晶圆清洗机主要结构特点及工艺流程
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一.产品结构
晶圆清洗机主要结构特点:1、采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业2、采用第三代技术,全面完善的防酸防腐措施,保护到机器每一个角落3、全自动补液技术4、*的硅片干燥前处理技术,保证硅片干燥不留任何水痕5、成熟的硅片干燥工艺,多种先进技术集于一身6、彩色大屏幕人机界面操作,方便参数设置多工艺方式转换
二.产品特点晶圆清洗机具有以下特点:1、械手或多机械手组合,实现工位工艺要求。2、PLC全程序控制与触摸屏操作界面,操作便利。3、自动上下料台,准确上卸工件。4、净化烘干槽,*的烘干前处理技术,工作干燥无水渍。5、全封闭外壳与抽风系统,确保良好工作环境。6、具备抛动清洗功能,保证清洗均匀。7、全封闭清洗均匀。8、全封闭外壳与抽风系统,确保良好工作环境。
三、晶圆清洗机工艺流程自动上料→去离子水+超声波清洗+振动筛抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→自动下料
四、晶圆清洗机应用范围1、炉前清洗:扩散前清洗。2、光刻后清洗:除去光刻胶。3、氧化前自动清洗:氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。4、抛光后自动清洗:除去切、磨、抛的沾污。5、外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。6、合金前、表面钝化前清洗:除去铝布线后,表面杂质及光胶残渣。7、离子注入后的清洗:除去光刻胶,SiO2层。8、扩散预淀积后清洗:除去预淀积时的BSG和PSG。9、CVD后清洗:除去CVD过程中的颗粒。10、附件及工具的清洗:除去表面所有的沾污物
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- 晶圆清洗机主要结构特点及工艺流程
一.产品结构
晶圆清洗机主要结构特点:1、采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业2、采用第三代技术,全面完善的防酸防腐措施,保护到机器每一个角落3、全自动补液技术4、*的硅片干燥前处理技术,保证硅片干燥不留任何水痕5、成熟的硅片干燥工艺,多种先进技术集于一身6、彩色大屏幕人机界面操作,方便参数设置多工艺方式转换
二.产品特点晶圆清洗机具有以下特点:1、械手或多机械手组合,实现工位工艺要求。2、PLC全程序控制与触摸屏操作界面,操作便利。3、自动上下料台,准确上卸工件。4、净化烘干槽,*的烘干前处理技术,工作干燥无水渍。5、全封闭外壳与抽风系统,确保良好工作环境。6、具备抛动清洗功能,保证清洗均匀。7、全封闭清洗均匀。8、全封闭外壳与抽风系统,确保良好工作环境。
三、晶圆清洗机工艺流程自动上料→去离子水+超声波清洗+振动筛抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→自动下料
四、晶圆清洗机应用范围1、炉前清洗:扩散前清洗。2、光刻后清洗:除去光刻胶。3、氧化前自动清洗:氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。4、抛光后自动清洗:除去切、磨、抛的沾污。5、外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。6、合金前、表面钝化前清洗:除去铝布线后,表面杂质及光胶残渣。7、离子注入后的清洗:除去光刻胶,SiO2层。8、扩散预淀积后清洗:除去预淀积时的BSG和PSG。9、CVD后清洗:除去CVD过程中的颗粒。10、附件及工具的清洗:除去表面所有的沾污物
- 晶圆测试及芯片测试
一、需求目的:1、热达标;2、故障少
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面
三、具体到芯片设计有哪些需要关注:
1、顶层设计
2、仿真
3、热设计及功耗
4、资源利用、速率与工艺
5、覆盖率要求
6、
四、具体到测试有哪些需要关注:
1、可测试性设计
2、常规测试:晶圆级、芯片级
3、可靠性测试
4、故障与测试关系
5、
测试有效性保证;
设计保证?测试保证?筛选?可靠性?
