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高精密研磨抛光技术在同类抛光技术中的优势有哪些?

htct328t3 2014-11-12 09:48:35 599  浏览
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  • 水瓶xiepu 2014-11-13 00:00:00
    超精密的研磨抛光技术在同类加工技术中的优势   深圳海德是专业生产研磨抛光机的厂家,作为行业是比较ZS企业,今天海德在这里与大家分享一下超精密的研磨抛光技术在同类加工技术中的优势?其它技术能不能取代超精密的研磨抛光技术? 在国内一些的厂家应用不同的技术加工精密金属镜面的效果就可以看出,超精密的研磨抛光技术要比其他的加工技术要有很大的优势。   不难发现这种具有超精密的研磨抛光技术的研磨抛光机,相比其他的加工技术有着很大的优势,其优势主要是在于,这种工艺技术采用国内lingxian的技术,特别是针对蓝宝石衬底的抛光,有着很大的优势。   高精密平面研磨抛光机是一种精密抛光设备,其工件与研磨机之间做着相对的运转摩擦,而达到的研磨抛光的目的。   研磨抛光机针对多种材料进行抛光蓝宝石衬底的抛光,硅片、模具以及导光板等等各种材质,根据各种材质其设置的具体的参数的不同而有所差异。   蓝宝石衬底抛光机其根据蓝宝石的硬度较高,而容易破碎的原理来进行参数的设置,就需要保证压力适度,研磨的转速不可以过高,保证无划痕、不破边等特点,其主要的优势还在于采用PLC程控系统,触摸屏操作的面板,其所使用的转速和定时都是可以直接的在其上面操作的。 由此可以看出超精密的研磨抛光技术是其它技术无法取代的,超精密研磨抛光的前景是不可估量的,海德就是专业生产高精密平面研磨抛光机的厂家。海德欢迎广大客户前来试样!

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磁共振技术有哪些优势?

一、磁共振技术

磁共振是一种快速无损的检测技术,它具有测试速度快、灵敏度高、无损、绿色等优点,已经广泛应用于食品品质分析、种子育种、石油勘探、生命科学和橡胶交联密度等领域。

二、磁共振技术基本原理

磁共振技术主要检测为H质子,也可以用于F信号测试。含H样品经过特定频率的射频激励后,产生核磁共振信号。H核磁共振信号对应有T1、T2两个主要参数,通过测试T1、T2弛豫时间并进行建模,可用于食品、农业、石油勘探、聚合物、固体脂肪含量…多方面研究。已有多种方法形成国际标准和行业标准方法。

 

三、磁共振技术的应用研究

1). 低场核磁在食品农业领域的应用:

 1、含油率含水率检测

 2、水结合状态分析

   3、水油体系中水分/油脂分布

 4、食品的品质评价、过程监控、工艺优化等

 5、质子密度、T2加权、T1加权成像

 6、水/油脂空间分布分析

2). 低场核磁在材料行业的应用:

 1、制陶术:湿式制程、加工工艺改善, 分散性的质控和研发

 2、纳米科技:纳米粒子表面的化学状态, 如: 吸附和脱附作用, 比表面积的变化 等

 3、电子材料:浓稠状浆料和研磨液 (CMP) 的开发及品管

 4、墨水:碳黑、颜料分散, 最适研磨条件, 表面亲和性及化学和物理状态

 5、能源:电池, 太阳能板等的碳黑, 纳米碳管和浆料的分散, 粒子表面的化学和物理状态

 6、制药:API湿润性、亲和性及吸水性的差异

 7、其他: 全部的浓稠分散悬浊液体, 纳米纤维, 纳米碳等

3). 低场核磁在能源岩土行业的应用:

   1、储层物性分析

    2、非常规能源

    3、油气藏开发评价

4). 低场核磁共振在生命科学行业的应用

 1、造影剂弛豫性能(体外或动物体内)评价;

 2、药物对肿瘤的作用评价;

 3、肿瘤病灶排查;

 4、纳米颗粒/离子/微生物含量快速测定分析;

 5、小动物脂肪分布测量

 

 

分散剂对于石墨烯比表面积的影响

 

四、磁共振技术的优势

1、具有非破坏、无侵入检测的显著特性,对于成分复 杂的样品可以在不影响食物敏感源条件下进行相关研究;

2、对任何多质子的原料具有高敏感性;

3、台式磁共振成像分析技术可以提供较多的信息,比如质子密度、质子分布与弛豫特性,而这些特性与样品中水分、油脂含量、内部结构、玻璃态转变温度以及温度变化都具有很大相关性;

