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铟镓砷线阵图像传感器 G11135-256DD
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11135-256DD
- 产地:亚洲 日本
- 供应商报价:面议
- 滨松光子学商贸(中国)有限公司 更新时间:2024-09-05 09:04:54
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销售范围售全国
入驻年限第9年
营业执照已审核
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产品特点
线阵(256像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器
G11135系列是为异物检测设备而设计的铟镓砷线阵图像传感器。该传感器由铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片组成,CMOS芯片内部包含电荷放大阵列、偏执补偿电路、移位寄存器和时序产生器。铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片由铟球连接。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率(CE),以满足不同的应用需要。
产品特性
● 线阵(256像素)
● 高速数据率:zuida5 MHz
● 两种转换率可选
● 像素尺寸:50 × 50 μm
● 内置温度传感器
● 像素之间的线性度差异小
● 低成本
详细介绍
- 详细参数
图像尺寸 12.8 x 0.025 mm 像素尺寸 50 x 50 μm 像素间距 50 μm 总像素个数 256 封装 Ceramic 帧频 (最大值) 14000 lines/s 制冷方式 Non-cooled 光谱响应范围 950 - 1700 nm 暗电流(典型) 2.5 pA 测试条件 Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted
光谱响应外形尺寸(单位:mm)相关下载Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]
InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]
Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]
Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]
Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]
技术资料