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铟镓砷线阵图像传感器 G11620-128DA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11620-128DA
- 产地:亚洲 日本
- 供应商报价:面议
- 滨松光子学商贸(中国)有限公司 更新时间:2024-09-05 09:04:54
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销售范围售全国
入驻年限第9年
营业执照已审核
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产品特点
线阵(512像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器
G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同,G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率,以满足不同的应用需要。
产品特性● 低噪声,低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单(通过内置时序产生器)● 高分辨率:25μm 间距
详细介绍
- 详细参数
图像尺寸 6.4 x 0.5 mm 像素尺寸 50 x 500 μm 像素间距 50 μm 总像素个数 128 pixels 封装 陶瓷 帧频 (最大值) 30800 lines/s 制冷方式 非制冷 光谱响应范围 950 to 1700 nm 暗电流(最大值) 5 pA 测试条件 unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP,Vinp=PDN=4 V,Fvref=1.2V,Vφ=5V,f=1 MHz
光谱响应外形尺寸(单位:mm)相关下载Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]
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技术资料