4、低场核磁弛豫技术能够定量测定质子的活性;

5、磁共振技术以H质子为探针,能够定量测定多种物质,例如水、油脂和其他多质子的化学物质;

6、磁共振成像能够构建物质的空间结构图并能体现物质的质子活性,因此对于物质的结构学、物质结构的变化的研究有很大意义。


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全自动固相萃取仪的技术特点和优势有哪些

全自动固相萃取仪是一套由液体处理平台衍生开发出的能够在无人值守情况下自动化运行固相萃取方法的固相萃取仪。包括固相萃取的活化、上样、清洗、洗脱步骤,以及样品的切换。现有的技术分为单通道固相萃取仪和多通道固相萃取仪。

萃取.jpg

全自动固相萃取仪仪器特点:

1、仪器采用正压结构,具有的重复性与回收率;

2、仪器采用多通阀选择洗脱溶剂,可达8种;

3、可以使用1ml、3ml、6ml乃至更大到70ml的固相萃取柱;

4、可以使用模块化萃取柱架,扩展容易;

5、使用10ml注射泵,流量调节范围大;

6、具有馏分收集功能,高度智能化;

7、可以与GPC系统或ASE系统联用;

8、具有压力传感器与过压保护功能;

9、具有内外针清洗功能,防止样品交叉污染;

10、采用移动试管架,可在同一平台完成固相萃取全过程;

11、支持分步洗脱功能,可实现多步洗脱;

12、使用专用模块,可以与HPLC系统联用,萃取完后即可进样;

13、使用专用模块,支持大流量洗脱模式;

14、软件具有样品管理与馏分管理功能;

15、软件具有顺序模式,适应方法开发的要求;

16、可自定义SPE方法库,每一根SPE柱均可拥有自己的洗脱程序;

固相萃取的优势:

1、许多分析方法中已经代替了液-液萃取;

2、节省分析时间;

3、减少有机溶剂的使用,不污染环境;

4、取代传统的溶剂萃取技术;

5、高效、快速,可同事处理多个样品;

6、提高分析质量,减少背景的干扰

7、提高了回收率。

固相萃取仪被认为是一个非常有用的样品处理技术。专门用来分析前的样品纯化和浓缩,使用固相萃取法能避免液-液萃取所带来的许多问题,比如易于乳化,不完全


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等离子体灭菌技术的优势

等离子体灭菌技术是新一代的高科技灭菌技术,它能克服现有灭菌方法的一些局限性和不足之处,提高消毒灭菌效果。例如对不适宜用高温蒸汽法和红外法消毒处理的塑胶、光纤、人工晶体及光学玻璃材料,不适合用微波法处理的金属物品,以及不易达到消毒效果的缝隙角落等地方,等离子灭菌技术显得更加有优势。

 

此外,采用等离子体灭菌技术,不会对被处理物品造成损坏,还可应用到生产流水线上对产品进行消毒灭菌处理。

 

等离子体灭菌的特点

1

环保:

无毒物残留与排出,对操作人员无损害,对环境无污染

 

2

安全便捷:

易操作,无需高温、高压,且安装和调试简单,使用安全

 

3

低温:

灭菌温度为35℃~45℃,干性灭菌,对器械和物品无损害,可延长贵重器械使用寿命

 

4

高效:

灭菌消毒能力强,从普通细菌到最难杀灭的芽孢均有效果,属于广谱杀菌

 

5

省时:

灭菌周期短,可在30~50分钟的时间内完成简单器械灭菌,在50~70分钟内完成复杂器械的灭菌,操作完成后可直接使用,无需像高温灭菌后要自然冷却放置,也不像环氧乙烷低温灭菌后需要放置6~48小时通风扩散

 

6

适用范围广:

适用于多种材料器械,可应用于热敏材料医疗器械,尤其对非耐热电子器械如内窥镜、电子仪器、电池、导线、摄影照相机等物品

 

上海尔迪仪器科技有限公司代理德国diener等离子清洗机,更多详细资料,可联系上海尔迪仪器科技有限公司


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ALD技术在GaN功率器件上的优势

氮化镓(GaN) 是由氮和镓组成的一种半导体材料,因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料。宽禁带半导体材料有着更高得多的临界雪崩击穿场强,较高的热导率。基于宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力,低得多的通态电阻,更好的导热性能和热稳定性,更强的耐受高温和射线辐射的能力。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全Q半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。



氮化镓延片可分为同质外延片与异质外延片。在氮化镓单晶衬底上生长的化为同质外延片,生长在其他衬底材料上为异质外延片。目前常用的衬底材料包括蓝宝石、碳化硅、硅与金刚石。其中硅基氮化镓(GaN on Si)和碳化硅氮化镓(GaN on SiC)是未来的主流技术方向。


