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聚焦离子束(FIB)技术介绍

仪准科技(北京)有限公司 2019-08-15 16:06:03 946  浏览
  • 聚焦离子束(FIB)技术应用

    1.IC芯片电路修改 2.Cross-Section 截面分析 3.Probing Pad 4.FIB透射电镜样品制备 5.材料鉴定

    1.引言        随着纳米科技的发展,纳米尺度制造业发展迅速,而纳米加工就是纳米制造业的核心部分,纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束(FIB)技术利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工,配合扫描电镜(SEM)等高倍数电子显微镜实时观察,成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、切割和故障分析等。 2.原理        聚焦离子束(ed Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器,目前商用系统的离子束为液相金属离子源(Liquid Metal Ion Source,LMIS),金属材质为镓(Gallium, Ga),因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力;典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电子控制面板、和计算机等硬设备,外加电场于液相金属离子源,可使液态镓形成细小,再加上负电场(Extractor) 牵引的镓,而导出镓离子束,在一般工作电压下,电流密度约为1埃10-8 Amp/cm2,以电透镜聚焦,经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小,再经过二次聚焦至试片表面,利用物理碰撞来达到切割之目的,结构示意图如下图:

    3.应用        聚焦离子束系统除了具有电子成像功能外,由于离子具有较大的质量,经过加速聚焦后还可对材料和器件进行蚀刻、沉积、离子注入等加工。 3.1  离子束成像        聚焦离子束轰击样品表面,激发二次电子、中性原子、二次离子和光子等,收集这些信号,经处理显示样品的表面形貌。目前聚焦离子束系统成像分辨率已达到5nm,比扫描电镜稍低,但成像具有更真实反映材料表层详细形貌的优点。 3.2  离子束蚀刻        高能聚焦离子束轰击样品时,其动能会传递给样品中的原子分子,产生溅射效应,从而达到不断蚀刻,即切割样品的效果。其切割定位精度能达到5nm级别,具有超高的切割精度。

      使用高能了离子束将不活泼的卤化物气体分子变为活性原子、离子和自由基,这些活性基团与样品材料发生化学反应后的产物是挥发性,当脱离样品表面时立刻被真空系统抽走。这些腐蚀气体本身不与样品材料发生作用,由由离子束将其离解后,才具有活性,这样便可以对样品表面实施选择性蚀刻。在集成电路修改方面有着重要应用。 3.3  离子束沉积薄膜        利用离子束的能量激发化学反应来沉积金属材料和非金属材料。通过气体注入系统将一些金属有机物气体喷涂在样品上需要沉积的区域,当离子束聚焦在该区域时,离子束能量使有机物发生分解,分解后的金属固体成分被沉积下来,而挥发性有机物成分被真空系统抽走。

    3.4  离子注入        聚焦离子束的一个重要应用时可以无掩模注入离子。掩模注入是半导体领域的一项基本操作技术,利用聚焦离子束技术的精确定位和控制能力,就可以不用掩模板,直接在半导体材料和器件上特定的点或者区域进行离子注入,精确控制注入的深度和广度。 3.5 透射电镜样品制备        透射电镜的样品限制条件是透射电镜应用的一大难题,通常透射电镜的样品厚度需控制在0.1微米以下。传统方法是通过手工研磨和离子溅射减薄来制样,不但费时而且还无法精确定位。聚焦离子束在制作透射电镜样品时,不但能精确定位,还能做到不污染和损伤样品。

      4.聚焦离子束的发展        聚焦离子束现已发展成与SEM等设备联用。FIB-SEM双系统可以在高分辨率扫描电镜显微图像监控下发挥聚焦离子束的超微细加工能力。 在FIB-SEM双束系统中,聚焦离子束和电子束优势互补。离子束成型衬度大,但存在损伤样品和分辨率低的缺点,电子束激发的二次电子成像分辨率高、对样品损伤小,但衬度较低,两者组合可获得更清晰准确的样品表面信息。 5.小结        本文简单介绍了聚焦离子束(FIB)的基本原理、结构和应用。它的精确定位、显微观察和精细加工能力在电子领域有着重要应用。目前5nm的加工精度、无污染和不损伤样品在样品加工方面存在这巨大优势,是其他样品制备设备无法达到的水平。


