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上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))条件下制备 NGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

实验室通过 XRD 和 SEM 对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析,通过紫外可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜透过率和载流子浓度、迁移率及薄膜电阻率进行研究.

实验结果:

通过与未掺入 N 的 Ga 掺杂氧化锌 (GZO) 薄膜相比, 在可见光区, 尤其是 600~800 nm 范围内, NGZO 薄膜平均透过率在80%以上,符合透明导电薄膜透过率的要求.

在 N-Ga 共掺杂薄膜中, N 的掺杂主要占据 O 空位, 并吸引空位周围的电子, 这减小了薄膜晶格畸变, 并产生电子空穴, 使得薄膜中电子载流子浓度降低, 空穴载流子浓度增加, 电阻率有所增加.

随着氮气流量的变化, 发现在 25 mL/min 时, 薄膜具有好的综合性能. 这种薄膜可用于紫外光探测器等需较大电阻率的应用中, 并有望实现 n-p 型转化. 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.

结果表明:

实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％.

相比传统的有以下优点：

更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景.

河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

在磁控溅射沉积薄膜的实验中, 工艺参数（如沉积压力、沉积温度、溅射功率等）对 WS2 薄膜的结构和性能影响很大. 为制备摩擦磨损性能优良的 WS2 薄膜, 需要系统研究磁控溅射沉积 WS2 薄膜的工艺方法.

磁控溅射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄气体在低压真空环境中发生辉光放电, 如果薄膜沉积时工作气压过低（<0.1 Pa）, 靶材不能正常起辉；沉积压力过高（>10 Pa）, 真空室内等离子体密度高, 溅射粒子向基体运动中发生碰撞多, 平均自由程减小, 以致无法到达基体表面进行沉积.

因此, 合适的沉积压力是磁控溅射沉积 WS2 薄膜的一个重要工艺参数.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si（100）衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子点 SiN 薄膜的光谱特性. 该实验目的是优化含硅量子点的 SiNx 薄膜的制备参数, 在硅基光电子器件的应用方面有重要意义.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

实验室采用 Fourier 变换红外光谱、Raman 光谱、掠入射 X 射线衍射和光致发光光谱对退火后的薄膜样品进行了表征.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响.

采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 磁控溅射沉积的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

实验室材料:

实验采用 55mm x 3mm 的高纯度锌靶 (含量wt%>99.99) 和纯镍片 (含量wt%>99.95) 组成的镶嵌靶. 调整镶嵌靶 Zn 与 Ni 的面积比, 以获得不同成分的 ZnNi 合金膜. 溅射基底采用石英玻璃片.

研究结果表明：

在单靶溅射沉积ZnNi合金薄膜中, 通过调节靶材锌镍面积比可以获得不同成分且分布均匀的ZnNi薄膜. 经过600℃、60 min、真空度为4×10-3Pa, 真空热处理之后的薄膜中的锌完全蒸发, 剩下的镍薄膜呈多孔结构, 微孔尺寸在100 nm至500 nm之间. 随着薄膜锌含量的增加, 真空热处理后薄膜表面孔隙率增大. 随着真空热处理温度的升高, 微孔尺寸增大.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,   检漏仪,   质谱仪,   真空计,   美国 KRI 考夫曼离子源,   美国HVA 真空阀门,   美国 inTEST 高低温冲击测试机,   美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.

结果表明:

实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％.

相比传统的有以下优点：

更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140  作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于 Nb3Sn 的研究较为有利. 实验测量了样品的超导参数和晶格参数.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

Nb3Sn 超导薄膜样品的实验研究是在 Al2O3(Sapphire) 上进行的, 采用铌溅射源和锡溅射源交替对样品进行溅射沉积,其中铌溅射源在上部, 锡溅射源在下部, 因为锡的熔点低. 退火采用电炉丝.

溅射沉积的过程是, 首先在基片上溅射沉积一层铌附着膜, 然后以固定速度旋转样品固定板,使得样品交替面对铌溅射源和锡溅射源, 形成多层膜结构, 后再溅射沉积一层铌覆盖膜.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.