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、 模拟信号参数测试。
晶圆的工艺参数监测dice,
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描
故障种类:
缺陷种类:
针对性测试:
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系;
仿真与误差,
n 预研阶段
n 顶层设计阶段
n 模块设计阶段
n 模块实现阶段
n 子系统仿真阶段
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段
n 后端版面设计
n 测试矢量准备
n 后端仿真
n 生产
n 硅片测试
顶层设计:
n 书写功能需求说明
n 顶层结构必备项
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期
n 完成顶层结构设计说明
n 确定关键的模块(尽早开始)
n 确定需要的第三方IP模块
n 选择开发组成员
n 确定新的开发工具
n 确定开发流程/路线
n 讨论风险
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数 开销和功耗
n 国软检测 芯片失效分析ZX
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- 奥林巴斯晶圆半导体显微镜提升晶圆检测水平
晶圆是制作半导体材料的主要部件,而在半导体晶圆的整体制造过程有400 至600个步骤,历时一到两个月完成。因此缺陷检测对于半导体制造过程非常重要,如果流程早期出现任何缺陷,则后续步骤中执行的所有工作都将被浪费,所以在半导体制造过程中缺陷检测是其中的关键步骤,用于确保良率和产量。这就需要用到技术先进的晶圆半导体显微镜来进行缺陷检测,主要用于识别并定位产品表面存在的杂质颗粒沾污、机械划伤、晶圆图案缺陷等问题。
针对晶圆严格检测需求,奥林巴斯的MX63系列晶圆半导体显微镜,除了拥有图像清晰、易操作、检测速度快的优势之外,还针对晶圆缺陷检测做出了一系列的特殊功能,确保晶圆检测的准确性。
可供选配的AL120系统的晶圆自动搬送机
晶圆自动搬送机是奥林巴斯备选的,可安装在MX63系列上,使用AL120系统可实现无需使用镊子或工具,即可安全地将硅及符合半导体晶圆从晶圆匣运送到显微镜载物台上。此显微镜优越的性能和可靠性能够安全、有效地对晶圆正面和背面进行宏观检测,同时搬送机还可帮助提高实验室工作效率。
快速清洁无污染的检测
奥林巴斯MX63系列晶圆半导体显微镜可实现无污染的晶片检测,其显微镜所有电动组件均安装在防护结构壳内,干净无污染,同时显微镜架、镜筒、呼吸防护罩及其他部件均采用防静电处理。
另外,MX63系列采用的是电动物镜转换器,电动转换器的转速比手动物镜转换器更快更安全,在缩短检测间隔时间的同时让操作人员的手始终保持在晶圆下方,避免了潜在的污染。
大尺寸晶圆一样能实现有效观察
MX63系列晶圆半导体显微镜利用内置离合和XY旋钮,能够实现对载物台运动的粗调和微调,即便是针对300mm的晶片这样的大尺寸样品,载物台也能够实现有效的观察。
适合所有晶圆尺寸
晶圆的尺寸有很多,而奥林巴斯的晶圆半导体显微镜可配合各类150-200mm和200-300mm晶圆托架和玻璃台板使用,如果生产线上的晶圆尺寸发生变化,可更改载物台或者镜架,各种载物台均可用于检测75mm、100mm、125mm、150mm的晶圆甚至300mm的晶圆检测。
晶圆检测是主要的芯片产品合格率统计分析方法之一,而在芯片的总面积扩大和相对密度提升的情况下,对晶圆的要求也不断升级,晶圆检测也越来越精细,这就需要更长的检测時间及其更为高精密繁杂的检测设备来实行检测。奥林巴斯MX63系列晶圆半导体显微镜,融合了奥林巴斯先进的光学技术和数字技术,拥有简便的直观操作和稳定的可靠性,可为用户创建简洁合理的工作流程和灵活有效的解决方案,让晶圆的检测更准确、更简单。
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- 有谁知道超声波故意流程的讲一下,谢了!!
