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       三维激光直写可以满足半导体 0.25 微米及以上节点掩模版制备，以及 0.25 微米以下部分掩模版制备。当前半导体掩模版总量的约 75% 由激光直写设备制备，其余掩模版由电子束直写设备完成。平板显示领域的大幅面掩模版，100% 由激光直写设备制备。激光直写和电子束直写是产业中两项主要的直写技术。

       在投影光刻领域，半导体采用微缩投影光刻技术，代表性供应商是荷兰 ASML；平板显示采用大幅面投影光刻，代表性厂商是日本尼康。在诸多研发、MEMS、LED 等领域，掩模版接触 / 接近式光刻依然广泛使用。

       光刻是当前半导体、平板显示、MEMS、光电子等行业的关键工艺环节。光刻技术是指在短波长光照作用下，以光刻胶（光致抗蚀剂、photoresist）为介质，将微纳图形制备到基片上的技术。以半导体工艺为例，半导体器件由多种专用材料经过光刻、离子刻蚀、抛光等复杂微纳加工流程而完成。光刻设备是半导体工艺中Z核心的装备，在掩模版制备、芯片制造和封装环节都使用了光刻技术。

       光刻技术类型分为直写光刻和投影光刻两个大类。其中直写光刻是器件中微纳结构源头制备的关键环节，实现将计算机设计数据制备到特定基板上，形成高精度微纳结构的图形布局。

       三维激光直写光刻的概念：直写光刻系统在英文中被称为 Pattern Generator，是微纳图形生成的手段，将计算机设计的 GDSII、DXF 等图形文件制作成实物版图。

       用传统打印与复印的区别来打个比方：直写光刻是打印，将计算机中的文件打印出来。投影光刻是复印，实现器件制造的批量化。不过这个 “复印”过程需要多套图形的对准复印，要求极高的对准精度、分辨率和一致性。