搭载两个InGaAs芯片（截止波长：1.65μm, 2.15 μm)近红外图像传感器（0.95μm~2.15 μm)
G12230-512WB是为近红外通道分光测光设计的InGaAs线阵图像传感器。并列配置2个高精度不同遮段波长的InGaAs芯片，实现在光灵敏度波长范围内的高S/N。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。电荷放大器是由铟镓砷二极管阵列的每个像素与CMOS晶体管连接而成。每个像素的信号是在电荷积分模式下读出，因此获得近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。采用气密封装的方式，故而具有的稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级转换效率，以满足不同用途的需求。选择通过使用外部电压2种变化功率（CE:(Conversion Efficiency),选择适合用途的值。