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聚焦离子束(FIB)技术介绍
聚焦离子束(FIB)技术应用

1.IC芯片电路修改 2.Cross-Section 截面分析 3.Probing Pad 4.FIB透射电镜样品制备 5.材料鉴定

1.引言        随着纳米科技的发展,纳米尺度制造业发展迅速,而纳米加工就是纳米制造业的核心部分,纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束(FIB)技术利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工,配合扫描电镜(SEM)等高倍数电子显微镜实时观察,成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、切割和故障分析等。 2.原理        聚焦离子束(ed Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器,目前商用系统的离子束为液相金属离子源(Liquid Metal Ion Source,LMIS),金属材质为镓(Gallium, Ga),因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力;典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电子控制面板、和计算机等硬设备,外加电场于液相金属离子源,可使液态镓形成细小,再加上负电场(Extractor) 牵引的镓,而导出镓离子束,在一般工作电压下,电流密度约为1埃10-8 Amp/cm2,以电透镜聚焦,经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小,再经过二次聚焦至试片表面,利用物理碰撞来达到切割之目的,结构示意图如下图:

3.应用        聚焦离子束系统除了具有电子成像功能外,由于离子具有较大的质量,经过加速聚焦后还可对材料和器件进行蚀刻、沉积、离子注入等加工。 3.1  离子束成像        聚焦离子束轰击样品表面,激发二次电子、中性原子、二次离子和光子等,收集这些信号,经处理显示样品的表面形貌。目前聚焦离子束系统成像分辨率已达到5nm,比扫描电镜稍低,但成像具有更真实反映材料表层详细形貌的优点。 3.2  离子束蚀刻        高能聚焦离子束轰击样品时,其动能会传递给样品中的原子分子,产生溅射效应,从而达到不断蚀刻,即切割样品的效果。其切割定位精度能达到5nm级别,具有超高的切割精度。

  使用高能了离子束将不活泼的卤化物气体分子变为活性原子、离子和自由基,这些活性基团与样品材料发生化学反应后的产物是挥发性,当脱离样品表面时立刻被真空系统抽走。这些腐蚀气体本身不与样品材料发生作用,由由离子束将其离解后,才具有活性,这样便可以对样品表面实施选择性蚀刻。在集成电路修改方面有着重要应用。 3.3  离子束沉积薄膜        利用离子束的能量激发化学反应来沉积金属材料和非金属材料。通过气体注入系统将一些金属有机物气体喷涂在样品上需要沉积的区域,当离子束聚焦在该区域时,离子束能量使有机物发生分解,分解后的金属固体成分被沉积下来,而挥发性有机物成分被真空系统抽走。

3.4  离子注入        聚焦离子束的一个重要应用时可以无掩模注入离子。掩模注入是半导体领域的一项基本操作技术,利用聚焦离子束技术的精确定位和控制能力,就可以不用掩模板,直接在半导体材料和器件上特定的点或者区域进行离子注入,精确控制注入的深度和广度。 3.5 透射电镜样品制备        透射电镜的样品限制条件是透射电镜应用的一大难题,通常透射电镜的样品厚度需控制在0.1微米以下。传统方法是通过手工研磨和离子溅射减薄来制样,不但费时而且还无法精确定位。聚焦离子束在制作透射电镜样品时,不但能精确定位,还能做到不污染和损伤样品。

  4.聚焦离子束的发展        聚焦离子束现已发展成与SEM等设备联用。FIB-SEM双系统可以在高分辨率扫描电镜显微图像监控下发挥聚焦离子束的超微细加工能力。 在FIB-SEM双束系统中,聚焦离子束和电子束优势互补。离子束成型衬度大,但存在损伤样品和分辨率低的缺点,电子束激发的二次电子成像分辨率高、对样品损伤小,但衬度较低,两者组合可获得更清晰准确的样品表面信息。 5.小结        本文简单介绍了聚焦离子束(FIB)的基本原理、结构和应用。它的精确定位、显微观察和精细加工能力在电子领域有着重要应用。目前5nm的加工精度、无污染和不损伤样品在样品加工方面存在这巨大优势,是其他样品制备设备无法达到的水平。