- 晶圆的制造过程
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- 晶圆针测制程介绍
《晶圆针测制程介绍》
晶圆针测(Chip Probing;CP)之目的在于针对芯片作电性功能上的 测试(Test),使 IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片,以避免对不良品增加制造成本。
半导体制程中,针测制程只要换上不同的测试配件,便可与测试制程共享相同的测试机台(Tester)。所以一般测试厂为提高测试机台的使用率,除了 提供Z终测试的服务亦接受芯片测试的订单。以下将此针测制程作一描述。
上图为晶圆针测之流程图,其流程包括下面几道作业:
(1)晶圆针测并作产品分类(Sorting)
晶圆针测的主要目的是测试晶圆中每一颗晶粒的电气特性,线路的 连接,检查其是否为不良品,若为不良品,则点上一点红墨水,作为识别之用。除此之外,另一个目的是测试产品的良率,依良率的高低来判断晶圆制造的过程是否有误。良品率高时表示晶圆制造过程一切正常, 若良品率过低,表示在晶圆制造的过程中,有某些步骤出现问题,必须尽快通知工程师检查。
(2)雷射修补(Laser Repairing)
雷射修补的目的是修补那些尚可被修复的不良品(有设计备份电路 在其中者),提高产品的良品率。当晶圆针测完成后,拥有备份电路的产品会与其在晶圆针测时所产生的测试结果数据一同送往雷射修补机中 ,这些数据包括不良品的位置,线路的配置等。雷射修补机的控制计算机可依这些数据,尝试将晶圆中的不良品修复。
(3)加温烘烤(Baking)
加温烘烤是针测流程中的Z后一项作业,加温烘烤的目的有二:
(一)将点在晶粒上的红墨水烤干。
(二)清理晶圆表面。经过加温烘烤的产品,只要有需求便可以出货。
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- VOC检测仪的主要介绍及性能特点
我们有很多的人都了解对于气体检测的重要,随着科技的不断发展,不断的有新的气体检测仪的出现,来帮助我们解决检测气体的难题。
挥发性有机化合物检测仪采用先进的光离子化检测器(Photo lonization De-tector简称PID)可以检测在1ppb(十亿分之一)到10,000ppm(百分之一)浓度范围内的多种挥发性有机化合物(Volatile Organic Compound,简称VOC)。
当电离电位(IP)小于紫外灯能量的化合物气体或蒸气通过离子化腔时,PID的紫外光源(UV)就会将该化合物击碎成可被检测到正负离子(该过程即离子 化)。
检测器测量离子化后的气体电荷并将其转化为电流信号,然后电流被放大并转化为浓度值。在被检测后,离子重新复合成为原来的气体和蒸气。
VOC检测仪概述可以被PID检测的挥发性有机化合物包括(详情请参阅校正系数表) 饱和烃及不饱和烃:辛烷、乙烯、环已烷等芳香类:苯甲、甲苯、萘、硝基苯、氯苯等。酮、醛、醚;丙酮,丙醛,苯甲醚等。胺类:二甲基胺,丁胺等。卤代烃类:三氯乙烯、三溴甲烷等。硫代烃类:硫化氢、二硫化碳等醇类:乙醇、甲硫醇等脂类:醋酸丁脂,乙酰水杨酸甲脂等。肼类:肼、,二等。除了有机物,PID还可以测量一些不含碳的无机气体:氨气、硒化氢、溴和碘类化合物等 。
要知道对于PID不能检测的气体和蒸气包括放射性气体(Rm)、空气(N2、O2、CO2、H2O)常见有毒有害气体(如CO、SO2),天然气(甲烷),酸性气体(如HCI、HF、HNO3)氟利昂气体、臭氧等。
