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国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140  作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于 Nb3Sn 的研究较为有利. 实验测量了样品的超导参数和晶格参数.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

Nb3Sn 超导薄膜样品的实验研究是在 Al2O3(Sapphire) 上进行的, 采用铌溅射源和锡溅射源交替对样品进行溅射沉积,其中铌溅射源在上部, 锡溅射源在下部, 因为锡的熔点低. 退火采用电炉丝.

溅射沉积的过程是, 首先在基片上溅射沉积一层铌附着膜, 然后以固定速度旋转样品固定板,使得样品交替面对铌溅射源和锡溅射源, 形成多层膜结构, 后再溅射沉积一层铌覆盖膜.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.

结果表明:

实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％.

相比传统的有以下优点：

更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.

结果表明:

实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％.

相比传统的有以下优点：

更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响.

采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 磁控溅射沉积的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

实验室材料:

实验采用 55mm x 3mm 的高纯度锌靶 (含量wt%>99.99) 和纯镍片 (含量wt%>99.95) 组成的镶嵌靶. 调整镶嵌靶 Zn 与 Ni 的面积比, 以获得不同成分的 ZnNi 合金膜. 溅射基底采用石英玻璃片.

研究结果表明：

在单靶溅射沉积ZnNi合金薄膜中, 通过调节靶材锌镍面积比可以获得不同成分且分布均匀的ZnNi薄膜. 经过600℃、60 min、真空度为4×10-3Pa, 真空热处理之后的薄膜中的锌完全蒸发, 剩下的镍薄膜呈多孔结构, 微孔尺寸在100 nm至500 nm之间. 随着薄膜锌含量的增加, 真空热处理后薄膜表面孔隙率增大. 随着真空热处理温度的升高, 微孔尺寸增大.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,   检漏仪,   质谱仪,   真空计,   美国 KRI 考夫曼离子源,   美国HVA 真空阀门,   美国 inTEST 高低温冲击测试机,   美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))条件下制备 NGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

实验室通过 XRD 和 SEM 对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析,通过紫外可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜透过率和载流子浓度、迁移率及薄膜电阻率进行研究.

实验结果:

通过与未掺入 N 的 Ga 掺杂氧化锌 (GZO) 薄膜相比, 在可见光区, 尤其是 600~800 nm 范围内, NGZO 薄膜平均透过率在80%以上,符合透明导电薄膜透过率的要求.

在 N-Ga 共掺杂薄膜中, N 的掺杂主要占据 O 空位, 并吸引空位周围的电子, 这减小了薄膜晶格畸变, 并产生电子空穴, 使得薄膜中电子载流子浓度降低, 空穴载流子浓度增加, 电阻率有所增加.

随着氮气流量的变化, 发现在 25 mL/min 时, 薄膜具有好的综合性能. 这种薄膜可用于紫外光探测器等需较大电阻率的应用中, 并有望实现 n-p 型转化. 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景.

河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

在磁控溅射沉积薄膜的实验中, 工艺参数（如沉积压力、沉积温度、溅射功率等）对 WS2 薄膜的结构和性能影响很大. 为制备摩擦磨损性能优良的 WS2 薄膜, 需要系统研究磁控溅射沉积 WS2 薄膜的工艺方法.

磁控溅射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄气体在低压真空环境中发生辉光放电, 如果薄膜沉积时工作气压过低（<0.1 Pa）, 靶材不能正常起辉；沉积压力过高（>10 Pa）, 真空室内等离子体密度高, 溅射粒子向基体运动中发生碰撞多, 平均自由程减小, 以致无法到达基体表面进行沉积.

因此, 合适的沉积压力是磁控溅射沉积 WS2 薄膜的一个重要工艺参数.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si（100）衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子点 SiN 薄膜的光谱特性. 该实验目的是优化含硅量子点的 SiNx 薄膜的制备参数, 在硅基光电子器件的应用方面有重要意义.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

实验室采用 Fourier 变换红外光谱、Raman 光谱、掠入射 X 射线衍射和光致发光光谱对退火后的薄膜样品进行了表征.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明显的问题.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

在柔性基材 PET 上沉积 AgCu 合金制备的 NSN 系列隔热膜, 继承了单 Ag 隔热膜良好的光谱选择性, 同时能有效的解决 Ag 易硫化的难题, 还具有抗氧化功能, 以防止隔热膜长期放置透射率指标变化过大.

NSN70 隔热膜是沉积 AgCu 合金的金属膜系结构产品, 它生产效率高、隔热性好.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

研究利用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、胶带粘附性剥离等方法测定了沉积 ZrB2 涂层的厚度、形貌、物相结构、成分、附着力以及沉积速率等性能参数, 研究了各溅射工艺条件如芯块表面清洁度、溅射气体压力、溅射功率密度和转鼓转速对ZrB 涂层沉积率和附着力的影响.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta₂O₅薄膜

为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究.