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微信聚焦离子束测试交流群

聚焦离子束FIB测试交流群

FIB含义:

聚焦离子束(Focused Ion beam简写FIB)是将离子源(大多数FIB都用Ga,也有设备具有He和Ne离子源)产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后作用于样品表面。作用:

1.产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似

2.用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。

3.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应,有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。

 

FIB应用:

FIB技术的在芯片设计及加工过程中的应用介绍:

1.芯片IC电路修改,切线连线。

用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。

FIB还能在Z终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数,缩短研发时间和周期。

2.Cross-Section 截面分析

用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

3.Probing Pad

在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。

4.FIB透射电镜样品制备

这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒,对于纤维状试样,既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜,该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。

5.材料鉴定

材料中每一个晶向的排列方向不同,可以利用遂穿对比图像进行晶界或晶粒大小分布的分析。另外,也可加装EDS或SIMS进行元素组成分析。

 

FIB第三方服务:

由于FIB价格昂贵,中小企业很难拥有自己的设备,不过现在市面上有很多设备可以提供对外服务,北京西二旗国软检测有带电镜和能谱功能的FIB,可以做切点观察,切线连线,表面观察,成分分析等。

延伸阅读:实验室介绍

北京软件产品质量检测检验ZX(简称:北软检测)成立于2002 年7月,是经北京市编办批准,由北京市科学技术委员会和北京市质量技术监督局联合成立的事业单位。2004年1月,国家质量监督检验检疫总局批准在北软检测基础上筹建国家应用软件产品质量监督检验ZX(简称:国软检测),2004年10月国软检测通过验收并正式获得授权,成为我国第,一个国     ,  家     ,级的软件产品质量监督检验机构。

 

     ZX依据国际标准 ISO/IEC 17025:2005《检测和校准实验室能力认可准则》和ISO 9001:2015《质量管理体系要求》建立了严谨的质量体系,拥有一  ,     流的软件测试平台,2600平方米的测试场地,1000多台套的测试设备和上百人的专业测试工程师队伍。目前具有资质认定计量认证(CMA)、资质认定授权证书(CAL)、实验室认可证书(CNAS)、检验机构认可证书(CNAS)、信息安全风险评估服务资质认证证书(CCRC),信息安全等级保护测评机构(DJCP)、ISO 9001:2015质量管理体系认证、ISO/IEC 27001:2013信息安全管理体系认证等各种资质。

 

      智能产品检测实验室于2015年底实施运营,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。

文末福利:聚焦离子束测试交流群 客服微信a360843328

 

2019-09-26 12:30:35 380 0
JIB-4000 聚焦离子束加工观察系统升级为JIB-400
网站首页>新闻资讯>公司新闻>JIB-4000 聚焦离子束加工观察系统升级了

    JIB-4000 聚焦离子束加工观察系统升级为JIB-4000PLUS

    JIB-4000 聚焦离子束加工观察系统升级了,新型号:JIB-4000PLUS。该设备为单束FIB装置,不仅可以对样品表面进行SIM观察 、研磨、及碳和钨等沉积,还可以为TEM制备薄膜样品和截面样品;可选3D观察功能、自动TEM样品制备功能,能对应多种制样需求。


2020-07-14 10:37:29 384 0
聚焦离子束系统与扫描电子显微镜各有哪些功能和特点
 
2018-12-15 01:16:57 250 0
FIB截面分析

一、聚焦离子束FIB含义:

聚焦离子束FIB(聚焦离子束,ed Ion beam)是将液态金属(大多数FIB都用Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应,有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。


中文名:聚焦离子束

外文名:FIB、ed Ion Beam

二、聚焦离子束FIB应用介绍:

1.IC芯片电路修改

用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。

FIB还能在Z终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数,缩短研发时间和周期。

2.Cross-Section 截面分析

用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

3.Probing Pad

在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。

4.FIB透射电镜样品制备

这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒,对于纤维状试样,既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜,该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。

5.材料鉴定

材料中每一个晶向的排列方向不同,可以利用遂穿对比图像进行晶界或晶粒大小分布的分析。另外,也可加装EDS或SIMS进行元素组成分析。


2020-05-12 11:00:25 449 0
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离子束刻蚀(IBE)技术研究

离子束刻蚀(IBE)技术研究

 

1.离子束刻蚀(IBE)技术的原理?