1.连续灵敏测量:PID可以实时检测低至PPb浓度(十亿分之一)的有机物。特别适合现代石油化工、劳动卫生、环境监测等部门健康、安全的需要。
2.快速:PID的反应较快,一般小于3秒,适合快速应急的需要。
3.便携测量:仪器仪器体积小巧、重量轻,可携至任何需要检测的地点。内置QL吸气泵可以吸取人员不便到达地点的待测气体。
4.安全性高:仪器本质安全,且无需氢气等危险载气。
5.适应性广:可以检测1ppb到10,000ppb浓度范围内的绝大多数的机物。
6.非破坏性测量:由于PID仅仅是使有机物电离,所以在有机组分离开检测器后会重新复合。因此用户可以利用PID的QL吸气泵进行采样操作,对被测样品做进一步的实验室分析。
7.传感器不会中毒:同大多数基它原理的检测器或传感器不同,采用光学原理的PID检测器不会被高浓度的被测物质损坏。
【VOC检测仪主要有哪些操作方法及介绍】
VOC检测仪的介绍
VOC检测仪有固定式和便携式的,便携式的VOC检测仪操作方便,体积小巧,可以携带至不同的生产环境中。新型VOC检测仪大多采用PID原理,目前VOC检测仪这类仪器在各类工厂和环保部门的应用越来越广。
VOC检测仪在开放空间中的使用
在开放的工作车间中,采用便携式的VOC检测仪,可以随时、随地、精确地显示现场的VOC浓度情况。有的便携式VOC检测仪还配有振动警报附件,以免在噪声中听不到报警声音。
VOC检测仪在密闭空间中的使用
在密闭空间中使用VOC检测仪应注意易燃有害气体,例如反应罐、下水道、船运货舱、地下设施等环境地中。在进入密闭环境之前,就必须进行检测。此情形下,必须选择带有吸气泵的检测仪,因为密闭环境中由于空气不流通,气体扩散较慢,不同部位的气体分布有较大的不同。例如,可燃气体质量较轻。
大部分分布在密闭空间的上层,一氧化碳质量与空气相近,一般位于密闭空间的中层,像硫化氢这种较重的气体就位于密闭空间的底部。另外,考虑到密闭空间的危险气体,应使用具有内置吸气泵可以非接触长距离检测多气体功能。同时便于携带,不影响工人工作,这样才能保证进入密闭空间人员的安全。
另外,在进入密闭环境后,要持续不断地对内部气体进行检测,防止人员进入后发生泄漏的情况,以及由于温度等其它情况导致危险气体浓度变化。
VOC检测仪在紧急情况中的使用
面对紧急事故、检查和检漏,应该采用泵吸式,这种情况突出它响应时间短、灵敏度高的优点,更容易快速检测出断泄漏点的位置。
- 介孔材料分类、表征技术及结构特点
最常见的介孔材料是MCM系列,是硅基介孔材料,包括三种结构:六方相的MCM-41,立方相的MCM-41材料的结构zui具有特色,是目前研究较多的一种结构类型。除了以上三种常见系列结构外,还有一系列不同结构的介孔材料,其中包括SBA-n系列、MSU系列、HMS、APMs和FSM-16等。
介孔材料的分类
(1)按照化学组成分类,可分为硅基和非硅基组成介孔材料两大类。后者主要包括过渡金属氧化物、磷酸盐和硫化物等,由于它们一般存在着可变价态有可能为介孔材料开辟新的应用领域,展示出硅基介孔材料所不能及的应用前景。但非硅组成的介孔材料热稳定性较差,经过煅烧后孔结构穷坍塌,且比表面积、孔容均较小,合成机制清空欠完善,不及硅基介孔材料研究活跃。
(2)按照介孔是否有序分类,可分为无序介孔材料和有序介孔材料。前者有普通的SiO2气凝胶、微晶玻璃等,孔径范围较大,孔道形状不规则;有序介孔材料是20世纪90年代初迅速兴趣的一类新型纳米结构材料,具有孔径分布窄且孔道规则,如M41S等。
- 知识要点:光电子能谱仪器功能结构及功能特点
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