其系统工作示意图如下：

该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成.

其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.

用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下:

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：

理由：

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 采用伯东分子泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：

运行结果：

伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝缘性好等优点常作为绝缘层材料在薄膜传感器生产中得到广泛应用. 某光学薄膜制造商为了获得高品质的 SiO_2薄膜引进伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380辅助离子束溅射镀制SiO_2薄膜.

该制造商的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台、真空气路系统以及控制系统等部分组成.

离子源溅射离子源采用进口的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380, 其参数如下:

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：

推荐理由：

1. 聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率

2. 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

其真空气路系统真空系统需要沉积前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 经推荐采用伯东泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：

分子泵组 Hicube 80 Pro 技术参数:

运行结果：

1. SiO_2薄膜沉积速率比以前更加快速

2. 薄膜均匀性明显提高

3. 成膜质量高、膜层致密、缺陷少

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

    包装薄膜材料常使用传统红外光谱进行表征，但传统FTIR通常只能测单一红外光谱，不具备样品红外光谱成像功能或成像空间分辨率受红外波长限制，通常仅为5-10 μm。在实际应用中，层状材料越来越薄，这对常规FTIR技术的空间分辨率提出了极大的挑战。

全新光学光热红外光谱技术

    光学光热红外光谱技术（O-PTIR）可在非接触反射模式下对多层薄膜进行亚微米级的红外表征，同时探针激光器会产生拉曼散射，从而以相同的亚微米分辨率在样品的同一点同时捕获红外和拉曼图像。基于光学光热红外光谱技术的非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统的工作原理是：光学光热红外光谱技术通过将中红外脉冲可调激光器与可见探测光束结合在一起，克服了红外衍射极限。将红外激光调谐到激发样品中分子振动的波长时，就会发生吸收并产生光热效应。如图1所示，可见光探针激光聚焦到0.5 μm的光斑尺寸，通过散射光测量光热响应。红外激光可以在一秒钟或更短的时间内扫过整个指纹区域，以获得红外光谱。

图 1． 非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统 红外和拉曼光谱的光束路径示意图。

 红外&拉曼同步测量

    传统的透射红外光谱通常不能用于测量厚样品，因为光在完成透射样品之前会被完全吸收或散射，导致几乎没有光子能量到达检测器。由于光学光热红外光谱技术是一种非接触式技术，因此非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统可以对较厚的样品进行红外测量，极大地简化了样品制备过程，提升了易用性。在图2中，作者使用非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统针对嵌入环氧树脂中的薄膜样品横截面进行了分析。

    图2线阵列中各点之间的数据间隔为500 nm。 由于非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统与传统FTIR光谱具有极好的相关性，因此可以使用现有的光谱数据库搜索每个光谱。对红外光谱的分析对照可以清楚地识别出不同的聚合物层，聚乙烯和聚丙烯，以及嵌入的环氧树脂。

图 2．上：薄膜横截面的40倍光学照片；中：红外光谱从标记区域收集；下：同时从标记区域收集拉曼光谱。

化学组分分布的可视化成像

    当生产层状薄膜时，产品内部的化学分布是产品完整性的重要组成部分。非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统独特地实现了高分辨率单波长成像，以突出显示样品中特定成分的化学分布。非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统可以在每层的独特吸收带处采集图像，以此实现显示层的边界和界面的观察。图3展示了多层膜截面的光学图像。从线阵列数据可以看出，中间位置存在一个宽度大约为2 μm的区域，该区域与周围区域的光谱差异很大。红色光谱显示1462 cm^‑1处C-H伸缩振动显著增加。

图3. 上：薄膜截面的40倍光学照片；下：标记表示间距为250 nm的11 µm线阵列。

    红外单波长成像使我们能够清晰地可视化层状材料的厚度和材质分布，如图4所示。从图像中可以看出，非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统红外显微镜可以在非接触状态下进行反射模式运行，以高的空间分辨率提供单波长图像。

图4. 红外单波长成像层状材料的成分分布。

总结

    通过同时收集红外和拉曼光谱，科学家发现非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统可被广泛用于分析各种多层膜。收集的光谱与传统的FTIR光谱显示出> 99%相关性，并且可以在现有数据库中进行搜索。此外，使用非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统进行单波长成像可实现亚微米分辨率样品中组分的可视化。通过该技术，我们可以更好地了解薄膜材料的整体构成。总体而言，非接触亚微米分辨红外拉曼同步测量系统首次提供了可靠且可视化的亚微米红外光谱，目前它已在高分子、生命科学、临床医学、化工药品、微电子器件、农业与食品、环境、物证分析等领域得到广泛应用并取得了良好的效果，显示出了广阔的应用前景。