离子束刻蚀(IBE,Ion Beam Etching)也称为离子铣(IBM,Ion Beam Milling),也有人称之为离子溅射刻蚀,是利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子,氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。刻蚀过程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面轰击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理刻蚀。工件表面有制备沟槽的掩膜,最后裸露的部分就会被刻蚀掉,而掩膜部分则被保留,形成所需要的沟槽图形。

离子束刻蚀使高方向性的中性离子束能够控制侧壁轮廓,优化纳米图案化过程中的径向均匀性和结构形貌。另外倾斜结构可以通过倾斜样品以改变离子束的撞击方向这一独特能力来实现。

在离子束刻蚀过程中,通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。为了便于后面光刻胶的剥离清洗,一般需要对样品台进行冷却处理,使整个刻蚀过程中温度控制在一个比较好的范围。

 

图1 离子束刻蚀设备结构图

图2 离子束刻蚀工艺原理图

 

2.离子束刻蚀(IBE)适合的材料体系?

可用于刻蚀加工各种金属(Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等)及其合金,以及非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、聚合物、陶瓷、红外和超导等材料。

目前离子束刻蚀在非硅材料方面优势明显,在声表面波、薄膜压力传感器、红外传感器等方面具有广泛的用途。

 

3. 离子束刻蚀(IBE)技术的优点和缺点?

a 优点:

 (1)方向性好、无钻蚀、陡直度高;

 (2)刻蚀速率可控性好,图形分辨率高,可达0.01um;

 (3)属于物理刻蚀,可以刻蚀各种材料(Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻胶等);

 (4)刻蚀过程中可改变离子束入射角来控制图形轮廓,加工特殊的结构;

b 缺点:

 (1)刻蚀速率慢、效率比ICP更低;

 (2)难以完成晶片的深刻蚀;

 (3)属于物理刻蚀,常常会有过刻的现象。

 

4.反应离子束刻蚀(RIBE)技术简介及优点?

反应离子束刻蚀(RIBE)是在离子束刻蚀的基础上,增加了腐蚀性气体,因此它不但保留了离子束物理刻蚀能力,还增加了腐蚀性气体(氟基气体、O2)离化后对样品的化学反应能力(反应离子束刻蚀:RIBE),也支持腐蚀性气体非离化态的化学辅助刻蚀能力(化学辅助离子束刻蚀:CAIBE),对适用于化学辅助的材料可以大幅度提升刻蚀速率,提高刻蚀质量。

 

5. 离子束刻蚀(IBE)的案例展示  

典型应用:

1、三族和四族光学零件

2、激光光栅

3、高深宽比的光子晶体刻蚀

4、在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀

5、微流体传感器电极

6、测热式微流体传感器


2022-11-25 16:10:30 458 0
磁共振 体成分技术介绍

       动物体内的体液、脂肪、瘦肉含量往往可以体现动物的健康状况。在已有的动物身体成分测量方法中,传统的全身化学成分分析法是测量身体成分的金标准,但是这种方法过程长、工作量大,并且需要将动物杀死,因此不能对动物进行反复的测量。

       其他测定动物体成分技术,如生物电阻抗分析法、双能x射线吸收法、计算机断层扫描等。这些方法都需要对动物进行麻醉或镇静,使实验动物保持绝-对不动的状态,但是麻醉或镇静将会带来动物摄食量减少,体温降低等副作用,并且有死亡的风险。

      磁共振 体成分技术可以快速、准确、定量的检测小动物在清醒状态下的脂肪、瘦肉含量等。核磁共振成像能直观的看出脂肪的二维空间分布情况,与定量检测数据相结合,为相关科学研究提供全面、深入的数据支持。

      磁共振 体成分技术的优势:

1、测试迅速:测试简单、快速、整个测试过程在1min内;

2、样品无需预处理:样品无须麻醉,无须处死;

3、测试结果:测试结果为脂肪含量,肌肉含量,可靠真实且稳定性高、重复性好;

4、适用性: 活体大鼠、小鼠、兔子等小动物均可测量;

QMR06-090H小动物体成分分析仪

磁共振 体成分技术研究动物体脂肪的应用案例展示:

