TEHVPMT制冷型光电倍增管可用于微弱光信号测量，如荧光测量、材料的透射、反射、吸收特性，辐射源的光谱特性等仪器设备中，广泛应用于材料分析、环保、YL、化工、冶金、遥感等生产、科研和教学领域。

光电倍增管(PMT)——常温型光电倍增管，使用范围：200nm-900nm(1010nm，1200nm)

RED-Wave 红外InGaAs 光纤光谱仪，光谱范围900-2300nm，TEC制冷到-10°C，信噪比可以做到4000：1。积分时间1ms到30s。该红外InGaAs 光纤光谱仪的*高分辩率可以...

DWARF-Star是StellarNet公司设计的近红外光纤光谱仪，体积小，结构稳固，配有高精度的InGaAs探测器，光场覆盖900-1700nm，光谱分辨率达到1.25nm，适用于OEM客户。

Green-Wave 经济型光纤光谱仪，小型尺寸设计，工业应用和实验室教学的品质选择，低成本，光谱范围350-1150nm，分辨率*高达0.2nm。USB接口供电，14bit的AD转换速度。

凹面光栅式设计，内部无过多的光学元器件，很大程度上降低杂散光（0.02% at 435 nm; 0.2% at 200 nm）。波长范围190-900nm，适用于荧光和低杂散光实验要求。

标准化SMA905光纤接口和USB2.0接口支持16bit的AD转换。更大程度地抗震设计，适用野外操作。