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跨尺度微纳加工设备主要有：光刻、刻蚀、成膜、离子注入、晶圆键合等。微纳检测主要是表征检测：原子力显微镜、扫描电镜、扫声波扫描显微镜、白光干涉仪、台阶仪等。

跨尺度微纳加工（一）~光子束技术

// 紫外光刻//

常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，Z 终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面：

光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。

刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。

集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。

//极紫外光刻（EUVL）//

其主要成像原理是光波波长为10～14nm的极端远紫外光波经过周期性多层膜反射镜投射到反射式掩模版上，通过反射式掩模版反射出的极紫外光波再通过由多面反射镜组成的缩小投影系统，将反射式掩模版上的集成电路几何图形投影成像到硅片表面的光刻胶中，形成集成电路制造所需要的光刻图形。

//激光图形发生器//

是半导体掩膜制版的主要设备之一,它具有精度高、结构复杂、操作简单和生产效率高等特点。其光栅精度对加工的版图精度有很大的影响。

 //X射线光刻//

把所需图形复制到待刻蚀晶圆片，电路图形首先被制作在被称作光刻掩膜版的石英膜版上，然后将图形精确、重复转印至涂有光刻胶的待腐蚀层上。利用光刻胶的选择性保护作用，对需腐蚀图形进行选择性化学腐蚀，在表面形成与光刻模板图形相同（或相反）的图形。