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某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明显的问题.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

在柔性基材 PET 上沉积 AgCu 合金制备的 NSN 系列隔热膜, 继承了单 Ag 隔热膜良好的光谱选择性, 同时能有效的解决 Ag 易硫化的难题, 还具有抗氧化功能, 以防止隔热膜长期放置透射率指标变化过大.

NSN70 隔热膜是沉积 AgCu 合金的金属膜系结构产品, 它生产效率高、隔热性好.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.

结果表明:

实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％.

相比传统的有以下优点：

更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响.

采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 磁控溅射沉积的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

实验室材料:

实验采用 55mm x 3mm 的高纯度锌靶 (含量wt%>99.99) 和纯镍片 (含量wt%>99.95) 组成的镶嵌靶. 调整镶嵌靶 Zn 与 Ni 的面积比, 以获得不同成分的 ZnNi 合金膜. 溅射基底采用石英玻璃片.

研究结果表明：

在单靶溅射沉积ZnNi合金薄膜中, 通过调节靶材锌镍面积比可以获得不同成分且分布均匀的ZnNi薄膜. 经过600℃、60 min、真空度为4×10-3Pa, 真空热处理之后的薄膜中的锌完全蒸发, 剩下的镍薄膜呈多孔结构, 微孔尺寸在100 nm至500 nm之间. 随着薄膜锌含量的增加, 真空热处理后薄膜表面孔隙率增大. 随着真空热处理温度的升高, 微孔尺寸增大.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,   检漏仪,   质谱仪,   真空计,   美国 KRI 考夫曼离子源,   美国HVA 真空阀门,   美国 inTEST 高低温冲击测试机,   美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.

结果表明:

实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％.

相比传统的有以下优点：

更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140  作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于 Nb3Sn 的研究较为有利. 实验测量了样品的超导参数和晶格参数.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

Nb3Sn 超导薄膜样品的实验研究是在 Al2O3(Sapphire) 上进行的, 采用铌溅射源和锡溅射源交替对样品进行溅射沉积,其中铌溅射源在上部, 锡溅射源在下部, 因为锡的熔点低. 退火采用电炉丝.

溅射沉积的过程是, 首先在基片上溅射沉积一层铌附着膜, 然后以固定速度旋转样品固定板,使得样品交替面对铌溅射源和锡溅射源, 形成多层膜结构, 后再溅射沉积一层铌覆盖膜.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta₂O₅薄膜

为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究.

其系统工作示意图如下：

该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成.

其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.

用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下:

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：

理由：

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 采用伯东分子泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：

运行结果：

伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

小型溅射仪仪问仪答

最近小伙伴对于溅射仪使用和技术参数问的问题比较多，今天总结一下溅射仪的一些常见的技术问题：

1、膜厚检测仪原理：膜厚监测仪是采用石英晶体振荡原理，利用频率测量技术加上先进的数学算法，进行膜厚的在线镀膜速率和实时厚度计算。主要应用于MBE、OLED或金属热蒸发、磁控溅射设备的薄膜制备过程中，对膜层厚度及镀膜速率进行实时监测。

2、溅射仪是否可以镀镍：可以镀镍  但是 镍是导磁金属 所以 需要靶材尽量薄 0.5mm-1mm 太厚磁场无法穿透  溅射速率很低。

3、直流溅射镀膜调节：1 靶材需要良好的导电性, 如果具备这个条件  可以镀    2 遇到容易氧化的金属 需要配备分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氩气维持真空到1Pa左右镀膜的金属接近本色。

郑科探小型溅射仪KT-Z1650PVD

以上是小伙伴近期问的比较多的问题，如果还有什么问题欢迎咨询。

最近小伙伴对于溅射仪使用和技术参数问的问题比较多，今天总结一下溅射仪的一些常见的技术问题：

1、膜厚检测仪原理：膜厚监测仪是采用石英晶体振荡原理，利用频率测量技术加上先进的数学算法，进行膜厚的在线镀膜速率和实时厚度计算。主要应用于MBE、OLED或金属热蒸发、磁控溅射设备的薄膜制备过程中，对膜层厚度及镀膜速率进行实时监测。

2、溅射仪是否可以镀镍：可以镀镍  但是 镍是导磁金属 所以 需要靶材尽量薄 0.5mm-1mm  太厚磁场无法穿透  溅射速率很低。

3、直流溅射镀膜调节：1 靶材需要良好的导电性, 如果具备这个条件  可以镀    2 遇到容易氧化的金属 需要配备分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氩气维持真空到1Pa左右镀膜的金属接近本色。

郑科探小型溅射仪KT-Z1650PVD

以上是小伙伴近期问的比较多的问题，如果还有什么问题欢迎咨询。