案例一:营养学研究谱

QMR清醒小动物分析仪可以快速同时检测脂肪含量、瘦肉含量。该技术可用于治-疗肥胖的药物研发中药效的评价。

案列二:脂肪分布核磁共振成像

低场核磁共振的优势在于集定量与定性分析于一体,通过MRI图像清晰直观的看到脂肪在动物组织的空间分布情况,利用纽迈分析强大的核磁共振图像处理软件使原始图片有多种表达方式,深化核磁共振数据的分析。


2023-06-08 19:46:16 100 0
水质检测技术的简要介绍

水质监测分为环境水体监测和水污染源监测,水质污染自动监测系统,由水样的采集装置、检测仪器、数据的传递及处理系统组成。

 

采集水样时要注意水样的代表性,水样采集的类型有瞬时样、平均样,采集器一般采用具塞聚乙烯瓶,如采集特殊水样要用专用的采集器,采样的时候要根据不同水的性质特别对待,用不同的采样方式:间隔式平均采样、平均取样或平均比例取样、瞬间采样、单独采样。

 

保存水样需要减缓生物作用,减缓氧化作用,减少组分的挥发和吸附流失,要用适当材料的容器,冷藏降低细菌活性和化学反应速度。加入化学试剂YZ氧化还原反应和生化作用,注意选择采样容器不能吸附待测组分,不能是新的污染源,不能影响水样指标的测定。

 

采样的过程要全程记录,采样时间,监测项目,水样名称等。

 

水质监测可以用到科学仪器,比人工检测效率更高、速度更快、更准确,如需了解请来电:17720504339。


2021-05-07 16:50:54 227 0
CAR-T细胞ZL技术介绍

       CAR-T(全称Chimeric Antigen Receptor T-Cell Immunotherapy)是嵌合抗原受体T细胞免疫疗法的英文缩写。CAR-T多年前就已经出现,但是在近几年才被应用到临床上。2017年8月31日,diyi个基因ZL方法CAR-T细胞药物Kymriah被美国FDA批准上市。这标志着一个全新的jing准YL时代的到来。

T细胞是淋巴细胞的主要组分,它通过细胞免疫应答消灭特异性抗原。细胞免疫的作用主要有两种:与靶细胞特异性结合,破坏细胞膜,直接杀伤靶细胞;释放淋巴因子,使免疫效应扩大和增强。天然T细胞需要MHC分子呈递多肽与T细胞受体TCR结合才能识别病原或肿瘤,而它们有多种逃逸机制。CAR-T则是在T细胞中通过基因工程转入能够产生嵌合抗原受体(CAR)的序列,使T细胞识别更加具有特异性并且不受HLA限制,从而有效的消灭肿瘤细胞。CAR-T细胞ZL流程主要包括:

1.    自体T细胞的分离及激活

       首先,从患者体内的外周血中分离白细胞,其他成分返回血液循环。当白细胞收集足够后,对T细胞进行富集,富集可以通过密度梯度离心法完成。T细胞亚群的分离通过CD4/CD8特异性抗体或者表面标记偶联磁珠进行分离。通过CD3及CD28等抗体刺激,活化分离的细胞。

2.    CAR-T细胞的制备

       CAR-T细胞的制备是通过基因工程技术给T细胞加入一个能识别肿瘤细胞、同时激活T细胞、Z终杀死肿瘤细胞的嵌合受体。相关基因工程技术包括慢病毒、γ逆转录病毒、睡美人转座子系统或mRNA转染、mRNA电转等。制备完成后通过细胞培养技术在体外大规模培养CAR-T细胞,使其数量达到ZL水平。

3. 将体外培养的CAR-T细胞回输至病人体内

      CAR-T在患者体内发挥功能, CART细胞一旦发现癌细胞,不仅会杀死它,还会开始增殖,创造出庞大的灭癌大军。


 

       据报道,目前ZG国内已经有数十家企业与YL机构参与CAR-T项目研究,2018年3月12日,南京传奇生物的CAR-T制剂成为国内shou个申报临床研究的获批项目。2018年9月7日,ZG医药生物技术协会发布了《嵌合抗原受体修饰T细胞(CART细胞)制剂制备质量管理规范》,为方兴未艾的CAR-T细胞ZL技术提供了可靠的依据,保证CAR-T细胞制剂在临床研究和应用时的质量,让这一技术得以Z好的服务于人类。

