电位滴定仪在半导体行业的应用
半导体行业主要由三部分组成：硅片（Silicon Wafer）生产、集成电路（IC）制造和印刷电路板（PCB）制造。涉及的主要工艺包括酸洗、清洗、蚀刻、光刻、电镀等。每种工艺都会用到特定组分和浓度的化学溶液。溶液成分的监测和控制对产品质量至关重要。
例如，在氯化铜蚀刻液中，蚀刻速率取决于游离酸浓度，而蚀刻过程中生成的亚铜也会降低蚀刻速率，因此必须对其浓度加以监测和控制。滴定分析方法因简单、快速且成本低，在半导体工业中获得了很大的应用。
铜蚀刻的不同阶段
滴定法可以用来分析溶液中的多种成分，如：
酸/碱：H2SO4, HCl, NaOH，H3BO4，HNO3, HF, CH3COOH, H3PO4，CO32-
金属阳离子：Cu2+, Cr6+, Cr3+，Sn2+，Fe2+，Ni2+，Zn2+，Ag+，Ba2+，Au3+
亚磷酸盐：Na2HPO3 ， NaH2PO2
其他：过氧化氢(H2O2)，氰化物，氯化物，混酸，络合剂，表面活性剂等。
01
混酸蚀刻液/清洗液
样品：CH3COOH : H3PO4 : HNO3混酸
原理：
HX+OH- = H2O+X-
根据样品中各酸组分的酸性强弱不同，通过酸碱滴定，将各组分加以区分
滴定液: 0.1 mol/L NaOH
电极：DGi111-SC pH电极
结果：
02
镍电镀液
样品：镍电镀液
原理：
Ni2++EDTA2- = EDTA-Ni
Ni2+在pH10的条件下，与EDTA-2Na形成稳定的络合物。滴定终点时，指示剂发生变色，通过光度电极指示。
滴定液: 0.1 mol/L EDTA
电极：DP5 光度电极
结果：
03
过氧化氢
样品：H2O2/H2SO4 或H2O2/NH4OH
原理：
2MnO4- + 5H2O2 + 6H+ = 8H2O + 5O2+ 2Mn2+
H2O2和KMnO4在硫酸存在的条件下发生上述反应，反应终点通过铂环电极指示。
滴定液: 0.1 mol/L 1/5 KMnO4
电极：DMi140-SC或DMi147-SC Pt环电极
结果：
04
氯离子
样品：铜电镀液
Ag+ + Cl- = AgCl
Ag+和Cl-发生上述反应生成沉淀，反应终点通过银环电极指示。
滴定液: 0.01 mol/L AgNO3
电极：DMi141-SC或DMi148-SC 银环电极
结果：
更多半导体行业的混酸和金属离子测定内容，
请扫描下方二维码，下载应用手册：
标签：激光熔覆技术
全部评论(0条)
推荐阅读
-
- 电位滴定仪在半导体行业的应用
- 半导体行业主要由三部分组成：硅片（Silicon Wafer）生产、集成电路（IC）制造和印刷电路板（PCB）制造。涉及的主要工艺包括酸洗、清洗、蚀刻、光刻、电镀等。每种工艺都会用到特定组分和浓度的
-
- 网络直播｜扫描电镜在半导体行业的应用
- 半导体工业由于半导体器件体积小、重量轻、寿命长、功率损耗小、机械性能好，因而适用的范围极广。
-
- 技术课堂 | 电位滴定仪在湿电子化学品中的应用与解决方案
- 双氧水含量的滴定通常有高锰酸钾法和硫酸铈滴定法，由于硫酸铈作为滴定液非常稳定，可以直接配制而不用标定就可以等到标准溶液，使用非常方便。
-
- 电能质量监测装置在某半导体公司的应用
- 半导体生产制造业在国民经济中起着举足轻重的作用，相关企业的规模也越来越大。其供配电系统稳定、可靠的运维不仅是其安全生产的基本保证，还关系到产品质量和生产的顺利进行。而半导体行业中大部分工艺设备对电能质
-
- 讲座直播：原子力显微镜在半导体领域的应用
- 随着半导体芯片技术进展, 元器件特征尺寸横向微缩的同时, 对于元器件纵向维度上的微缩,堆叠与平坦化控制也随之日趋重要, 相关线上制程监控也越来越重要。
-
- 日立应用｜电子显微镜在制药行业的应用
- 电子显微镜作为一种常规的微观形貌分析工具，在制药行业发挥了重要作用，对于药物及其周边产品生产过程的品质控制、质量监督、问题追溯都能起到立竿见影的效果
-
- 日立应用｜电子显微镜在制药行业的应用
- 药品的研发过程中,日立扫描电镜助力研究人员解决研究过程中出现的难题,找到新的研究方向。
-
- 助力中国芯——溶解氮在半导体机能水中的应用
- 助力中国芯——溶解氮在半导体机能水中的应用
①本文由仪器网入驻的作者或注册的会员撰写并发布，观点仅代表作者本人，不代表仪器网立场。若内容侵犯到您的合法权益，请及时告诉,我们立即通知作者，并马上删除。
②凡本网注明"来源：仪器网"的所有作品，版权均属于仪器网，转载时须经本网同意，并请注明仪器网(www.yiqi.com)。
③本网转载并注明来源的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品来源，并自负版权等法律责任。
④若本站内容侵犯到您的合法权益，请及时告诉,我们马上修改或删除。邮箱：hezou_yiqi
pddd852fr
沪公网安备 31011502008050号
参与评论
登录后参与评论