仪器网(yiqi.com)欢迎您!

| 注册 登录
网站首页-资讯-专题- 微头条-话题-产品- 品牌库-搜索-供应商- 展会-招标-采购- 社区-知识-技术-资料库-方案-直播- 视频

技术中心

当前位置:仪器网> 技术中心>划重点!常见半导体退火工艺介绍对比

划重点!常见半导体退火工艺介绍对比

来源:武汉嘉仪通科技有限公司      分类:产品评测 2024-09-14 18:46:58 2阅读次数

退火工艺是半导体制造过程中的重要环节,旨在通过加热和冷却过程改善材料的电学性能、晶体结构和可靠性。以下是一些主要的半导体退火工艺类型:

各退火工艺简介

管式炉退火:将材料放在一个封闭的长管形炉膛内。这个炉膛通常由耐高温的材料如石英制成。管炉的周围包裹着电阻丝,可以通过电阻加热将炉膛加热、控温,确保温度分布均匀并达到所需的退火温度。适合进行长时间的退火处理,特别是对于需要严格控制温度梯度和时间参数的高温工艺。
RTP快速退火:RTP通过高强度光源(如:红外灯)迅速加热晶圆,可以在极短的时间内(几秒到几十秒)达到所需的高温,并且能迅速冷却至室温,极大缩短了退火周期。可以精确控制加热和冷却速率,以及达到的温度和时间,从而提高工艺的稳定性和重复性。对电子、陶瓷、无机、金属、复合等新材料和器件的快速热处理相关研究生产有重要作用。
激光退火是使用集中的激光束将材料局部加热至所需高温。特定波长和功率的激光束经过透镜聚焦并扫描在目标表面,进行局部瞬间加热。根据需要可调整目标区域保持在高温下的时间,之后目标区域迅速冷却至室温。常用于微电子器件的局部加热和退火处理以及半导体制造中的精细图形处理和晶格缺陷修复

更多最新产品资讯敬请关注

联系方式:15527275956(周女士)

网址:http://www..com.cn

在看就点这里吧


标签:

参与评论

全部评论(0条)

获取验证码
我已经阅读并接受《仪器网服务协议》

推荐阅读

版权与免责声明

①本文由仪器网入驻的作者或注册的会员撰写并发布,观点仅代表作者本人,不代表仪器网立场。若内容侵犯到您的合法权益,请及时告诉,我们立即通知作者,并马上删除。

②凡本网注明"来源:仪器网"的所有作品,版权均属于仪器网,转载时须经本网同意,并请注明仪器网(www.yiqi.com)。

③本网转载并注明来源的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品来源,并自负版权等法律责任。

④若本站内容侵犯到您的合法权益,请及时告诉,我们马上修改或删除。邮箱:hezou_yiqi

关于作者

作者简介:[详细]
最近更新:2024-09-05 09:08:22
关注 私信
更多

最新话题

最新文章

作者榜