氮化镓(GaN)由于其宽禁带特性而成为电力电子产品的绝佳材料。随着交通电气化,GaN功率器件变得越来越重要,器件成本和效率也随之成为了至关重要的因素。对于许多应用而言,增强型或常闭模式器件对于故障安全要求是非常必要的,并且栅介电层(例如Al2O3)对于获得更高效的在增强型模式下工作的器件也是至关重要的。

 

然而ALD技术使GaN功率器件增效方面有很大的优势,主要体现在以下五个方面:膜质量 (Film Quality),一致性 (Conformality),可控性 (Control),低损伤 (Low Damage),预处理 (Pre-treatments)。

 

膜质量 (Film Quality)

氮化镓晶体管的栅极电介质薄膜必须是高质量的,这样才能降低电流的泄漏,从而产生更高的击穿电压。等离子增强ALD(PEALD)技术的优点是可以准确可靠地沉积致密层的,从而优化器件性能。只有在高电压下才会发生击穿,而膜层具备高击穿电压的原因主要有两方面:膜层质量高,以及由于ALD填充空穴的能力而造成针孔缺陷水平低。有意思的是,这些特性只有在200-400°C的适度温度才可以产生,无需其他技术所需要的高温过程。



一致性 (Conformality)

凹槽结构对于许多定向沉积技术(比如磁控溅射)都非常具有挑战性,然而在氮化镓中用到的凹槽几何结构具有相对适中的高宽比,因此对于大多数ALD工艺来说是十分容易做到的。ALD工艺的独特优势就是使得生长的膜层在整体器件结构中连续且厚度基本一致,且对高宽比变化不敏感,因此工艺窗口较大,一般不需要通过改变工艺菜单来保证沉积条件。

 

可控性 (Control)

在生产及研究过程中,厚度和性能控制都是必不可少的。ALD的工艺独特性能使其在大尺寸衬底沉积中具有更优异的均匀性,从而使所有的器件都具有相同的性能。由于所得到的薄膜厚度是根据所选择的ALD循环次数来确定的,具有良好的重复性,因此不管是不同机台之间,或者同一机台的不同时间段都有非常好的沉积厚度重复性。ALD有着良好的阶梯覆盖特性,工艺菜单易于管理,同一腔室可以兼容多种材料沉积。这些特性使其符合未来材料改性和工艺改进的趋势。例如,使用更高介电材料(如二氧化铪)以及氮化电介质(如氮化铝)。

 

低损伤 (Low Damage)

在电子工业中,氮化镓与其他半导体相比是加工敏感性的材料之一,然而远程可控等离子ALD(PEALD)技术对氮化镓造成的损耗却很低。优化工艺条件以及控制离子能量和通量能够使界面和薄膜产生较低的缺陷密度,与此同时,活性反应组分密度和通量足以生长高质量的膜层材料,且具备量产能力。

 

预处理 (Pre-treatments)

在ALD前序工艺中或者只是在空气中暴露后,氮化镓表面可能会产生低质量的表面氧化物,并可能含有缺陷和杂质,比如碳。远程可控等离子体脉冲和ALD前驱体脉冲都可以用来减少上述缺陷和杂质。三甲基铝(TMA)是一种常用于电介质氧化铝生长的ALD前驱体。有意思的是,TMA实际上可以作为还原剂去除氮化镓表面的一些氧化物。正如我们熟知的,氢和氮等离子体能够减少表面氧化物,并且能够去除杂质,比如碳。

 


GaN功率器件市场具有广阔的发展前景,在未来几年内市场规模有望继续增长。全Q市场和中国市场对于这些领域的需求增加,对于碳化硅和氮化镓功率器件的需求亦将不断增长。在未来的市场竞争中,通过技术创新和质量提升将是半导体企业保持竞争力和获得更多市场份额的重要策略,而ALD技术将会成为这一战略中不可缺少的一员。


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液相芯片技术的优势

与其他免疫分析方法相比,液相芯片技术具有无法比拟的优势

1.高通量:液相芯片可同时对一份标本中的多种不同目的分子进行定性定量分析;

2.灵敏性高:液相芯片Z低的检测浓度可达到2pg/ml,线形范围宽,可达4个数量级;

3.灵活性好:既适合做核酸分析又可做蛋白分析;

4.耗时短:35〜60min即可对96个不同样本做检测分析;

5.成本较低:液相芯片的检测试剂、消耗品和检测仪器并不比现有的其他方法昂贵。


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