美国 KRi 离子源常见工艺应用
KRi 离子源常见工艺应用
通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
KRi 离子源常见工艺应用
工艺应用 | 简称 |
In-situ substrate preclean 预清洁 | PC |
Ion-beam modification of material and surface properties | IBSM |
- Surface polishing or smoothing 表面抛光 | |
- Surface nanostructures and texturing | |
- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强 | |
- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐 | |
- Surface-activated bonding 表面激活键合 | SAB |
Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜 | IBAD |
Ion-beam etching 离子蚀刻 | IBE |
- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻 | RIBE |
- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻 | CAIBE |
Ion-beam sputter deposition 离子溅射 | IBSD |
- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射 | RIBSD |
- Biased target ion-beam sputter deposition | BTIBSD |
Direct deposition 直接沉积 | DD |
- Hard and functional coatings |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项zhuan利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
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