对于CAR-T细胞ZL来说,CAR-T细胞制备是Z重要的。这一步骤结合了基因工程和细胞培养技术,具有很高的技术难度。

       为了制得合适的CAR-T细胞,我们需要通过基因技术将能生产CAR的序列传导到T细胞中,通常使用Z多的技术是慢病毒比如人类免疫缺陷病毒-1 (H IV-1) 慢病毒载体,可以将外源基因或外源的shRNA有效地整合到宿主染色体上,从而达到持久性表达目的序列的效果。慢病毒可有效地感染多种类型的细胞,如神经元细胞、干细胞等。我们可以通过人工合成的CAR元件克隆至慢病毒载体,包装假病毒。再用这些假病毒感染从患者体内分离的T细胞,生产CAR-T细胞。生产出来的CAR-T细胞数量通常不能满足ZL的需要,这就需要对CAR-T细胞进行培养,使细胞数量达到使用要求。

       在这些相关的实验中,大家通常会把注意力关注在载体、细胞、培养基的好坏中,但是实验用水却往往会被忽视。实际上,水对于整个实验来说,起到了重要的辅助作用。在细胞培养中,超纯水用来配置和稀释液体培养基、各种缓冲液等试剂,润洗器具、容器。纯水用来清洗器具、容器,给水浴锅、灭菌器,培养箱用水(水套式)等设备提供进水。如果细胞培养用水含有杂质,会带来很大的影响:

离子:改变渗透压

微生物:直接污染,改变微环境(如 pH),影响增殖,死后释放内毒素等

内毒素:改变细胞外形、活化细胞、促进或YZ细胞分裂、影响细胞附着等

有机物:水体中溶解性和悬浮性有机物含碳的总量。间接反映出水中细菌和内毒素含量的高低。

       对于CAR-T细胞ZL来说,不但需要满足《ZG药典》2015年版的相关要求,还应该满足细胞培养的特别需要。Merck  Sigma-Aldrich建议细胞培养应使用超纯水,无细菌,内毒素 < 0.005 Eu/ml,pH 5.0 - 7.0;Thermo Scicentific要求使用无细菌,内毒素<0.005 Eu/ml的超纯水。所以CAR-T细胞ZL必须使用高品质的超纯水系统。乐枫新一代 Genie G 智能型一体化超纯水系统一机两水,可以同时制备EDI 纯水和超纯水。Genie G 生产的超纯水不但符合《ZG药典》2015年版的数据要求,还超过CLSI临床实验室试剂纯水CLRW的要求。取水终端采用RephiBio过滤器,确保产水无细菌,内毒素 < 0.001 Eu/ml,RNase < 0.5 pg/ml,DNase < 10 pg/ml。Genie G可储存2年的水质报告,具有可追溯性。乐枫还提供中英文的3Q验证服务,可帮助用户实验室顺利通过美国FDA或者欧盟EMA的相关认证。Genie G可以充分满足高端生命科学技术整体用水的需求,质量不输进口设备,用户使用起来,完全可以“用水无忧”。


    

关键词:CAR-T, 嵌合抗原受体, 慢病毒, EMA, FDA, 上海乐枫, RephiLe, Genie 纯水机, Super-Genie 纯水机

关于上海乐枫生物科技有限公司

       上海乐枫(Rephile Bioscience,ltd.) 是一家专业从事高端水纯化和实验室分离纯化产品研发、设计和制造的高新技术企业,为高科技生物技术和生命科学领域的用户服务。乐枫公司着眼于发展,在ZG、美国、法国、印度、南非等近20个国家建立了销售机构,同时也为国际大型公司提供OEM和ODM,产品销往包括欧美的近100个国家。成立十余年,乐枫持续投入研发,创立出了自己的产品品牌RephiLe(瑞枫),推出了多个全新概念产品- 无线连接的Genie系列纯水系统和智能型大流量纯水工作站Super-Genie等,拥有了三十多项ZL和多个软件著作权。目前乐枫纯化柱填料配方齐全,也提供多款密理博纯水系统的兼容耗材。

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